电工--半导体器件

目录

半导体的导电特性

PN结及其单向导电性 

二极管

稳压二极管

双极型晶体管


半导体的导电特性

本征半导体:完全纯净的、晶格完整的半导体

载流子:自由电子和空穴

温度愈高,载流子数目愈多,导电性能就愈好

N型半导体:在硅或锗晶体中插入磷p(+5),自由电子增加

P型半导体:在硅或锗晶体中插入硼B(+3),空穴增加

PN结及其单向导电性 

PN结:在N\setminusP型半导体的局部再插入浓度较大的硼B(+3)\setminusp(+5)杂质,使其变成P\setminusN型半导体 

正向偏置:电源正极接P区,负极接N区,形成较大的正向电流,PN结呈现低电阻,处于导通状态

反向偏置:电源正极接N区,负极接P区,形成反向电流,PN结呈现高电阻,处于截止状态

二极管

死区(开启)电压正向压降
硅管0.5V0.7V
锗管0.1V0.3V

 在二极管加上反向电压,形成很小的反向电流

        反向电流随温度的上升增长很快

        在反向电压不超过某一范围时,反向电流的大小基本恒定

        击穿:外加反向电压过高,反向电流突然增大,二极管失去单向导电性,不可恢复

稳压二极管

 稳压二极管工作于反向击穿区

        当反向电压增高到击穿电压时,反向电流突然剧增,稳压二极管反向击穿

        在反向电流不超过允许范围内,稳压二极管发生击穿后可以恢复正常

双极型晶体管

信号放大:发射结正向偏置:U_{b}>U_{e}U_{be}>0

                  集电结反向偏置:U_{c}>U_{b}U_{cb}>0

电流放大系数:\beta =\frac{I_{C}}{I_{B}}

         

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