浅显易懂地看LLC变换器(二)

 

第 

谐振软开关

 

什么是软开关

如下图所示,普通拓扑的开关管都是硬开关,在导通和关断时MOS管的漏源极电压VDS和电流IDS会产生交叠,电压与电流交叠的区域,即为MOS管的导通损耗和关断损耗。

 

为了降低开关管的开关损耗,提高电源的效率,有零电压开关(ZVS)零电流开关(ZCS)两种软开关办法。


零电压开关(ZVS)

使开关开通前其两端电压为零,也成为零电压开通。

 


零电流开关(ZCS)

使电流关断前其电流为零,也称为零电流关断。

 

由于开关损耗与流过开关管的电流和开关管上的电压的乘积(V*I)有关,当采用ZVS零电压导通时,开关管上的电压几乎为零,所以导通损耗非常低。

 

LLC正是实现了ZVS零电压开关。

 

LLC如何实现软开关

要实现零电压开关,开关管的电流必须滞后于电压,使谐振槽路工作在感性状态。


LLC开关管在导通前,电流先从开关MOS管的体二极管(S到D)内流过,开关MOS管D-S之间电压被箝位在接近0V(二极管压降),此时让开关MOS管导通,可以实现零电压导通。

 

MOS管VDS电压和电流波形如下图所示,可以看出,在MOS开通(VDS降为0)时刻,MOS管电流为负值(中间图蓝色部分),说明电流反向流经MOS体二极管,开关MOS管D-S之间电压被箝位在接近0V附近,此时MOS导通即可实现零电压开通。

 

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### 回答1: 一阶线性齐次常系数的微分方程的形式是这样的: dy/dx + p(x) * y = q(x) 这个方程的解可以使用常用的积分因式法来求得。 首先, 我们将方程化为这种形式: dy/y = (q(x) - p(x) * y) dx 然后我们可以将左边积分一下: ln|y| = ∫ (q(x) - p(x) * y) dx + C 在将右边积分: ln|y| = ∫ q(x) dx - ∫ p(x) * y dx + C 我们再将积分移到左边: ln|y| - ∫ p(x) * y dx = ∫ q(x) dx + C 最后, 我们可以使用积分因式将这个方程变形成这样: y = C * exp(∫ p(x) dx) 这样, 我们就可以使用∫ p(x) dx来求解这个方程了。 ### 回答2: 一阶线性齐次常系数的微分方程可以写成形式: dy/dx + p(x)y = 0 其中,dy/dx表示y对x的导数,p(x)是一个给定的函数。要求解该微分方程,可以采用分离变量的方法。 首先,将方程写成dy/y = -p(x)dx的形式。然后,对方程两边同时进行积分。 ∫(1/y)dy = -∫p(x)dx 对左边积分得到ln|y| + C1 (其中C1是常数),右边积分得到-∫p(x)dx。 整理后得到 ln|y| = -∫p(x)dx + C1 接着,我们可以通过去指数化简方程。将上述方程两边同时取指数得到|y| = e^(-∫p(x)dx + C1)。 再进一步化简,我们知道指数函数的性质e^(a+b) = e^a * e^b,因此可以写成 |y| = e^C1 * e^(-∫p(x)dx)。 再次化简,e^C1为常数,记作±C2。因此可得到常数C2与|y|的关系式为 |y| = C2 * e^(-∫p(x)dx)。 最后,我们可以确定常数C2的正负号。如果|y| = 0,那么此时y = 0,因此常数C2可以取为0。如果|y| ≠ 0,那么常数C2取任意非零值。 综上所述,一阶线性齐次常系数的微分方程的解为 y = C2 * e^(-∫p(x)dx),其中C2为常数,可以为0或任意非零值。 ### 回答3: 一阶线性齐次常系数的微分方程可以写成形如dy/dx + p(x)y = 0的方程。其中p(x)是已知函数,y是未知函数。 首先,我们可以根据方程的形式,将其转化为可以分离变量的形式。将dy/dx = -p(x)y,移项得 dy/y = -p(x)dx。 然后,我们对方程两边同时进行积分。对左边的dy/y进行积分得到ln|y|,对右边的-p(x)dx进行积分得到∫-p(x)dx。 接下来,我们引入常数C,表示积分上的任意常数。将上面的积分结果代入方程中,得到ln|y| = ∫-p(x)dx + C。 最后,我们将方程中的绝对值去掉,得到y = Ce^(-∫p(x)dx)。 至此,我们得到了一阶线性齐次常系数微分方程的一般解。其中C为任意常数,e为自然对数的底数。要得到特定的解,需要根据具体的初始条件或边界条件确定C的值。 总结起来,求解一阶线性齐次常系数的微分方程的方法是:将方程转化为可以分离变量的形式,对方程进行积分,引入任意常数C,然后去掉绝对值,得到一般解。最后根据具体条件确定常数C的值,得到特定的解。

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