【转载】PMOS,NMOS


MOSFET pinout for N and P-channels

NMOS保证截止,发生在G电位小于等于S,

PMOS保证截止,发生在G电位大于等于S。

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寄生二极管是因为基底与Source连接形成的PN结。

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上图为NMOS,为了在Gate与Pypte中加偏压形成N-Channel,BODY与S连接。

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反向保护电路中用到PMOS,不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管,但它完全没有用处。在电路正常通电时,GATE接在远低于D端的0电位上,此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远高于S端,PMOS完全截止。

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上图是使用PMOS的一个例子。
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上图是四轴中的一个H Brige,这里就是PMOS,NMOS驱动的典型用法。

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上图是一个1倍自举升压的的电路。

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上图是2倍自举升压电路。

详细说明参见:http://www.circuitcellar.com/eq/248/248.html

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