SRAM和DRAM区别

原创 2012年03月24日 22:49:22

存储器按生产工艺分:静态存储器与动态存储器静态存储器(SRAM):读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器(DRAM):读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。

静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表:

静态和动态存储器芯片特性比较

                                SRAM               DRAM

存储信息               触发器                电容

破坏性读出           非                        是

需要刷新              不要                     需要

送行列地址          同时送                分两次送

运行速度              快                        慢

集成度                  低                        高

发热量                  大                        小

存储成本              高                       低

动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作

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