mos管驱动电路最小门极电阻计算

在知乎看到一篇回答，对其中驱动电阻下限值计算的部分存疑，而后在名为《IGBT 以及 MOSFET 的驱动参数的计算方法》的应用指南 AN-1001 中找到了满意的答案。在该应用指南中由 Eq.6 得到了门极电流 $i(t)$ 不振荡的阻尼条件 Eq.7，并以此得出了电流波形不振荡的最小门极电阻的计算公式。然而，该应用指南并未讲述如何推导出 Eq.7，故写此文列出推导过程，如下：
由 Eq.6 可知串联 RLC 电路的特征方程为

$$s^2 + {R \over L} s + {1 \over LC} = 0$$
特征根为
$$s_{1,2} = -\alpha \pm \sqrt{\alpha^2 - \omega{^2_0}}$$
奈培频率为
$$\alpha = {R \over 2L}$$
谐振频率为
$$\omega_0 = {1 \over \sqrt {LC}}$$
为了保证门极电流 $i(t)$ 不振荡，则电流响应应为过阻尼，既有
$$\omega{^2_0} < \alpha^2$$
综上所述，可得
$$R > 2 \sqrt {L \over C}$$
至此，Eq.7 得证。

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