载流子漂移 扩散解说

原创 2012年03月26日 08:10:15
根据我的理解,漂移是指在电场作用下的运动,扩散是指在浓度差驱使下的运动。在PN结中,P区由于富含空穴,N区富含电子,电子向P区扩散,于是在PN结P处累积了N区扩散来的电子,而N区因电子转移到P区变成空穴剩余。在结处,从N区转移到P区的电子和N区剩余的空穴构建了一个内建电场,当N区向P区扩散的电子数目达到一定程度的时候,内建电场的强度刚好增长到不能使更多的电子扩散到P区,于是在PN结处形成一个动态平衡的过程,P/N区各自的电荷净量维持一个相对稳定的数目。你说的变宽和变窄不是P/N结,而应该指的是内建电场的厚度。当外加正向偏压得时候,电子从N区注入,会中和一部分PN结处累积的空穴,因此PN结处构成内建电场的电荷变少,内建电场变弱,变窄,但由于N区由于掺杂而生成的电子和P区掺杂生成的空穴数目不变,所以内建电场的变弱会使原来的动态平衡打破,N区的电子继续向P区扩散来维持内建电场的平衡,他们的扩散产生扩散电流,效果是使内建电场变宽,重新达到平衡,但外加电场仍然不断中和N区的空穴,因此器件内形成持续的电流,这就是二极管正向导通的原理。 当施加反响偏压得时候,电子从P区注入,构成内建电场的电荷数增多,电场变宽,场强增加,使得电子更不容易从N区扩散到P区,于是器件内无电流通过,这也是二极管反向隔断电流的原理。
 
半导体中载流子导电的运动方式主要有扩散和漂移两种。 扩散运动是由载流子的浓度差引起的,浓度高处的载流子总是要向浓度低处扩散运动。而电流密度的大小等于单位时间内,通过垂直于电荷运动方向的单位面积的正电荷数,进而可得出电流密度及单位时间内通过单位面积的空穴数量 除扩散运动外,电子和空穴在电场E的作用下,要发生漂移运动。电子逆场强方向运动,空穴则顺场强方向而运动。
 
 
在P区多数载流子是空穴,同时有少数载流子(就是电子)存在。N区情形相反。在外电场作用下,多子将向PN结移动,结果使空间电荷区变窄,内电场被削弱,有利于多子的扩散而不利于少子的漂移,扩散运动起主要作用。结果,P区的多子空穴将源源不断的流向N区,而N区的多子自由电子亦不断流向P区,这两股载流子的流动就形成了PN结的正向电流。 多数载流子移动时扩散,少数载流子移动时漂移。 半导体加上电场,作为载流子的正空穴和自由电子就会受到电场的作用力,于是空穴就会顺着电场的方向移动,自由电子则朝电场的反向移动,从而出现电流。此电流被称为漂移电流。 半导体中载流子的多少常用浓度来衡量,而且载流子会从浓度高的部位向浓度低的部位扩散。正空穴会从浓度高的部位向浓度低的部位扩散,这就像水中滴人一滴墨水,然后墨水会在水中慢慢地扩散。半导体中的这种载流子的扩散移动被称为扩散电流。

相关文章推荐

视频跟踪之均值漂移算法的实现

meanshift(均值漂移算法)实际上是一种基于梯度的搜索算法,先看看meanshift简单的推导:给定d维空间Rd中的几个样本点,任选一点x0,,(n维) meanshift向量的基本形式定义为:...

零漂移运算放大器

  • 2014年08月09日 09:30
  • 748KB
  • 下载

均值漂移算法的研究与应用

  • 2014年09月09日 15:42
  • 794KB
  • 下载

均值漂移

均值漂移(Meanshift)算法理解 1.均值漂移的基本概念:沿着密度上升方向寻找聚簇点 设想在一个有N个样本点的特征空间 初始确定一个中心点center,计算在设置的半径为D的圆形空...

OpenCV的均值漂移进行目标跟踪

  • 2015年08月11日 16:09
  • 805KB
  • 下载

基于均值漂移法的目标跟踪

  • 2017年02月14日 10:54
  • 6.76MB
  • 下载

Android tv 动画效果faq (放大动画 与ScrollView滚动照成 页面漂移交错)

最近在捣腾android tv上的动画,之所以说是Android tv 上的动画是因为 Android 盒子的性能普遍会比手机差几个档次。价格也是差了n倍数。所以一些手机上不会出现的问题在盒子上就容易...
  • lckj686
  • lckj686
  • 2015年10月28日 00:13
  • 1198
内容举报
返回顶部
收藏助手
不良信息举报
您举报文章:载流子漂移 扩散解说
举报原因:
原因补充:

(最多只允许输入30个字)