Flash 兼容（Combo）的实现及现状

内容

[KEYWORDS]

Flash Combo；eMMC Combo；Flash兼容

[DESCRIPTION]

    Flash combo可以简单分为两个部分，一个是DRAM的combo，同一份load中兼容若干颗ID/Type/Size不同的Flash，在开机过程preloader阶段，正确识别主板上使用的Flash，进行EMI时序的配置；另一种是ROM的combo，根据ROM类型，可以分为eMMC和nand，对于eMMC，因为其自带controller，且具有相对固定的分区格式：Boot1、Boot2、RPMB和User region，combo的目的是将同一份load正确下载到不同分区情况的eMMC上；nand flash上没有controller，需要正确的时序进行初始化，且不同page size的nand flash，其存储方式不同，combo的目的是同一份load可以实现不同page size上的正确存取。

 

[SOLUTION]

1)   DRAM Combo

        因为EMI controller设计的原因，不同平台上的处理方式不同，目前71/72平台上DRAM的兼容情况及实现请参考FAQ11403 如何在MT6571/MT6572平台上兼容MCP，注意：FlashTool 版本需要更新至 SP_Flash_Tool_v5.1349.05。

    其它平台（如82/89/92等）上的DRAM 兼容分为两种情况：MCP和Discrete Dram，有如下限制条件：

A.    MCP类型的Flash 兼容，Flash ID必须各不相同；

B.     Discrete Flash和MCP Flash的兼容，要求Vendor ID（MemoryDeviceList_MTxxxx.xls中的MODE_REG5）各不相同，并且所有兼容的DRAM的类型（LPDDR2/LPDDR3）必须相同，如果有PCDDR3类型的DRAM，也不可以进行兼容；

C.     Discrete Flash和MCP Flash的兼容，Discrete eMMC的Flash ID不能和MCP中的Flash ID相同。

        注意：Discrete Dram的配置方式是在custom_MemoryDevice.h中配置DRAM的part number，软件中没有配置Discrete eMMC，但是Discrete eMMC的选用还是要参考Memory_Validation_List_External_Wxxxx.xlsx中Discrete eMMC页中的Flash，因为eMMC中有controller，其中有Firmware，只有选用xlsx中验证过的Flash才能保证系统正常工作。 

2)   ROM Combo

         对于nand flash上2KB/4KB page size的兼容，请参考FAQ07801 NAND Flash 2K和4K兼容。

         在解释eMMC flash上的combo之前，先简单介绍一下eMMC Flash的架构，eMMC flash上有如下几个分区：Boot1、Boot2、RPMB和User Region，前三个分区通常称为：Special Region。

           Linux操作系统在启动过程，规定是从User Region中获取MBR image的内容，所以MBR及其它的image都必须存储在User Region中，preloader image存储在boot1中，如下图所示：

 

 

         因为不同的eMMC flash，Boot1、Boot2及RPMB 分区的size可能会有所不同，为了满足MBR必须存储在User Region中的要求，MT6592之前的平台的做法是取所有兼容的eMMC上最大的Special region做为MBR分区的起始地址，比如兼容了三颗Flash，MBR的存储位置如下图所示：

 

Boot1、Boot2及RPMB的值可以查看文件MemoryDeviceList_MTxxxx.xls中的emmc_region页，同一part number的Flash，其Boot1、Boot2及RPMB的值是固定的；但是对于Discrete eMMC的兼容，custom_MemoryDevice.h中配置的part number仅表示DRAM的型号，所以无法从emmc_region中获取对应的Boot1、Boot2及RPMB，为了处理这种情况，在文件mbr_addr.pl（KK和L版本）和cust_part_mbr.c（L版本）中设定了一个MBR的默认值：$MBR_Start_Adress_KB，这个值需要通过使用Flashtool的memory test进行确认并修改，如下图：

 

最终在编译过程，Ptgen.pl中通过对比max(Boot1+Boot2+RPMB) 和 mbr_addr.pl的默认值，将较大的值做为MBR的起始地址，实现多个eMMC的兼容。但这种兼容方式有如下几点不足之处：

A.    因为选择最大的Boot1+Boot2+RPMB做为MBR的起始地址，对于部分Flash来说会造成空间浪费；

B.    MBR的地址可能不是User Region的0x0地址，会出现地址不对齐的现象，影响Flash操作的performance；

C.    对于已经出货的机器，如果后续采用的Flash的Boot1+Boot2+RPMB值变大，会导致整个系统partition layout的变化，这样会影响OTA升级。

    为了解决以上的不足，在MT6592平台及后面的新平台上，使用了新的兼容方式：使用物理地址(region, offset)，在下载的时候，DA读取Flash上Boot1和User Region的位置，分别将preloader下载到boot1的0x0位置；将MBR等其它image下载到User Region的0x0地址开始的位置，如下图所示：