AP 基本性能参数介绍

3 篇文章 1 订阅

AP 基本性能参数介绍

主要参数

  • Shpreamble
  • WMM
  • Shortgi
  • RTS/CTS
  • AMPDU
  • Disablecoext
  • Chwidth

Shpreamble参数介绍

概述: shpreamble全称Short Preamble,前导码(Preamble)是数据帧头部的一组Bit位,用于同步发送端与接收端的传输信号,前导码分为两种:长前导码(Long Preamble)和短前导码(Short Preamble)。缺省情况下,设备选中长传导码传输数据,为了提高网络传输效率,可使用短前导码

配置: iwpriv athx shpreamble 1   (开启短前导码) 
     ipwriv  athx shpreamble 0  (开启长前导码)


WMM参数介绍

概述:WMM全称Wi-Fi Multimedia,主要用于保障wlan数据帧的优先级
原理:在WLAN中,802.11协议规定,所有的终端获取到信道的机会是均等的。但WMM通过将数据报文划分为4个AC(?),高优先级AC占用信道的机会高于低优先级AC,从而能针对每类报文提供不同级别的服务。
AC: Access Category,接入分类。WMM定义的按照优先级从高到低的顺序分为:Voice(语音流)、Video(视频流)、Best-effort(尽力而为流)、Back-ground(背景流)四个优先级队列,用于确保高优先级分类的报文优先抢占无线信道和发送
配置: iwpriv athx wmm 1   (开启 wmm)
     iwpriv athx wmm 0    (关闭  wmm)
  

Shortgi参数介绍


概述:  shortgi全称Short Guard Interval(保护间隔),为了减少数据块之间的干扰。

原理:射频芯片在使用OFDM调制方式发送数据时,整个帧被划分为不同的数据块进行传输,为了数据传输的可靠性,数据块之间会有GI,用以保证接受侧能够正确解析出各个模块。无线信号在空间传输会因为多径等因素在接收侧形成时延,如果后续数据发送过快,会和前一个数据块形成干扰,而GI就是用于屏蔽这个干扰。通过11a/g模式的GI时长800ns,而Short GI时长为400ns,在使用Short GI 情况下,可提高10%的速率。

配置:
         iwpriv  athx shortgi  1   (开启shortgi)
         iwpriv  athx  shortgi 0  (关闭shortgi)


RTS/CTS参数介绍


概述:RTS/CTS全称Request To Send/Clear To Send,即请求发送/允许发送协议,用于避免隐藏节点信道冲突,而引起数据传输失败。
原理:站点1和站点3发送的数据帧长度超过RTS 
    threshold值时,都会发送RTS请求帧,站点2将会发送CTS帧来应答首先接收到的RTS帧。只有接收到CTS帧的站点才可以发送数据,没有收到CTS帧的站点默认信道冲突,则等待一定时间再发送RTS请求帧。如果每个工作站每次发送数据前都要执行CTS-RTS握手,将导致过多的RTS占用信道带宽,影响吞吐量。

配置:
         iwconfig athx  rts  1500  (开启RTS:1500B)
         iwconfig athx  rts  off  (关闭RTS)

 

AMPDU参数介绍


概述:Ampdu全称aggregation MAC protocol data unit(聚合MAC协议数据单元),80211n协议耗费了相当的效率用作链路的维护,从而大大降低了系统的吞吐量,引入帧聚合技术,能够有效提高MAC层效率

原理:Ampdu将数个相同目地的数据帧,集合成一次发送,以减少底层hand shaking时间,同时也减少Header重复传送,以达到快速传送的目的。

配置:
         iwpriv  athx  ampdu  1   (开启ampdu)
         iwpriv  athx  ampdu  0  (关闭ampdu)

 

Disablecoext/Chwidth参数介绍



概述: Disablecoext和Chwidth参数主要影响信道带宽(?),参数含义如下


配置 : 在测试HT40吞吐量时,必须设置如下
    iwpriv athx  disablecoext 1
    iwpriv athx  chwidth  2

 



信道带宽:  调制载波占据的频率范围,也是发送无线信号频率的标准。80211b/g/a信道占用20MHz频宽,而11n定义了两种不同的频宽:20MHz和40MHz











  • 1
    点赞
  • 13
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 3、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下: 第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下: 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分:O-表示半导体器件 第二部分:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部分:多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。 关于“材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)”给你解释一下 如:SI-NPN 0.1 20 45 >100 意为三极管为硅材料、NPN结、标称功率为0.1W、工作电流为20mA、耐压45V、工作频率大于100MHz。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值