单片机
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这个作者很懒,什么都没留下…
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飞思卡尔_第四章_存储保护单元
第四章存储保护单元(MPU)4.1 简介存储保护模块为非法(非预期的)存取存储映像资源提供必需的基本的保护功能。多地址范围比较器拿置于存储保护单元模块(MPU)里面的八个内存保护描述符与内存存取进行比较,以确定每次存取是否合法。这种比较对总线主控制器的存取和存取的类型很敏感。存储保护单元模块(MPU)可以用来很容易的被不同的总线主控制器隔离内存范围。也能被操作系统或者软件内核合法的隔离翻译 2012-12-21 09:35:49 · 2283 阅读 · 0 评论 -
调试STM32 串口时的 诡异现象
最近在调试STM32F103VCT6的程序 ,先调串口,程序是从正点原子的例程修改过来的,,现在有点事,晚上回家在写原创 2013-12-31 22:14:56 · 4334 阅读 · 0 评论 -
RCC时钟设置和SYSTICK的疑问
最近在调试RCC时钟设置和SYSTICK的疑问,首先通过SYSTICK设置10ms一次的中断,使用这样的方式设置延时函数,这样是可以做到很精确的延时的,我的主函数代码如下:这样运行结果是想要的,每一秒PB8电平翻转一次,OK.但是当我想加入其它的时钟初始化时,比如系统里的各种时钟模块的初始化, 各种时钟模块的时钟开启后, 就影响了上面那个精确延时的运行, 是的上面的程序不是原创 2014-01-12 14:22:35 · 2123 阅读 · 2 评论 -
MDK 编译文件大小说明(Program Size)(转)
ARM编译中的RO、RW和ZI DATA区段2008-12-17 14:58ARM程序(指在ARM系统中正在执行的程序,而非保存在ROM中的bin文件)的组成一个ARM程序包含3部分:RO段,RW段和ZI段RO是程序中的指令和常量RW是程序中的已初始化变量ZI是程序中的未初始化的变量由以上3点说明可以理解为:RO就是readonly,RW就是read转载 2013-10-18 14:49:41 · 1929 阅读 · 0 评论 -
关于codewarrior调试出现illegal BP的问题解决过程(转载)
昨天两位工程师调试同时出现这个问题,网上对于illegal BP的解决方法讲解的很模糊,没有一个具体的指导方针。我试着阐述我们问题的解决过程,希望对大家解决类似情况可以起到抛砖引玉的作用。 两位工程师同时出现该问题,但由于负责不同的功能,并且互相独立,可以判断是不同的问题引起的。 通过单步运行(step over),工程师J发现当进入某个子函数时,对某个指针指向的变量清零时出错转载 2012-12-21 09:54:29 · 4860 阅读 · 1 评论 -
STM32F10x芯片GPIO/AFIO端口配置总结
STM32F10x芯片GPIO/AFIO端口配置总结 以下是STM32F10x芯片GPIO/AFIO端口配置详细介绍,欢迎大家查阅,如有问题,可联系我:1、介绍STM32F10x芯片的GPIO/AFIO配置主要包括以下几方面知识:在时钟控制模块中配置好相应总线时钟,并在总线上使能对应的GPIO口(AFIO口,需要的话)时钟后:根据需求配置相应GPIO端转载 2012-12-21 10:16:36 · 2805 阅读 · 0 评论 -
PIC以太网开发板——基于微芯最新ENC28J60以太网控制器
PIC以太网开发板——基于微芯最新ENC28J60以太网控制器 PIC以太网开发板——基于微芯最新ENC28J60以太网控制器导航栏ENC28J60芯片介绍ENC28J60编程要点硬件资源说明软件使用说明MicroChip TCP/IP协议栈第转载 2012-12-21 10:05:24 · 1815 阅读 · 0 评论 -
MC9S12XEP100RMV10打印_第九章_安全加密
第九章安全9.1 引言这份说明描述了S12XE芯片系列的安全机构的功能作用(9SEC).注意:没有安全功能是绝对的安全。然而不管怎样,飞思卡尔的策略是使对于未授权的用户很难读和复制Flash和或EEPROM。9.1.1 特征用户必须知道安全部分必须跟应用程序代码放在在一起。一个极端的例子是转储内部存储中的内容的应用程序代码,这会破坏安全的目的。同时,用户也翻译 2012-12-21 09:33:24 · 1802 阅读 · 0 评论 -
飞思卡尔_第三章_存储器映像控制模块
第三章 存储器映像控制模块3.1 简介这部分叙述了飞思卡尔S12X平台的存储器映像控制子模块的功能,存储器映像控制模块的结构方框图如图3-1. 存储器映像控制模块控制多主存取的优先级,内部资源和外部空间的选择。内部总线,包括内部存储器和外围设备,都受存储器映像控制模块的控制。每一个局部地址空间都可转化成全局地址空间。 3.1.1 专业术语逻辑“1”翻译 2012-12-21 09:39:52 · 2180 阅读 · 0 评论 -
NOR型flash与NAND型flash的区别
) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节,原创 2015-03-16 23:36:42 · 667 阅读 · 0 评论