器件知识
gooogleman
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0欧电阻的作用(guetcw的论坛回帖)
0欧电阻的作用(guetcw的论坛回帖)1.模拟地和数字地单点接地 只要是地,最终都要接到一起,然后入大地。如果不接在一起就是"浮地",存在压差,容易积累电荷,造成静电。地是参考0电位,所有电压都是参考地得出的,地的标准要一致,故各种地应短接在一起。人们认为大地能够吸收所有电荷,始终维持稳定,是最终的地参考点。虽然有些板子没有接大地,但发电厂是接大地的,板子上的电源最终还是会返回发电厂入地转载 2009-01-05 11:12:00 · 2837 阅读 · 0 评论 -
模拟屏和数字屏的区别
一、模拟屏和数字屏就屏本身来说是没有区别的,主要区别是在电路上。加到液晶屏象素上的肯定都是数字信号。在屏的边缘有很多行列驱动IC,就是所谓的驱动器。在屏后面的电路板上主要是控制器,控制器将收到的信号转换为符合驱动器时序要求的驱动信号,送给驱动器,点亮相应的象素。模拟屏和数字屏在这写部分是一样的,他们的区别主要在于输入上。数字屏直接输入数字信号,RGB每种颜色信号都被视转载 2009-08-29 13:40:00 · 3629 阅读 · 0 评论 -
前几天弄到一个强悍的带显卡的2440开发板
前几天,一个公司寄给我一个2440开发板测试,他说是用来做游戏机(游艺机)的,上面有个SM502显卡芯片,16M显存,VGA接口的。我以前没有用过VGA的开发板,现在弄上去吓了我一跳,我的19寸宽屏都能驱动,并且很清晰啊。下面是图形,非常的猛,并且这个板子还有外部串口。实在是强悍。 下面是图片(N95拍的,嘿嘿。)。原创 2009-10-26 17:08:00 · 4409 阅读 · 6 评论 -
真实体验idea6410
购买idea6410有一段日子了,买来的时候弄了一些图片,现在上传上来——好晕啊,6410的难度比2440难很多搞的我看bootloader以及手册非常的吃力,不过我会坚持的,以后会陆续写出6410的博客。 ------------------------------呵呵,N95还是满强悍的 -------------------呵呵,idea6410 工艺还算细腻原创 2009-11-10 07:32:00 · 2592 阅读 · 3 评论 -
cache原理学习(作者:gooogleman)
作者:wogoyixikexie@gliet cache是ARM最难理解,也是最具有闪光点的地方之一,现在是解决他的时候了。 对于这么经典的东西,我还是引用ARM工程师的书籍吧,免得误人子弟。cache以及write buffer的介绍 A cache is a small, fast array of memory placed be原创 2008-12-29 16:28:00 · 10137 阅读 · 3 评论 -
新年开工第一篇文章——推荐几个值得中小企业使用的ARM9/ARM11/Cortex A8处理器
//toppic:推荐几个值得中小企业使用的ARM9/ARM11/Cortex A8处理器// 作者:gooogleman//原文地址:http://blog.csdn.net/gooogleman/article/details/7219157 2011 年我过的中规中矩,有几个网友都说我不怎么说话了,或者很久才发布一篇好的博文,还跟我开玩笑说希望以前的gooogleman原创 2012-01-30 11:17:31 · 32262 阅读 · 6 评论 -
关于嵌入式扩展串口方案探讨(作者:gooogleman)
最近特别多网友根据我博客写的wince扩展串口驱动调试找到我,问我关于扩展串口的方案的问题。以前我做过NXP的16C554 以及16C552 之类的芯片。在2440+wince5.0 上调试过驱动,但是我对这个16C554 以及16C552 之类的芯片不太感冒,主要是这些芯片引脚太多了。需要引出处理器的地址总线和数据总线,如果要做这种核心板出来,就因为这种芯片导致引出这么多引脚,那是挺浪费资源原创 2012-03-27 17:08:18 · 1657 阅读 · 0 评论 -
看了如下的S3C6410/S3c2416/S5PV210的 芯片价格表,你还会用S3C6410 芯片吗?!
S5PV210AA0-LA40 9.0 美元;S3C44B0X01-ED80 2.9 美元;S3C2410A20-YO80 4.45 美元;S3C2410A26-YO80 5.1 美元;S3C4510B01-QE80 2.3 美元;S3C6410X66-YB40 8.3 美元;原创 2012-03-30 11:28:18 · 6428 阅读 · 3 评论 -
有没有比这个拨码开关性能更好的,推荐?
Sate210 核心板准备增加拨码开关切换 nand/USB/SD卡启动,我找了一下这个开关,但是普遍不满足我的要求,是否有更好的呢?主要规格 / 特殊功能:技术参数:操作力:单键开关最大操作力不大于8N 工作温度:-25℃~+70℃ 储存温度:-40℃~+85℃ 拨键行程:1mm电器特性:开关经常切换的额定电流:25mA,耐压24V DC 开关不经常切换的额定原创 2012-05-05 14:05:55 · 2119 阅读 · 3 评论 -
宣告嵌入式S5pv210 中小企业时代来临(作者:gooogleman)
// Topic:宣告嵌入式S5pv210 中小企业时代来临(作者:gooogleman)//作者:gooogleman//发布日期:2012.04.21//最后修改:// 原文地址:http://blog.csdn.net/gooogleman/article/details/7484704 //注意事项:商业网站未经作者同意不能转载,并且不能删除文章的任原创 2012-04-21 17:42:01 · 7939 阅读 · 8 评论 -
【转】一些电子专业术语
Cj …… Junction Capacitance 结电容 ηv …… Rectification Efficiency 整流效率 I(AV) …… Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流 IBO …… Breakover Current 转折电流 ID …… Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流 IF转载 2009-08-28 11:01:00 · 3935 阅读 · 1 评论 -
NAND FLASH ECC校验原理与实现——转载
NAND FLASH ECC校验原理与实现http://blog.csdn.net/nhczp/archive/2007/07/20/1700031.aspxECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采转载 2008-12-19 17:32:00 · 3867 阅读 · 0 评论 -
内存的工作原理和发展历史——转载,超级经典
http://blog.csdn.net/liguannan_bdqn/archive/2006/12/26/1463170.aspx RAM(Random Access Memory)随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC用户都非常清楚的,所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存,希望借此来得到更高的性能。不过现在市场是多种内存类型并存的,SDRAM转载 2008-11-12 15:17:00 · 2687 阅读 · 0 评论 -
提高CPU的频率造成死机的原因分析(收集于论坛)
各位软硬件高手,这个问题困惑我好久了,麻烦各位分析下原因,shuiyan也能帮忙分析下吗? 问题是这样的: 我们采用的三星的S3C2450平台,做的CMMB电视,处理器跑400M时没见有问题,跑533M后,播放音视频没问题, 但是通过电视播放器收看CMMB电视后会死机,死机时间距播放开始的时间不等,有时间播放后半小时死,有时候 几个小时死,不知道大家有没这方面的经验?—————————转载 2009-01-07 08:56:00 · 4024 阅读 · 0 评论 -
2440GPIO不使用时的注意事项
GPIO 不用时的处理方法2440上,引出了很多GPIO,实际上没用到,怎样处理这些GPIO线呢:设置成输出还是输入、需不需要接地或上拉?A:设置成输入输出都可以 如果设成了输入,要打开上拉,或者外加电阻;如果设成了输出,悬空即可。 转载请表明 wogoyixikexie@gliet桂林电子科技大学一系科协,谢谢,有什么错误请给我留言。原创 2008-11-16 13:49:00 · 1457 阅读 · 2 评论 -
flash坏块问题
第一个block保证是好的,其余的保证九十几%。坏块标志位是每个block的前两个page的spare区域的第六个字节,如果不是FF就是坏块。但是这个坏块标志是可以被擦除的,所以擦除block之前要先确认一下是否是坏块。作者:wogoyixikexie@gliet补充:大页和小页flash不同的。——KTIL之后再仔细分析一下。原创 2008-11-27 20:24:00 · 1258 阅读 · 0 评论 -
从flash芯片名字识别flash容量
收集于论坛:帖主guetcwK 9 X X X X X X X X - X X X X X X X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cel转载 2008-12-15 09:57:00 · 4142 阅读 · 0 评论 -
nand flash坏块——转载
1.为什么会出现坏块 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是:当编程/擦除这个块时,不能将某些位拉高,这 会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位。2.坏块的分类 总体上,坏块可以分为两大类转载 2008-12-16 15:37:00 · 2385 阅读 · 0 评论 -
对一些内存名词术语的解释(bank ECC等)——转载
内存 : BANK Bank (内存库) 在内存行业里,Bank至少有三种意思,所以一定要注意。 1、在SDRAM内存模组上,"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。(等同于"行"/Row) 2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。(现在通常是4转载 2008-12-19 11:29:00 · 2715 阅读 · 0 评论 -
K9F1208U0M(64M nand flash)手册阅读以及相关驱动程序分析
作者:wogoyixikexie@gliet 以前一直使用别人成功的FMD,早几天对一些细节以及编程方法一无所知,同时也有很多人问我flash相关问题,我好想在论坛指点江山,给养技术,可是感觉有些东西确实需要补补,今天就看个明白吧。NAND Flash Technical NotesInvalid Block(s) Invalid blocks are defined as原创 2008-12-18 14:37:00 · 6333 阅读 · 3 评论 -
nand flash结构以及读写分析——写的比较经典(转载)
今天在利用ARM7上的nandflash控制器驱动,ID已读取成功,擦写,读取等尚未完成,晚上就在网上查查相关的知识,觉得有一个不错,转贴如下:NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND D转载 2008-12-18 17:29:00 · 4202 阅读 · 3 评论 -
关于wince下 S5pv210 +DM9000 网卡mac 地址的分配问题
在同一个局域网内,mac 是不能相同的,但是dm9000 内部并没有唯一固定这个mac 地址,该怎么办?并且这个mac 地址应该是唯一的,不能随意更改的,应该是卖芯片大的代理商给的。那怎么办呢?1、底板上街一个eepROM保存mac ,系统启动去读取——好处是不用人为每次刷系统都设置,只要设置一次就够了。2、保存在wince注册表——每次刷完系统都要去设置。ht原创 2012-12-03 00:25:24 · 1604 阅读 · 0 评论