nor flash datasheet介绍

在分析uboot，里面有关于nor  flash的初始化。想了解一下nor flash的驱动方法。

以前只知道nor  flash可以像内存一样字节访问。并不太清楚他的擦除与写。

nor  flash的容量不是特别大，一般只划分为块，64KB。

一、设备总线操作：

设备总线操作，实施通过内部的命令寄存器，命令寄存器不占用内部的地址空间。命令寄存器会锁存一下数据与地址，命令寄存器作为内部状态机的输入，由状态机实施总线命令。

 

1、Word/ByteConfiguration

BYTE#管脚决定flash是以字节还是以字输入输出的。1：字节；0字

2、读数据，

命令保持CE#为低、OE#为低。WE为高。

内部的状态机自动进入读书状体，当自动上电、硬件复位后。在读数据的模式下，没有其他命令输入。

3、写命令与命令序列

命令：CE#为低、OE#为高、WR#为低

在Unclock Bypass模式下，可以加快写速度。需要两个周期写一个、而不是4个。

擦除：可以擦除一个块、多个块、正片擦除。

当写入自动选择命令序列时，设备进入自动选择模式。控制器能读取自动选择代码通过寄存器。

4、写与擦除操作状态

在擦除与写操作中，控制器能检测操作状态，通过读状态寄存器。

5、standby  mode

当CE#  RST#为高电平VCC+-0.3v，进入standbymode。耗电量很小

二命令操作：

1、读操作

读操作默认上电后进入，在擦除、写操作后，也会进入读操作。在自动选择模式与D5为高时，需要一步复位操作。进而进入读操作。

2、自动选择模式：可以读取flash的ID，厂商，设置读取块的保护。退出自动选择需要分为命令。

3、写操作，写操作只能讲1写成0

4、unlock  bypass  command。

在这种模式下，可以加快写速度。在这种模式下只有两个命令生效：写与退出这个模式

5、chip  erase

6、块擦除

7、擦除悬挂与恢复（这种情况一般很少采用，个人理解）

8、状态位：（引用http://blog.sina.com.cn/s/blog_7c0133430101d66p.html）翻译的不错

DQ7:Data# Polling bit,DQ7在编程时的状态变化.
    在编程过程中从正在编程的地址中读出的数据的DQ7为要写进数据的补码.比如写进的数据为0x0000,及输进的DQ7为'0',则在编程中读出的数据为'1';当编程完成时读出的数据又变回输进的数据即'0'.  在擦除过程中DQ7输出为'0';擦除完成后输出为'1';留意读取的地址必须是擦除范围内的地址.
RY/BY#:高电平表示'停当',低电平表示'忙'.
DQ6:轮转位1(Toggle Bit 1).
    在编程和擦除期间,读任意地址都会导致DQ6的轮转(0,1间相互变换)当操纵完成后,DQ6停止转换.
DQ2:轮转位2(Toggle Bit 2).当某个扇区被选中擦除时,读有效地址(地址都在擦除的扇区范围内)会导致DQ2的轮转.
    留意:DQ2只能判定一个特定的扇区是否被选中擦除.但不能区分这个快是否正在擦除中或者正处于擦除暂停状态.相比之下,DQ6可以区分NorFLASH是否处于擦除中或者擦除状态,但不能区分哪个快被选中擦除.因此需要这2个位来确定扇区和模式状态信息.
DQ5: 超时位(Exceeded Timing Limits),当编程或擦除操纵超过了一个特定内部脉冲计数是DQ5=1;这表明操纵失败.当编程时把'0'改为'1'就会导致DQ5=1,由于只有擦除擦做才能把'0'改为'1'.当错误发生后需要执行复位命令(见图1-1)才能返回到读数据状态.
DQ3: (扇区擦除计时位)Sector Erase Timer,只在扇区擦除指令时起作用.当擦除指令真正开始工作是DQ3=1,此时输进的命令(除擦除暂停命令外)都被忽略.DQ3=0,是可以添加附加的扇区用于多扇区擦除.