NAND简介

NAND is the abbreviation of "Nagtive AND",In digital electronics, a NAND gate (chinese name is 与非门) is a logic gate which produces an output which is false only if all its inputs are true.See more visit wiki https://en.wikipedia.org/wiki/NAND_gate.


NAND与非门是数字电路中非常重要的一个门电路,因为所有逻辑功能都能使用与非门搭建出来,使用摩根定律可以进行逻辑算式的转换,可以将所有逻辑表达式转成与非门电路。


NAND ANSI Labelled.svgNAND IEC.svgNAND DIN.svg

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引用中提到,NAND闪存的存储结构和操作方式可以从NAND的datasheet中了解到。每种NAND的datasheet都会介绍NAND的组成结构和操作命令。大多数NAND的datasheet在这方面都相似,只是容量大小和读写速度等基本特性有所不同。而引用中提到,NAND闪存相比于NOR闪存有更高的寿命(耐用性)。NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR闪存的擦写次数是十万次。此外,NAND闪存的块尺寸比NOR器件小8倍,因此每个NAND存储器块在给定时间内的删除次数要少一些。同时,NAND闪存也存在位交换的问题,即某些情况下一个比特位可能会发生反转或被报告反转了。位反转的问题更多见于NAND闪存,因此使用NAND闪存时,建议同时使用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法来保证可靠性。另外,NAND闪存中的坏块是随机分布的,因此在使用NAND器件时需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将其标记为不可用。与NOR闪存相比,NAND闪存的使用更为复杂,因为需要进行虚拟映射以避免写入坏块。 根据上述引用内容,NAND interleave是指在NAND闪存中进行读写操作时的交叉方式。由于NAND闪存的存储结构和操作方式可以从各种NAND的datasheet中得到,因此具体的NAND interleave方式可能因厂家而异。在实际开发NAND驱动时,需要了解MTD NAND Driver Programming Interface,这可以让我们对MTD有一个直观而又相对具体的认识。但是该文档似乎主要针对NOR闪存,对实际开发NAND驱动的帮助并不是很大。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span> #### 引用[.reference_title] - *1* *2* *3* [NandFlash驱动移植基础知识](https://blog.csdn.net/qq_41882586/article/details/123375973)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 100%"] [ .reference_list ]

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