_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制之电容

最近在看一篇有关电容、电感、磁珠、电阻噪声抑制的文档,纪录一下。

下面是文档的下载链接,比我记录的详细很多。

上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上之剖析与探讨

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当两个金属很靠近时,便形成了电容。

通常电源输出端,其电压并非理想的恒定值,而是会有涟波与噪声:

抑制这些会危害电路的涟 波、噪声、以及瞬时电流,最常见的手法,便是摆放落地电容,接下来便探讨电容的应用与注意事项。
任何讯号都会有回流电流,整体路径形成一个完整的封闭回路。回路面积越小,产生的EMI 干扰就越小。而回路面积取决于讯号路径长度,以及回流电流路径长度。因此不只讯号长度越短越好,其回流电流路径长度也是越 短越好,如此才能使回路面积缩到最小。

落地电容的作用,便是提供噪声一个低阻抗的路径,使整体回路面积变小, 来降低EMI 干扰,且避免噪声透过耦合方式,干扰其他讯号。

电容在高频时,会有寄生电感(Equivalent Series Inductance, ESL) 与寄生电阻(EquivalentSeries Resistance, ESR),其等效模型如下 :

由上图可知,电容会有自我谐振频率,简称 SRF(Self Resonant Frequency),与电容值,以及ESL 有关,过了 SRF 后,则该电容会变电感,这使得抑制噪声,以及稳压的能力会下降,因此 ESL 越小越好,即 SRF 越高,如此便可确保电容性的频率范围越广。
SRF也与电容值有关,因此电容值大小,需依应用频率范围来决定。

电源输出端的稳压,隶属于低频范围,因此会采用大电容,多半为uF 等级,而若是要抑制会干扰 RF 频段的噪声,则是会采用小电容,多半为 pF 等级。
另外由上图可知,电容值越大,则频率范围内的阻抗越小,这主要跟 ESR 有关。
电容的阻抗如下 :
Z = ESR +jXc
若电容值越大,则 ESR 就越小,如下图 :

因此电容值越大,则 ESR就越小。由下图可知,同样 0402尺寸,但 1nF的 Insertion
Loss,显然就是比 1pF、 10pF、 100pF 来得大。因此电容值越大,则频率范围内的阻抗越小

落地电容的作用,便是提供噪声一个低阻抗的路径,若 ESR 越小,便能使越多的噪声流到GND
因此 ESR 越小,则 Insertion Loss 越大,亦即抑制噪声的能力就越好。
另外 ESR 也牵扯到稳压能力,由下式可知 :
VRipple = IRippleESR
若稳压电容的 ESR 越小,则电源输出的涟波就越小,即稳压效果越好。
由于 MLCC 的 ESR 比其他材质来的小,故其抑制噪声能力,以及稳压能 力,都比其他材质来的好。

此外,并联多颗电容的作法,除了可提升整体电容的涟波电流耐受度,亦可进一步加 大 Insertion Loss,来提高稳压及滤波能力。
电容的内部电极层,可看成电阻,并联越多电容,等同于越多电阻 并联,则整体 ESR 就越低,并联 颗,则 ESR低 倍; 虽然若并联 颗电容,则整体电容值会加大 倍,理论上其 SRF 会往低频方向移动,然而因为其ESL 也缩减 倍, 因此其SRF 并不会改变。此一来,即便有反谐振,其 Insertion Loss 也不 至于过小,亦即其反谐振频率点,仍有一定的滤波能力。
由前述已知,电源输出端除了会有低频的涟波,亦会有高频的噪声。
因此电源输出端,除了会有uF 等级的大电容,作为稳压之用,多半还会有pF 等级的小电容,作为滤波之用。





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