nandflash笔记

flash分为mlc和slc两种，一下都是针对mlc。

现在的MLC芯片读速度一般在（3M-7M)/S之间, 与芯片的主频，外频和驱动程序相关。

 

在物理结构上，flash有1到多个plane，多个plane是可以同时read, write, erase。每个plane又分为若干个block，每个block包含若干page，page由两部分组成可用的page+spare，spare使用来存储坏块标志，ecc校验，也可以存放文件系统的一些信息，既由用户可以填写一些便于自己操作flash或者便于文件系统的信息。

 

每个flash都有自己的配置信息，有的芯片可以从名称看出这些 基本信息，比如SamSung的芯片的命名都是按照一个规则。基本信息包括：容量的单位（K），是SLC还是MLC，存储空间，总线数，电压，mode，Generation，package，badblock information,version.

 

以上是nandflash的基本信息。

 

现在的flash一般是八位的地址，在访问片上空间时是pageno+页内offset的方式，一般情况下，pageno需要3次地址循环，offset需要2次循环才能访问到整个芯片。

 

未完待续。。。