NAND和NOR flash详解

原创 2007年09月25日 10:39:00

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR
flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统
天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成
本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口
轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清
楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因
为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高
数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash
闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除
速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也
很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要
特殊的系统接口。

性能比较
flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何
flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元
内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除
操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前
先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s
,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进
行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于
给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),
更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必
须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

接口差别
NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每
一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同
。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基
于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可
以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就
相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128M
B的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存
储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M
MC存储卡市场上所占份额最大。

可靠性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说
,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命
(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND
存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型
的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一
些。
位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要
比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转
了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能
导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次
就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位
反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建
议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备
来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,
必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太
低,代价太高,根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制
成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项
处理,将导致高故障率。

易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直
接运行代码。
由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写
入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏
块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和
闪存管理算法的软件,包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常
需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD
),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软
件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱
动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所
采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和
损耗平衡。

(纠正一点:NOR擦除时,是全部写1,不是写0,而且,NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6S。)

    NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商,曾经是FLASH的主流产品,但现在被NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。

NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在油盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。

在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序,但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此,必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行,挺麻烦的。
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