Intel TE28F320C3BA100 Flash读写函数的实现

JX44B0-1B教学实验板上用的是一块48引脚TSOP封装的Intel TE28F320C3BA100的Flash存储器，2M×16bit，Flash地址范围从0x00000000~0x003FFFFF共4MB，其扇区划分是sector00~07为8KB，sector08~70为64KB，8KB×8＋64KB×63/1024=4MB，在Intel的数据手册上该Flash的容量用32-Mbit来描述。

这块Flash的特点在于所谓的3 Volt Advanced+ Boot Block，具有不对称的扇区划分（asymmetrically blocked）结构，Flash内部存在两种类型的block——8KB大小的parameter blocks和64KB大小的main blocks，因此也衍生出两种memory map——Top Boot Block（parameter blocks映射到高地址）和Bottom Boot Block（parameter blocks映射到低地址）。TE28F320C3BA100即属于Bottom Boot Block，由字母B指示。

Flash可以使用2.7V~3.6V的电压（Vpp）对其进行在系统（in-system）的读、擦除和编程，因为它的总线周期完全符合标准的微控制器的总线周期（All bus cycles to or from the flash memory conform to standard microcontroller bus cycles）。工作温度范围在-40~+85之间。

还值得一提的是该Flash灵活的存储块锁定（Flexi