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s3c6410存储器映射

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1.引导镜像区 0x0000_0000~0x07FF_FFFF

2.内部存储区

(1) 内部ROM 0x0800_0000~0x0BFF_FFFF

(2) 内部SRAM 0x0C00_0000~0x0FFF_FFFF

3.静态存储区 0x1000_0000~0x3FFF_FFFF

4.动态存储区 0x4000_0000~0x6FFF_FFFF

S3C6410的物理内存分成Memory和Pheriperal两部分,地址范围分别为0x0~0x6fffffff和0x7fffffff。系统通过SPINE总线访问Memory空间,通过PERI总线访问Pheriperal空间。而为了适应不同外设的访问速度,又分别通过AHB总线访问LCD、Camera、Accelerator等高速外设,通过APB总线访问iic、watchdog等低速外设。

3.2内存
Memory,又叫主内存,分为4大区域,分别是启动镜像区、内部内存区、静态内存区、动态内存区。

启动镜像区物理地址为0x00000000~0x07ffffff,共128MB。这个区域的作用正如它的名字所述,是用来启动系统的。但是这个范围内并没有实际的存储介质与之对应,只能在通过OM[4:0]选择具体的启动介质后再把相应介质的物理地址映射到这个启动区,比如说选择了IROM启动方式后,就把IROM所占的地址空间映射为0x00000000开始的空间。

内部内存区物理地址为0x08000000~0x0fffffff,共128MB。这个区域对应着内部的内存地址,内部的ROM和SRAM都是分布在这个 区间。其中,0x08000000~0x0bffffff对应着内部ROM,当然实际上内部的ROM也并没有64MB这么多,只有32KB是有实际存储介 质的,这32KB是一个只读区,放的是IROM方式下的启动代码,选择IROM启动的时候首先运行的 代码就是这一部分,称为BL0,这部分代码由厂家固化。0x0c000000~0x0fffffff对应内部SRAM,实际可用的SRAM按照三星的手册 是4KB,其实这就是用于nand flash启动的Steppingstone(但是这个Steppingstone是8KB,这2者似乎有矛盾,不知道是不是我的理解不对)。

静态内存区物理地址为0x10000000~0x3fffffff,共6*128MB。这个区域用于访问挂在外部总线上的设备,比如说SRAM、NOR flash、oneNand等。这个区域被分割为6个bank,每个bank为128MB,数据宽度最大支持16bit,每个bank通过Xm0CS[5:0]来划定。和S3C2410不 一样的是,bank2~bank5能映射到nand flash、CF等非线性存储器,这并不是说可以通过bank2~bank5的地址段就能直接访问nand flash、CF内部的地址,相反,当映射到这些器件的时候这些bank的地址也不能再使用了,访问这些非线性存储器还是得通过Pheriperal空间 的AHB总线进行,和S3C2410中的访问方式是一样的。不过有一个特例是,当Xm0CS2被映射到nand flash的时候,Steppingstone的4KB(or 8K?)SRAM被映射到bank2开始的4KB,而在以nand flash方式启动的时候bank2被映射到0x00000000开始的地方,实际上就是把Steppingstone映射到0x0000000了,这和S3C2410的情况还是相似的。

动态内存区物理地址为0x40000000~0x6fffffff,共3*256MB。其中第一个256MB为保留区,实际使用的动态内存区为0x50000000~0x6fffffff,又分为2个区间,分别占256MB,可以通过DMC的Xm1CS[1:0]来进行着2个区间的选择。这个内 存区主要是扩展DRAM,最大可以扩展512MB的DRAM。

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