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原创 堆与栈有什么区别?

一、预备知识—程序的内存分配一个由c/C++编译的程序占用的内存分为以下几个部分 1、栈区(stack)— 由编译器自动分配释放 ,存放函数的参数值,局部变量的值等。其操作方式类似于数据结构中的栈。 2、堆区(heap) — 一般由程序员分配释放, 若程序员不释放

2011-09-07 21:00:40 554

原创 WM_COMMAND和WM_NOTIFY有什么区别?

在Windows3.1里,控件会将mouse, keybord等等的消息通知它的父窗口, 使用的消息就只有WM_COMMAND, 事件种类和控件ID被包含在wParam中, 控件的句柄包含在lParam中。由于wParam和 lParam已经满了,当控件要向父窗口发送其它特殊

2011-09-07 20:58:20 1483

转载 MessageBox函数

为了显示提示信息给用户,Windows是提供了一个非常方便的API函数MessageBox给用户使用,使用这个API函数可以显示简单的文字信息出来,提醒或提示用户进行下一步操作。函数声明如下:WINUSERAPIintWINAPIMessageBoxA(

2011-09-07 20:43:18 2417

转载 Win32消息机制(窗口实现过程)

Dos的过程驱动与Windows的事件驱动在讲本程序的消息循环之前,我想先谈一下Dos与Windows驱动机制的区别:DOS程序主要使用顺序的,过程驱动的程序设计方法。顺序的,过程驱动的程序有一个明显的开始,明显的过程及一个明显的结束,因此程序能直接控制程序事件或过程的顺

2011-09-07 20:30:00 2897 2

原创 CFile

CFile是MFC文件类的基类,它直接提供非缓冲的二进制磁盘输入/输出设备,并直接地通过派生类支持文本文件和内存文件。CFile与CArchive类共同使用,支持MFC对象的串行化。该类与其派生类的层次关系让程序通过多形CFile接口操作所有文件对象。例如,一个内存文件相

2011-09-07 20:18:06 714

原创 VC中判断目录,文件是否存在,创建目录,求目录或文件大小的方法

目录是否存在检查:BOOL FolderExist(CString strPath){    WIN32_FIND_DATA wfd;    BOOL rValue = FALSE;    HANDLE hFind = FindFirstFile(strPat

2011-09-07 20:14:08 1052

原创 多线程处理

在子线程中如果使用SendMessage将会占用主线程,因此在使用过程中调用主线程所在类的函数这样就不会占用主线程。如对话框应用程序启动一个子线程,子线程发送消息给对话框处理这时使用sendmessage就会占用主线程,使用postmessage又无法确定使用运行了消息处理(

2011-09-07 11:46:44 832

转载 滚动条消息(WM_VSCROLL和WM_HSCROLL)

(1)当用户单击滚动条或者是拖动滑块时,Windows会向窗口过程发送WM_VSCROLL消息(垂直滚动时)或者是WM_HSCROLL消息(水平滚动时)。在滚动条上的任何鼠标动作会产生两条消息:一条是在鼠标键按下时,另一条是在鼠标键松开时。(2)和其他的消息一样,WM_VSC

2011-09-07 11:34:07 19204

原创 GetDeviceCaps访问使用设备描述表的设备数据

函数功能:该函数检索指定设备的设备指定信息。  函数原型:int GetDeviceCaps(HDC hdc, int nlndex);1、hdc:设备上下文环境的句柄。2、nIndex:指定返回项,该参数取下列一值。(C++)  DRIVERVERS

2011-09-07 11:26:52 1598

原创 GetStockObject 检索预定义的备用笔、刷子、字体或者调色板

HGDIOBJ GetStockObject(int fnObject);主要参数  fnObject:指定对象的类型,该参数可取如下值之一;  BLACK_BRUSH:黑色画笔;DKGRAY_BRUSH:暗灰色画笔;  DC_BRUSH:在Windo

2011-09-07 11:24:06 1711

原创 关于电涡流传感器灵敏度及加速度传感器灵敏度

电涡流传感器灵敏度一般指是峰值灵敏度:如:8mv/um 这样当输出信号有效值是3.535V=2倍的根号2.对应500um如何计算的呢?有效值是3.535V对应峰值为4V 4000mv/8mv/um=500um加速度传感器灵敏度是1000mv/gg=9.8kg/(m

2011-09-06 16:54:29 3687

21种常见CRC检验算法 C#实现类

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2022-08-18

SampleCode8x8d.rar

海曼红外测温官网代码 8X8代码

2020-12-14

一些VS2013的使用技巧 - h46incon - 博客园.pdf

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2019-10-11

C#常用命名空间 - 天琊蓝 - 博客园.pdf

C#常用命名空间 ,C#常用命名空间 -,C#常用命名空间 -

2019-10-11

STM32F429 ADC三重采集

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2019-02-16

Marvell SDIO 8686 在S3C2440 上wince5.0驱动

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2013-10-30

Cadence 元件封装

零件封装是安装半导体集成电路芯片的外壳,主要起到安装、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用,它是芯片内部电路与外部电路的桥梁。随着电子技术飞速发展,集成电路封装技术也越来越先进,使得芯片内部电路越来越复杂的情况下,芯片性能不但没受影响,反而越来越强。 在Cadence软件中,设计者要将绘制好的原理图正确完整的导入PCB Editor中,并对电路板进行布局布线,就必须首先确定原理图中每个元件符号都有相应的零件封装(PCB Footprint)。虽然软件自带强大的元件及封装库,但对于设计者而言,往往都需要设计自己的元件库和对应的零件封装库。在Cadence中主要使用Allegro Package封装编辑器来创建和编辑新的零件封装。

2012-11-23

LATTICE PLL文档

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2012-09-16

LATTICE 全局变量的设置和使用

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2012-09-15

LATTICE MEM设置手册

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2012-09-15

FPGA静态时序分析模型——寄存器到寄存器

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2012-08-15

FPGA 静态时序分析神文

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2012-08-15

ARM S3C2440 LCD驱动心得(赞超好)

ARM S3C2440 LCD驱动心得(赞超好) 可类比2440 6410等

2011-08-04

micro sd卡座的封装图

micro sd卡座的封装图.pdfmicro sd卡座的封装图.pdf

2011-05-30

SD卡标准及通讯代码

SD卡 标准 SD开发时使用 SD卡 标准 SD开发时使用 SD卡 标准 SD开发时使用

2011-05-12

RNIDS PC端驱动RNDIS USB kit

RNIDS PC端驱动RNDIS USB kit RNIDS PC端驱动RNDIS USB kit RNIDS PC端驱动RNDIS USB kit

2010-12-28

SPI通讯详细及故障

SPI通讯详细 SPI通讯故障 SPI通讯原理

2010-12-16

2812 SCI_FIFO程序

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2010-11-01

wince5 中断MyDriver例程

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2010-10-09

VDD.VEE.VSS什么意思.

VCC、 VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点,具体接电源的极性需视器件材料而 定。 VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极,VEE是指连接到集成或分解电路内部三极 管的E极。 同样,VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。 例如是采用P沟 E/DMOS工艺制成的集成,那么它的VDD就应接电源的负,而VSS应接正电源。 它们是这样得名的: VCC表示连接到三极管集电极(C)的电源。

2009-04-20

模电基础最基础的教程了

模电学习的两个重点 凡是学电的,总是避不开模电。 上学时老师教的知识,毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计,《模电》拿起又放下了 n 次,躲不开啊。毕业多年后,回头望,聊聊模电的学习,但愿对学弟学妹有点帮助。 通观整本书,不外是,晶体管放大电路、场管放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器、波形及变换、功放电路、直流电源等。然而其中的重点,应该是场管和运放。何也? 按理说,场管不是教材的重点,但目前实际中应用最广,远远超过双极型晶体管(BJT)。场效应管,包括最常见的MOSFET,在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。 运放在今天的应用,也是如火如荼。比较器、ADC、DAC、电源、仪表、等等离不开运放。 1、场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有 N 沟道和 P 沟道两种器件。有结型场管和绝缘栅型场管 IGFET 之分。IGFET 又称金属-氧化物-半导体管 MOSFET。MOS 场效应管有增强型 EMOS 和耗尽型 DMOS 两大类,每一类有 N 沟道和 P 沟道两种导电类型。 学习时,可将 MOSFET 和 BJT 比较,就很容易掌握,功率 MOSFET 是一种高输入阻抗、电压控制型器件,BJT 则是一种低阻抗、电流控制型器件。再比较二者的驱动电路,功率 MOSFET 的驱动电路相对简单。BJT 可能需要多达 20% 的额定集电极电流以保证饱和度,而 MOSFET 需要的驱动电流则小得多,而且通常可以直接由 CMOS 或者集电极开路 TTL 驱动电路驱动。其次,MOSFET 的开关速度比较迅速,MOSFET 是一种多数载流子器件,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应。其三,MOSFET 没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外,MOSFET 具有并行工作能力,具有正的电阻温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET,允许并行电路配置。而且,MOSFET 的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管,在电感性负载开关中特别有用。 场管有两种工作模式,即开关模式或线性模式。所谓开关模式,就是器件充当一个简单的开关,在开与关两个状态之间切换。线性工作模式是指器件工作在某个特性曲线中的线性部分,但也未必如此。此处的“线性”是指 MOSFET 保持连续性的工作状态,此时漏电流是所施加在栅极和源极之间电压的函数。它的线性工作模式与开关工作模式之间的区别是,在开关电路中,MOSFET 的漏电流是由外部元件确定的,而在线性电路设计中却并非如此。 2、运放所传递和处理的信号,包括直流信号、交流信号,以及交、直流叠加在一起的合成信号。而且该信号是按“比例(有符号+或-,如:同相比例或反相比例)”进行的。不一定全是“放大”,某些场合也可能是衰减(如:比例系数或传递函数 K=Vo/Vi=-1/10)。 运放直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入失调电流温漂、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。 交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。 个人认为,选择运放,可以只侧重考虑三个参数:输入偏置电流、供电电源和单位增益带宽。

2009-04-20

Proteus 仿真库简介

元件名称 中文名 说明 7407 驱动门 1N914 二极管 74Ls00 与非门 74LS04 非门 74LS08 与门 74LS390 TTL 双十进制计数器 7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的BCD码 7SEG 3-8译码器电路BCD-7SEG[size=+0]转换电路 ALTERNATOR 交流发电机 AMMETER-MILLI mA安培计 AND 与门 BATTERY 电池/电池组 BUS 总线 CAP 电容 CAPACITOR 电容器 CLOCK 时钟信号源 CRYSTAL 晶振 D-FLIPFLOP D触发器

2009-04-20

运算放大器的原理简介

运算放大器(Operational Amplifier,简称OP、OPA、OPAMP)是一种直流耦合﹐差模(差动模式)输入、通常为单端输出(Differential-in, single-ended output)的高增益(gain)电压放大器,因为刚开始主要用于加法,乘法等运算电路中,因而得名。一个理想的运算放大器必须具备下列特性:无限大的输入阻抗、等于零的输出阻抗、无限大的开回路增益、无限大的共模排斥比的部分、无限大的频宽。最基本的运算放大器如图1-1。一个运算放大器模组一般包括一个正输入端(OP_P)、一个负输入端(OP_N)和一个输出端(OP_O)。

2009-04-20

电容、电感滤波电路作用原理.

整流电路的输出电压不是纯粹的直流,从示波器观察整流电路的输出,与直流相差很大,波形中含有较大的脉动成分,称为纹波。为获得比较理想的直流电压,需要利用具有储能作用的电抗性元件(如电容、电感)组成的滤波电路来滤除整流电路输出电压中的脉动成分以获得直流电压。

2009-04-20

0欧的电阻在电路中的用法

我们经常在电路中见到0欧的电阻,对于新手来说,往往会很迷惑:既然是0欧的电阻,那就是导线,为何要装上它呢?还有这样的电阻市场上有卖吗? 其实0欧的电阻还是蛮有用的。大概有以下几个功能:①做为跳线使用。这样既美观,安装也方便。②在数字和模拟等混合电路中,往往要求两个地分开,并且单点连接。我们可以用一个0欧的电阻来连接这两个地,而不是直接连在一起。这样做的好处就是,地线被分成了两个网络,在大面积铺铜等处理时,就会方便得多。附带提示一下,这样的场合,有时也会用电感或者磁珠等来连接。③做保险丝用。由于PCB上走线的熔断电流较大,如果发生短路过流等故障时,很难熔断,可能会带来更大的事故。由于0欧电阻电流承受能力比较弱(其实0欧电阻也是有一定的电阻的,只是很小而已),过流时就先将0欧电阻熔断了,从而将电路断开,防止了更大事故的发生。有时也会用一些阻值为零点几或者几欧的小电阻来做保险丝。不过不太推荐这样来用,但有些厂商为了节约成本,就用此将就了。④为调试预留的位置。可以根据需要,决定是否安装,或者其它的值。有时也会用*来标注,表示由调试时决定。⑤作为配置电路使用。这个作用跟跳线或者拨码开关类似,但是通过焊接固定上去的,这样就避免了普通用户随意修改配置。通过安装不同位置的电阻,就可以更改电路的功能或者设置地址。

2009-04-20

场效应管的原理及分类

 各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料,可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道,就是电流通道。   半导体的场效应,是在半导体表面的垂直方向上加一电场时,电子和空穴在表面电场作用下发生运动,半导体表面载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受到电场的作用而改变,即改变为加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。

2009-04-20

硬件实用手册

硬件实用手册 硬件实用手册

2008-08-05

LINUX应用技术精华{面向初学Linux朋友的书籍}

LINUX应用技术精华{面向初学Linux朋友的书籍}

2008-04-10

空空如也

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