NOR闪存制造商“从善”如流,纷入NAND战团

转载 2006年05月29日 14:19:00
要闻与趋势
 

欲打印此文章,从您的浏览器菜单中选择“文件”后再选“打印”。

NOR闪存制造商“从善”如流,纷入NAND战团
上网时间:2006年05月10日

在过去一年里,NOR闪存市场面临来自NAND的挑战越来越大,迫使NOR闪存供应商改变策略,采取“如果不能打败他们,干脆加入他们”的策略。

 

NOR闪存长期以来一直是手机所使用的主要内存类型,用于代码存储和其它用途。但最近它在手机市场面临来自NAND的竞争不断增强。功能丰富的新型手机对于NAND闪存的使用不断上升,将其用作数据存储媒介。

 

据市场调研公司iSuppli,2005年生产的手机中,约有9,000万部采用NAND闪存用于数据存储,在当年总体手机出货量中的比例略低于10%。该公司预计到2010年,将有6.5亿部手机使用NAND,占总体出货量的60%。下表是iSuppli对分别采用NAND闪存和非NAND闪存的手机出货量数据比较。

 

 

过去,英特尔、Spansion和意法半导体(ST)这三大NOR供应商在面对来自NAND的竞争威胁时,所采取的对策是推出旨在维护NOR在手机中的控制地位的解决方案。这些解决方案把NOR与SRAM、pseudo SRAM (pSRAM)和SDRAM等其它类型的内存相结合,以提供全面的代码和数据存储内存子系统。

 

但随着NAND的突飞猛进,上述三大NOR供应巨头意识到,为了保持自己作为手机领域中具有竞争力的内存解决方案供应商的地位,它们必须提供单位比特成本(cost per bit)低于高密度NOR的数据存储产品。因此,这三家厂商都在数据存储方面对NAND和其它非NOR技术展开了反击。

 

面临多方竞争,这绝非一项简单的任务。三大NAND闪存供应商——三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)以及东芝(Toshiba)引领存储市场,在2005年占据NAND市场份额高达88%。

 

这是一场豪赌。iSuppli公司预测,2010年总体手机闪存将达到76亿美元,远高于2005年的43亿美元。三大NOR厂商中的两家,英特尔和意法半导体已与其它内存供应商结盟,以使自己演变成为NAND闪存供应商。

 

英特尔在去年第四季度与美光组建了闪存制造合资企业IM Flash Technologies LLC(IMFT)。在今年第一季度财报中宣布其子公司已开始小量的NAND闪存发货。美光(Micron)在2005年NAND发货量市值2.38亿美元,加上IMFT产能,美光将在2006年成为一个更大的玩家。毫无疑问,这两家供应商将逐步扩大NAND闪存销售额。2006年下半年开始,随着英特尔通过在NOR闪存中已成熟应用的MLC技术来提升NAND闪存的密度,势必将在2007年对市场产生强大冲击。

 

意法半导体也通过与Hynix建立制造关系而进入了NAND领域。ST在2005年共发货价值2.14亿美元的NAND闪存,预计2006年将超过这个数字获得更大增长。

 

Spansion则重新布署了其基于NOR的MirrorBit技术,开发出一种名为“ORNAND”的产品,该产品把一个类似NAND的接口与NOR类型的存储单元结构相结合。从表面上看,好像Spansion采取这样的策略比较短视,尽管带来更具成本效益和更高密度的结果,但毕竟还是基于NOR技术。然而,MirrorBit产品仍然获得了不少手机供应商的青睐。

 

虽然目前评估NOR供应商的上述策略会取得多大成功还为时过早,但这三大NOR供应商所采取的不同策略效果如何,非常值得关注。

 

延伸阅读:NOR闪存厂商进攻NAND市场,并购与联姻改写市场大格局

 


此文章源自《国际电子商情》网站:
http://www.esmchina.com/ART_8800068498_617671_b10a57b0200605.HTM

NOR型闪存与NAND型闪存的区别

分类: 1) 闪存芯片读写的基本单位不同     应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的...
  • yang2716210363
  • yang2716210363
  • 2017年04月10日 16:44
  • 563

NAND闪存与NOR闪存的工作原理详解

经典物理学认为 物体越过势垒,有一阈值能量;粒子能量小于此能量则不能越过,大于此能量则可以越过。例如骑自行车过小坡,先用力骑,如果坡很低,不蹬自行车也能靠惯性过去。如果坡很高,不蹬自行车,车到一半就...
  • sunflowerfsw
  • sunflowerfsw
  • 2016年08月22日 17:36
  • 2535

NAND Flash和Nor Flash各自特点概述

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公...
  • hox123
  • hox123
  • 2015年01月26日 14:34
  • 1512

NOR与NAND闪存对比

基于 NOR 的 Flash 技术比较早,它支持较高的读性能,但以降低容量为代价。 NAND Flash 提供更大容量的同时实现快速的写擦性能。NAND 还需要更复杂的输入/输出(I/O)接口。...
  • Fybon
  • Fybon
  • 2013年12月08日 22:02
  • 858

嵌入式开发之NorFlash 和NandFlash

嵌入式开发之NorFlash 和NandFlash[摘要]:作为一个嵌入式工程师,要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知。本文通过从启动方式、读写方式、容量成本、可靠性、寿命以及是...
  • tigerjb
  • tigerjb
  • 2013年07月14日 00:23
  • 5022

NOR型闪存与NAND型闪存的区别

分类: 1) 闪存芯片读写的基本单位不同     应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的...
  • lcydhr
  • lcydhr
  • 2015年01月20日 14:53
  • 426

关于SSD的二三事,NAND闪存的一些常识

不知道大家对ToggleDDR、ONFI两大标准你知道多少呢?闪存的同步和异步模式又是什么呢?SLC、MLC、TLC它们有什么区别呢? ...
  • yongchaocsdn
  • yongchaocsdn
  • 2017年02月25日 23:15
  • 677

NOR FLASH和NAND FLASH各应用在什么产品上

随着电子产品的功能日益丰富,成本效益高、功耗低、密度高及外型小的存储器产品的市场需求日益增加,NOR FLASH和NAND FLASH原本不同的市场定义,现在也慢慢的变得模糊起来了。我们从以下几个方面...
  • yxfabcdefg
  • yxfabcdefg
  • 2014年08月04日 11:07
  • 2928

NAND与NOR FLASH的原理与异同

一、存储数据的原理 两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极、漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的 电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极...
  • xiaofei0859
  • xiaofei0859
  • 2015年11月11日 10:45
  • 1188

怎样区分一个flash是NOR型flash还是NAND型flash

1)闪存芯片读写的基本单位不同    应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区...
  • guojing3625
  • guojing3625
  • 2014年05月27日 11:01
  • 1506
内容举报
返回顶部
收藏助手
不良信息举报
您举报文章:NOR闪存制造商“从善”如流,纷入NAND战团
举报原因:
原因补充:

(最多只允许输入30个字)