控制芯片中 EEPROM 与 FLASH 的区别

掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的少量参数保存在EEPROM中，其擦除次数较Flash多，Flash用来做程序和一些掉电保护和不需修改的数据。

Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)，而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM就显得不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。

FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需修改的数据。     所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory.E2PROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的。现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Device, 一类是Charge Trapping Device。这里的分类标准主要是program 与 erase的机制的不同。

补充：

一:FLASH和E2PROM

1:相同点是两者都能掉电存储数据

2:区别：

1）FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作

2）FLASH写入时间长,EEPROM写入时间短

3）FLASH擦写次数少(10000次),EEPROM次数多(1000000次)

4）FLASH的电路结构较简单，成本低，EEPROM工艺复杂,成本高 

二:单片机的数据存储器不能用FLASH,因为: 

1:FLASH有一定的擦除、写入次数,一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次. 

2:FLASH写入数据需要比较长的时间,大约需要4-6ms.而且写FLASH需要加上9V的高压,麻烦. 

三:至于E2PROM,可以作为数据存储器,但是单片机如atmega128一般用RAM作为数据存储器,因为E2PRM工艺复杂,成本高,适合于存储掉电保护的数据,而这类数据往往不需要存储太多.所以一般的单片机都没在内部集成E2PROM,需要的时候,可以让单片机外挂24C01一类的串行E2PROM.