大学物理期末复习：静电场&电场中的导体、电介质

电场 电场强度

$\bullet$真空介电常数：$k=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}$
$\bullet$库仑定律：$F=k\frac{q_1 q_2}{r^3}r$
$\bullet$电场强度（矢量）：$E=\frac{F}{q_0}=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\frac{q}{r^3}r$

电通量 高斯定理

$\bullet$电通量：通过电场中任意给定平面的电场线条数。
$\phi_e=\oint E\cdot dS$
$\bullet$高斯定理：真空中任何静电场中，穿过任一闭合曲面的电通量等于该闭合曲面内包围电荷代数和的$\varepsilon_0$分之一。
$\phi_e=\frac{1}{\varepsilon_0}\sum q_i$
$\bullet$均匀带电球面的电场分布，设带点总量为$q$，半径为$R$，作球形高斯面结合电通量公式和高斯定理得：
$E= \begin{cases} \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\frac{q}{r^2}& (r\ge R)\\ 0& (r< R) \end{cases}$
$\bullet$无限长均匀带电直线的电场分布，设线电荷密度为$\lambda$，作圆柱形高斯面结合电通量公式和高斯定理得
$E=\frac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0r}$
$\bullet$无限大均匀带电平面的电场分布，设电荷密度为$\sigma$，作圆柱形高斯面结合电通量公式和高斯定理得
$E=\frac{\sigma}{2\varepsilon_0}$

电势

$\bullet$电势能：$W_a=\int_{a}^{\infty}q_0E\cdot dl$
$\bullet$电势（标量）：$U_a=\int_{a}^{\infty}E\cdot dl$
$\bullet$电势差（电压）：$U_{ab}=\int_{a}^{b}E\cdot dl$
$\bullet$点电荷$q$电场中的电势分布，根据电势公式和点电荷的场强公式（设无限远处为电势零点）
$U(r)=\frac{q}{4\pi\varepsilon_0r}$
$\bullet$均匀带电球面的电势分布，设带电总量为$q$，半径为$R$，根据均匀带电球面的电场分布和电势公式得
$U(r)=\begin{cases} \frac{q}{4\pi\varepsilon_0R}& (r\le R)\\ \frac{q}{4\pi\varepsilon_0r}& (r> R) \end{cases}$

静电平衡

$\bullet$导体的静电平衡：导体内正负电荷均匀分布，整个导体成电中性，并无电荷的定向运动。
$\bullet$静电平衡条件：
(1).$\textbf{导体内部场强处处为零}$；导体表面场强方向垂直该处导体表面；电场线不进入导体内部，而与导体表面正交。
(2).$\textbf{整个导体是一等势体}$，导体表面是一等势面。
$\bullet$静电平衡导体上的电荷分布：
(1).导体内处处无静电荷，静电荷只分布于导体的外表面。
(2).导体表面上各处的电荷面密度与该处表面紧邻处的场强大小成正比。
$\bullet$两平行板静电平衡：四个表面电荷面密度$\sigma_1=\sigma_4,\sigma_2=-\sigma_3$，具体数值结合电荷守恒定律和静电平衡条件$E_P=0$计算；板件、间的电场分布通过场强叠加原理求；电势差用场强对距离的积分即可。

电容

$\bullet$电容的定义：孤立导体的电势与其所带电量成正比，比值$\frac{Q}{U}$是一个定值，即电容，用C表示。
$\bullet$接电源电容的电压$U$不变，断电源时电容的电量$Q$不变
$C=\frac{\varepsilon S}{d}=\frac{Q}{U}$
$\bullet$电容的储能公式（电容的能量）：$W_e=\frac{Q^2}{2C}=\frac{CU^2}{2}=\frac{QU}{2}$
$\bullet$电场的能量体密度：电场中单位体积的能量$w_e=\frac{W_e}{V}=\frac{1}{2}\varepsilon E^2$