某BCD工艺剖析

1、BCD工艺以隔离严谨著称。以常规NMOS管为例，design manual上，每一个MOS管都被一圈在P埋层之上的PWELL隔离环构成，但是在版图绘制中并不体现P埋层（PBL），而是只画出PWELL，这是因为该BCD工艺默认做在P埋层之上；同时为了做金属接触，用active和注入区（PP）来定义P+区，在P+区上用通孔CT连接金属。

2、在自对准工艺下，有源区active和扩散区（或者注入区）来产生N+/P+这种金属接触必备的区域。一般，阱用扩散工艺来产生，N+/P+用离子注入来产生。

3、在沟道附近还可以有一层阈值调整层，用以调整阈值。整个NMOS除了隔离环都做在一层NBL上。

4、BCD工艺由于延续了双极工艺的部分复杂度，往往还能用来制作LDMOS（横向双扩散MOS管）。其中一种简单的且不常被提及的是LDMOS for analog，这种LDMOS和常规MOS的最大区别是，其D、S都在NWELL中制作，这样就不像CMOS工艺中，NMOS的源漏电压过高会击穿烦偏的PN结，故可耐高压。此时的栅极就坐在一块P阱上，为了提高栅控能力，poly做的足够覆盖到源漏。

5、开关型的LDMOS，这是常见的LDMOS。其典型特征为：对于一个开关型NLDMOS，其漏坐在NWELL中，源做在PWELL中，源漏之间通过一层N+漂移层连接。