LPC1768 Flash 存储器加速模块

ARM中的Flash和Ram

程序下载到flash和ram中有什么区别？各用在什么场合？是否只有调试程序的初期才将程序下载到ram中？

Flash的速度较慢，比如－50的Flash，读取只能达20M的速度，而ARM核可以工作在几百M，甚至更高。那么ARM芯片的CPU执行完一条指令就要等下一条指令读取出来，而不能马上执行下一条。这样因Flash慢而CPU快就造成资源的浪费和系统速度下降。为了解决该矛盾，有厂家采用Flash 中只存储程序（相当于电脑的硬盘），将程序读取到RAM中去执行（类似电脑的内存），那么CPU的速度就能发挥出来。

      51是8位机，更重要的是51的主频不高，8位的ROM或Flash足够匹配51的主频，不用插入等待指令，所以程序直接在ROM或Flash中跑影响不到系统的速度。而ARM就不同了，ARM是32位机，但是Flash一般是8位或16位，32位的也有吧，好像价格很高。而且ARM的制品很高，动辄上百M，所以Flash的工艺达不到这个速度。如果程序跑在Flash中就要插入过多的等待指令，所以会影响ARM的性能。而RAM一般存取速度比较快，很容易构成32位，可以与高速的ARM匹配

   而lpc1768没有外部总线，不能接外部程序存储器。所以只能使用片内的Flash存储程序。也不能接外部RAM来运行程序。于是采用了一个比较特殊的方法来解决这个速度矛盾。就是在内部Flash和内部总线之间加了存储加速模块，有128位数据宽度，一次可以从Flash中读取4条指令（注意是4条而不是1条），另外再加上预测分支等功能，使得CPU全速运行时，从Flash 中读取的程序能源源不断地输送进CPU，无需等待。只是在有分支（如调用，跳转）时需要清空流水线造成临时性速度稍微下降。我们知道，程序中绝大部分是顺序执行的指令。
所以nxp的LPC1768系列不需要调到RAM中运行。

arm的话在分散装载配置文件里会有配置，关于code的地址，有两个设置，一个是存储地址（这个地址配置的是烧写器把代码段写到flashrom的何处），一个是装载运行地址，也就是你程序在什么地方运行，装载地址当然可以是flashrom（nor型的），所以你的程序是可以在flashrom里执行的。
当然如果系统时钟非常高，flashrom的读取速度不能满足，又或者你需要更新固件程序的话，那么你的程序就要在ram里运行.

 LPC1768 增加了一个专用的Flash 存储器加速模块，使得在Flash 中运行代码能够达到较理想的性能