STM8L151 在IAR中实现Flash/EEPROM的擦写

最新推荐文章于 2023-11-26 11:09:18 发布
VIP文章 最新推荐文章于 2023-11-26 11:09:18 发布
阅读量1.3w 收藏 9
点赞数 3
分类专栏： STM8L 文章标签： STM8L flash IAR
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/jnu_fangzebin/article/details/51429758
版权

在 STM8L151G6U6中可支持字节擦写和块擦写，块擦写可一次擦写很所字节。字节擦写比较简单，需要注意的是块擦写，在块擦写中，需要配置一个地方。
库中使用说明
对于IAR来说，
Uncomment the line “#define RAM_EXECUTION (1)” in the stm8l15x.h file to enable the FLASH functions execution from RAM through the specific __ramfunc keyword.
之后可在程序中调用Flash_BlockProgram();来进行块擦写。
在main函数前要做以下声明：

 #ifdef _RAISONANCE_
/* needed by memcpy for raisonance */
#include <string.h>
extern int __address__FLASH_EraseBlock;
extern int __size__FLASH_EraseBlock;
extern
最低0.47元/天 解锁文章
jnu_fangzebin
关注
  • 3
    点赞
  • 踩
  • 9
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 1
    评论
专栏目录
STM8L15x开发原理图及配套的代码
05-06
STM8L15x开发原理图及配套的代码，基本囊括了STM8L本身的所有资源。目前STM8L相关的资料不多，自己也经历了痛苦的摸索学习过程，掉进了不少的坑。希望这些例程可以帮助大家。
24.片内FLASH--字节操作_STM8L15X片内FLASH_
10-03
STM8L15X 片内FLASH使用例程
STM8L152K4 Flash读写（byte and block program）
09-29
经过我几天的折腾终于把Flash的读写搞定了，包括位写和块写，资源分有点多
TI版本的cc2530 flash擦写程序
12-28
本压缩包原型是TI提供的cc2530 flash擦写程序，此压缩包只是调整了格式，更容易阅读与理解，里面的PDF文档时对程序的说明。
STM系列 Flash操作
lnwechag的博客
04-13 2829
STM系列的Flash操作方法及误操作笔记 1、flash操作方法 1.1 对stm8的flash操作 #define BaseCfgaddr (uint32*)0x4000 /*  * 函数名称    :   WriteAddrToFlash  * 函数功能    :   数据写入Flash  * 输入参数    :  * 输出参数    :   无  *
STM8L15x MCU 内部FLASH的读写操作
www15938795131的专栏
05-28 1176
设计 1.使用STM8L152 的开发板平台测试IAP升级需要擦写FLASH 2.内部FLASH先全部清除，然后再根据串口接收的数据转存到内部FLASH中去。
iar如何全擦芯片内存
最新发布
月如琉璃的博客
11-26 646
Project ->Download -> Erase memory
stm8 在IAR 下烧写出现The Flash Memory Read-out protection 的解决方法
LOTOOHE的博客
05-19 9548
今天又被淘宝狠狠地坑了一道。 刚买回来的stm8 最小板居然不能烧写程序，在以前的板子上烧写可是好好的。 烧写就出现The Flash Memory Read-out protection （内存写保护） 错误。 废话少说： 要解除写保护，先仔仔stvp工具点击打开链接 打开stvp工具后： 选择option byte 选择关闭写保护，如果默认是关闭就不用管 然后点
STM8L IAP升级过程记录
Stoneshen的博客
01-29 3902
STM8L IAP升级 芯片：STM8LXXX 通讯方式：SPI IDE: IAR for STM8 工作需求，需要实现基于SPI通信的IAP升级，百度了一些资料，爬过了一些坑，现在测试升级ok,因此写篇笔记记录一下整个过程，以下便是整个过程，纯属个人记录，难免有不到的地方，如有错误，麻烦指出。 一、介绍 1) IAP简介 所谓的IAP即应用程序中编程(In-application
使用IAR+Jlink开发STM32关于下载Flash的一点发现
niepangu的专栏
06-01 3206
1、使用Jlink下载程序的使用，没有进行Flasah整片擦除， 2、基于1，     出现以下这种情况，     当第一次下载一个较大程序例如30k,  第二次下载一个小程序例如10k， 那么 第二次下载后，Flash区域有20K的Flash区域不是0XFF,而且是没有意义的数据 以上两点已得到证实
IAR平台下STM8L151工程模板代码_IAR_stm8l151_stm8_
09-30
嵌入式MCU开发工程模板，基于IAR，使用的单片机是STM8L151
EXTI.rar_ STM8L151_STM8L151 IAR_stm8l exti_stm8l151
09-14
STM8L151在IAR下库函数例程-EXTI例程
stm8l151g4串口通信-PA2+PA3_IAR_stm8l151g4_
09-30
基于IAR开发平台的，STM8L151G4的串口通信调试，使用PA2+PA3管脚
stm8l15x中文参考手册,stm8l151中文资料,C,C++
09-10
stm8l datasheet for chinese
STM8L151C8T6的六种低功耗模式测试工程
04-09
STM8L151C8T6的6中低功耗模式测试程序，IAR工程，通过修改宏定义，可对各种模式下的功耗进行测试。
stm32l151c8_iar_MC20_quectel_stm32l151c8_定位模块MC20控制程序_mc20程序_ele
09-29
包含STM32L151各种驱动程序以及MC20控制程序
STM32L151/2x6/8/B-A使用手册
11-04
STM32L151x6/8/B-A和STM32L152x6/8/B-A官方使用手册 ULtra-low-power 32-bit MCU ARM-based Cortex-M3,128KB Flash,32KB sram,4KB EEPROM,LCD,USB,ADC,DAC
0.96寸OLED显示屏STM32L151AC8T6_I2C例程
08-20
0.96寸OLED显示屏STM32L151AC8T6_I2C例程，实机运行通过。
参考手册.zip_STM32L151C8教程_STM32L151手册_stm32l151_stm32l151 手册_xn-l15
07-15
STM32L151的一些参考资料，希望对各位有用！！！！
stm32l151rct6 hal库flash读写数组例程
08-26
当您使用STM32 HAL库进行Flash读写操作时，可以使用以下代码示例来读写数组： ```c #include "stm32l1xx_hal.h" #define FLASH_USER_START_ADDR ((uint32_t)0x08080000) // Flash起始地址 #define FLASH_USER_ARRAY_SIZE ((uint32_t)128) // 数组大小，单位为字节 void write_array_to_flash(uint32_t* data, uint32_t size) { FLASH_EraseInitTypeDef erase_struct; uint32_t sector_error = 0; HAL_FLASH_Unlock(); // 解锁Flash erase_struct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS; // 擦除类型为扇区擦除 erase_struct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; // Flash电源电压范围为3.0 ~ 3.6V erase_struct.Sector = FLASH_SECTOR_7; // 使用扇区7 erase_struct.NbSectors = 1; // 擦除一个扇区 if (HAL_FLASHEx_Erase(&erase_struct, &sector_error) != HAL_OK) { // 擦除失败处理 HAL_FLASH_Lock(); return; } for (uint32_t i = 0; i < size; i++) { if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, FLASH_USER_START_ADDR + (4 * i), data[i]) != HAL_OK) { // 写入失败处理 HAL_FLASH_Lock(); return; } } HAL_FLASH_Lock(); // 上锁Flash } void read_array_from_flash(uint32_t* data, uint32_t size) { for (uint32_t i = 0; i < size; i++) { data[i] = *(__IO uint32_t*)(FLASH_USER_START_ADDR + (4 * i)); } } int main(void) { HAL_Init(); // 初始化Flash读写数组 uint32_t flash_data[FLASH_USER_ARRAY_SIZE/4] = {0}; // 写入数据到Flash write_array_to_flash(flash_data, FLASH_USER_ARRAY_SIZE/4); // 从Flash读取数据 read_array_from_flash(flash_data, FLASH_USER_ARRAY_SIZE/4); // 进行其他操作... while (1) { // 主循环 } } ``` 在这个示例中，我们首先定义了Flash的起始地址和数组的大小。然后，我们编写了两个函数：`write_array_to_flash()`用于将数组写入Flash，`read_array_from_flash()`用于从Flash中读取数组。 在`write_array_to_flash()`函数中，我们首先解锁Flash，然后使用`HAL_FLASHEx_Erase()`函数擦除扇区7。接下来，使用`HAL_FLASH_Program()`函数逐个写入数组元素到Flash中，并在写入失败时进行错误处理。最后，上锁Flash。 在`read_array_from_flash()`函数中，我们使用指针访问Flash的地址，将Flash中的数据读取到数组中。 在`main()`函数中，我们初始化了HAL库，并声明一个用于存储Flash数据的数组。然后，我们调用`write_array_to_flash()`函数将数组写入Flash，接着调用`read_array_from_flash()`函数从Flash中读取数组。最后，我们可以在主循环中进行其他操作。 请注意，该示例代码仅供参考，您可能需要根据实际情况进行适当的修改和调整。同时，请确保正确配置STM32L1系列芯片的Flash大小和地址，以及正确引用和初始化HAL库。

“相关推荐”对你有帮助么？

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值