电子技术
shendeguang
这个作者很懒,什么都没留下…
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NMOS和PMOS
在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。 1.导通特性 NMOS转载 2014-02-20 21:26:34 · 825 阅读 · 0 评论 -
PMOS管学习应用
首先对自己的应用背景做一下说明,我做的一套系统中电源供电部分需要两块电池切换供电,所以要做一个电子开关,这个开关的耗电要尽量低。一般用到的电子开关可以选择三极管,但是三极管的压降和漏电流是系统所不能接受的。所以就要用到MOS管,其导通压降较小,一般在豪伏级别,导通电阻在百毫欧级别(例如117毫欧),这样开关在开启后压降不会太大,关闭时漏电不会太大,满足应用。 模电学的不是很好,MOS转载 2014-02-20 21:29:57 · 11612 阅读 · 5 评论 -
pn结工作原理
pn结工作原理 1.2.1 PN结的形成 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体1.2.1 PN结的形成 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ↓ 多子转载 2014-02-22 09:35:19 · 23545 阅读 · 0 评论 -
V-MOS管应用简介
【转自无线电张军文】——稍有编辑 一般场效应管虽然输入阻抗较高,但输出端带负载的能力很低;一般大功率晶体管虽然能输出较大的功率,但由于输入阻抗较低,输入端需有较大的推动电流才能工作,因此还要设较复杂的推动级。本文向读者推荐的这种VMOS管是一种功率场效应管,兼有上述两种管子的优点,在设计线路时,可使线路大为简化。另外这种管子还有许多其它独特的优点。这是近年(指80年代)来才发展起来的一种转载 2014-02-22 09:49:13 · 3296 阅读 · 0 评论 -
什么是VMOS功率场效应管,工作原理是什么
VMOS功率场管的外形和内部结构示意图如图1所示,图1(b)为P沟道VMOS管栅极做成V形槽状,使得栅极表面和氧化膜表面的面积较大,有利于大电流控制,栅极仍然与漏、源极是绝缘的,因此VMOS管也是绝缘栅场效应管。漏极D从芯片上引出。与MOS管比较,—是源极与两极的面积大,二是垂直导电(Mos管是沿表面水平导电),二者决定了VMOS管的漏极电流ID比MOS管大。电流ID的流向为:从重掺杂M+型区源极转载 2014-02-22 08:59:39 · 9635 阅读 · 0 评论