FB_LLC 死区时间计算（保证ZVS）

这是FB_LLC。HB_LLC只是少了两个Ceq，但是N* Vo=0.5* Vin。两者最后推出的公式是一样的，下面就以FB_LLC说明。

首先必须要满足感性条件，其次再计算死区时间是否满足ZVS。

LLC需要足够的死区时间，在死区时间内，谐振电感Lr中存储的能量必须大于存储在MOS的Ceq中的能量，只有这样才能将Ceq中的能量释放完毕，完成ZVS。Ceq与Vds有很大关系。

实现ZVS，可以推出两个必要条件，如下所示：

根据文章后面的拓扑和波形分析。以前半个周期为例，推导式（1）和式（2）。

式（1）很好推导，在图2-5d中，死区时间的电流为C2、C3放电，同时为C1、C4充电，所以可以得到式（1）。

式（2）中，由于Lm远远大于Lr，所以在死区时间内，可以认为谐振电流几乎保持不变，是个定值。

Figure1是拓扑，Figure2是工作波形图，图2-5c是t1-t2时间段的工作电路，图2-5d是t2-t3时间段的工作电路。

Figure1：FB_LLC拓扑

Figure2：LLC工作波形图

文献：

上升时间和下降时间及上升和下降延迟的定义：

如何正确计算并最大限度减小IGBT的死区时间？ - 知乎在现代工业中，采用IGBT器件的电压源逆变器应用越来越多。为了保证可靠的运行，应当避免桥臂直通。桥臂直通将产生不必要的额外损耗，甚至引起发热失控，结果可能导致器件和整个逆变器被损坏。 下图画出了IGBT一个…https://zhuanlan.zhihu.com/p/52584690