前段时间回顾了二极管、三极管、场效应管的原理及特性,今天突发兴致想总结下它们的结构及原理!由于细细写来信息量还是挺大,所以主要是对管子的特性进行了分析以及他们的横向对比。;-)
一、半导体二极管
定义:奖PN结用外壳封装起来,并加上电机引线就构成了半导体二极管。
常见的二极管类型如图(1)
图(1)
普通二极管,主要是利用它正向导通,反向截止的特性(单向导电性)。伏安特性曲线见图(2)
图(2)
对应的公式:
稳压二极管,利用了二极管在反向击穿的情况下,电流在一定变化范围内,电压基本不变的特性。见图(3)
图(3)
光电二极管,利用在反向电压一定时,反向电流随照度的增大而增大。这种特性广泛用于遥控、报警及光电传感器。伏安特性曲线见图(4)
图(4)
变容二极管:利用PN结势垒电容制成。用于电子调幅、调频、调相、滤波电路中。
隧道二极管:利用高掺杂的PN结隧道效应制成。用于振荡、过载保护、脉冲电路中。
肖特基二级管:利用金属和半导体之间的接触势垒制成。因正向导通电压小、结电容小用于微波混频、检测、集成数字化电路。
二、三极管(BJT--BopolarJunction Transistor)
定义:根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结。
图(5)是不同功率三极管的外形。
图(5)
三极管根据掺杂方式可分为NPN和PNP两种。见图(6)
图(6)
电流方向:对于NPN型,b集c集流进三极管,e集流出三极管。
对于PNP型,b集c集流出三极管,e集流入三极管。
电流大小关系:两种类型都是Ie = Ib + Ic。
直流:Ic = β Ib
交流:ΔIc =β ΔIb (Uce为常数)
处于放大状态电位关系:对于NPN型,Uc > Ub > Ue
对于PNP型,Uc < Ub < Ue
处于饱和状态或临界饱和状态电位关系: 对于NPN型,Ub >= Uc > Ue
对于PNP型, Ub < Uc =< Ue
NPN基本共射放大电路。见图(7)
PNP基本共射放大电路图(7)中电压极性相反。
图(7)
NPN晶体管的共射输入特性曲线。见图(8)
图(8)
NPN晶体管的共射输出特性曲线。见图(9)
图(9)
对于NPN型和PNP型三极管截止区、放大区、饱和区的判断。
截止区:发射结电压小于开启电压Uon且集电结反偏。
放大区:发射结正偏,集电结反偏。
饱和区:发射结和集电结都正偏。当Uce = Ube 时,可认为处于临界饱和状态。对于饱和的理解有两个方面:一、Ic可以通过的最大电流。
二、在特定的Uce下,Ic的最大电流。
我用multisim12.0直流扫描的方法(DC sweep)查看其电压传输特性和截止区、放大区、饱和区的具体位置。具体分析见图(11)仿真电路见图(10)
图(10)
图(11)
图(12)集电极电流
图(13)基极的电流
通过对比图(12)和图(13)可以发现:
三极管工作在截止区时,基极与集电极均没有电流。
三极管工作在发大区时,Ic随Ib线性增大。
三极管工作在饱和区时,Ic不随Ib的增大而增大。
至此三极管的基本特性就分析完了。此外在使用三极管时要注意一些参数,如最大集电极耗散功率、最大集电极电流、极间反向击穿电压。
(tips:β,Ib会随温度升高变大。)
利用三极管的特性,可以制作光电三极管、晶闸管。
光电三极管可看做一个光电二极管和一个晶体管构成。见图(14)利用光电管的暗电流提供三极管的基极电流。
图(14)
晶闸管可看做由一个NPN和PNP管子组成,等效电路和符号见图(15)
图(15)
基本原理为,G为控制端,当G注入一定电流,AC端加上一定电压,两只管子可形成正反馈放大电路,管子导通。其伏安特性曲线见图(16)由此可看出晶闸管多用于可控整流、逆变、调压电路。
图(16)
三、场效应管(FET—Field Effect Transistor)
场效应管可分为结型场效应管(JFET—Junction Field EffectTransistor)和绝缘栅型场效应管(MOS—Mental-Oxide-Semiconductor)。他们都分为N沟道和P沟道两类类。绝缘栅型还可细分为增强型和耗尽型。
两种管子的原理大致可以这么解释。
对于结型场效应管拿N沟道来解释。当三极都不加电压时见图(17a),ds极可以通过N沟道导电。当控制三极电压时见图(17b),会改变图中的耗尽层厚度,阻碍电流的导通。耗尽层的不同分布可以产生对应的特殊性质。
图(17)
对于绝缘栅型场效应管拿N沟道增强型来解释。当三极未加电压时见图(18a),ds之间是不可以导电的,当三极加上电压会形成反型层,可以导电。见图(18b)反型层的不同分布可以产生对应的特殊性质。耗尽型只是在二氧化硅层中加入大量正离子,在未加电压时就可以有反型层。
图(18)
各种场效应管的电流方向见图(19)
图(19)
Id有电流时电位关系:
结型场效应管N沟道:
Ud > Us > Ug,当Ugs(off) < Ugs < 0, Ugd > Ugs(off),d-s之间表现电阻特性。
当Ugs(off) < Ugs < 0, Ugd < Ugs(off),d-s之间表现无电阻特性。Id受Ugs控制。
结型场效应管P沟道:
Ud <Us < Ug,当Ugs(off) > Ugs > 0, Ugd <= Ugs(off),d-s之间表现电阻特性。
当Ugs(off) > Ugs > 0, Ugd > Ugs(off),d-s之间表现无电阻特性。Id受Ugs控制。
绝缘栅型场效应N沟道增强型:
Ug >Us, Ud > Us,当Ugs >Ugs(th) > 0,Uds <= Ugs – Ugs(th), d-s之间表现电阻特性。
当Ugs >Ugs(th) > 0,Uds > Ugs – Ugs(th), d-s之间表现无电阻特性。Id受Ugs控制
绝缘栅型场效应P沟道增强型:
Ug <Us, Ud < Us,当Ugs <Ugs(th) < 0,Uds >= Ugs – Ugs(th), d-s之间表现电阻特性。
当Ugs <Ugs(th) < 0,Uds < Ugs – Ugs(th), d-s之间表现无电阻特性。Id受Ugs控制
绝缘栅型场效应N沟道耗尽型:
Ugs > Ugs(off) < 0,因二氧化硅掺杂正离子浓度的缘故,对于特定的管子会有一电压值V,使得Uds <= V,d-s之间表现电阻特性。
Ugs > Ugs(off) < 0,因二氧化硅掺杂正离子浓度的缘故,对于特定的管子会有一电压值V,使得Uds > V,d-s之间表现无电阻特性。Id受Ugs控制。
绝缘栅型场效应P沟道耗尽型:
Ugs < Ugs(off) > 0,因二氧化硅掺杂正离子浓度的缘故,对于特定的管子会有一电压值V,使得Uds >= V,d-s之间表现电阻特性。
Ugs < Ugs(off) > 0,因二氧化硅掺杂正离子浓度的缘故,对于特定的管子会有一电压值V,使得Uds < V,d-s之间表现无电阻特性。Id受Ugs控制。
(tips:P沟道是N沟道相反的情况)
各种场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线见图(20)。
图(20)
最后和三极管类似:在使用的过程中,要注意最大漏极电流、最大击穿电压、最大耗散功率。
晶体管和场效应管对比:
1.场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。
2.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
3. 三极管输入阻抗小,场效应管输入阻抗大。
4.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。
5. 驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。