6T-sram存储单元原理分析

6T指的是其由6个mosfet构成。

M1-M4是存储单元，而M5-M6用于门控访问。

可以看出M1-M2 和 M3-M4是一个对称的结构，这是两个反相门的循环链接，由两个反相门循环相连的存储单元存在两种稳定状态，0和1。

使用WL来控制存储单元的门控访问，BL来进行存储单元的读写。
读：拉高WL，从BL中读出位即可
写：拉高WL，拉高或者拉低BL，由于BL的驱动能力比存储单元强，会强制覆盖原来的状态。