三星开发出具有更高传输速度的移动DRAM

      三星宣布研发出具有wide I/O interface（宽接口）的1GB移动DRAM，其采用50纳米级加工技术。新的wide I/O interface移动DRAM将广泛适用于移动设备，如智能手机，平板电脑等。

 

 

 

 

     “继去年开发4Gb LPDDR2 DRAM（低功耗DDR2动态随机存储器）之后，我们新的wide I / O interface移动DRAM解决方案的开发，对于高性能移动产品的进步是一个重要的贡献，”三星电子内存产品规划及应用工程高级副总裁Byungse So说：“我们将继续积极拓展高性能移动存储产品线，进一步推动移动产业的增长。”

 

       全新的1GB wide I/O移动DRAM每秒可传输12.8 GB数据，这相当于移动DDR DRAM（1.6GB/ S）带宽的8倍，同时却减少了约87％的功耗。新达到的传输速度也四倍于LPDDR2 DRAM（约3.2GB/ s）。

 

      为了提高数据传输，三星wide I / O DRAM使用512个引脚来实现数据输入和输出，相比而言，上一代的移动DRAM最多采用了32个引脚。如果计算上用于发送命令以及调节电源供应的其他引脚，单个三星wide I/ O DRAM共包含约1200个引脚。随着这款wide I / O DRAM的推出，三星计划在2013年提供20纳米级4GB的wide I/O 移动 DRAM。三星公司在移动DRAM领域最近取得的成就包括2009年首个50纳米级的1Gb LPDDR2 DRAM和2010年第一个40纳米级2GB LPDDR2。