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原创 android的m、mm、mmm编译命令的使用
android的m、mm、mmm编译命令的使用android源码目录下的build/envsetup.sh文件,描述编译的命令- m: Makes from the top of the tree. - mm: Builds all of the modules in the current directory. - mmm: Builds
2011-12-26 01:09:39 75927 3
原创 防反接保护电路
防反接保护电路1,通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示:这种接法简单可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要达到:Pd=2A×0.7V=1.4W,这样效率低,发热量大,要加散热器。2,另外还
2011-12-23 03:31:47 48002 4
原创 增强型N沟道场效应管(MOSFET)的电池反接保护电路
功率场效应管(MOSFET)典型应用电路 1.电池反接保护电路 电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法,在电池接反时,PN结反接无电压降,但在正常工 作时有0.6~0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道场效应管(MOSFET)具有极小的管压降(RDS(ON)×ID),如Si9410DY的RDS(ON)约为0.04Ω,则
2011-12-23 02:14:45 15994 2
原创 P沟道mos管作为开关的条件(GS >GS(TH))
P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使m
2011-12-23 01:39:23 43709 1
转载 Android 的启动流程
Android 的启动流程 Android 根文件系统启动过程。在Android系统启动时,内核引导参数上一般都会设置“init=/init”, 这样的话,如果内核成功挂载了这个文件系统之后,首先运行的就是这个根目录下的init程序。init程序源码在Android官方源码的system/core/init中,main在init.c里。我们的分析就从main开始。ini
2011-12-09 02:14:24 2617
原创 init.rc 状态服务器相关语法分析
状态服务器相关:在init.c 的main函数中启动状态服务器。property_set_fd = start_property_service();状态读取函数:Property_service.c (system\core\init)const char* property_get(const char *name)Properties.c (system\core\l
2011-12-08 01:00:24 1861
翻译 bootloader在终端有显示,kernel没有的原因
bootloader在终端有显示,kernel没有的原因解决方法:device drivers ->character devices ->serial driver ->samsung S3C2410/40/42/12 serial portsupportsupport for console on S3C2410 serrial port
2011-12-08 00:26:41 986
原创 启动的shell时,指定该程序(shell 程序)属于root用户
如果要调试的时候信息打印到超级终端,添加console,像sh一样直接输出到console service console /system/bin/sh console我们的console交互程序shell -- /system/bin/sh处理来自console开发板的串口输入了,并且会将结果output输出到console开发板的串口上。如果在超级终端执行一些命令不成
2011-12-07 23:55:48 3395
jdk-1_5_0_19-linux-i586.bin for linux
2014-12-30
How to use CPU frequency scaling
2012-05-16
Easy CD-DA Extractor
2012-05-06
utraedit-32 16.20
2012-10-31
空空如也
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