雪崩击穿和齐纳击穿

雪崩击穿产生的原因：

随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子—空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子—空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称为雪崩击穿。

雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。

在温度增加的条件下，温度越高，击穿电压也越高，因为雪崩击穿是建立在载流子加速的基础上，温度升高晶格结构可能发生变化，导致载流子更容易碰撞上中性原子，但是自由行程比原来短（就是说加速的路程变短了）碰撞上的时候能量不够，所以需要更高的电压来提高碰撞时的能量

齐纳击穿产生的原因：

当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生大量的电子—空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿。把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。

齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。

在温度升高的条件下，温度越高，击穿电压越低，因为温度越高扩散运动更强，更容易把价电子拉出来，所需的电压也就变低

两者的区别:  

PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V的击穿以雪崩击穿为主。

两者的区别对于稳压管来说，主要是：

电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。

电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6V稳压管的原因。

稳压管的原理决定了它的反应速度是不可能很快的速度要求高的场合都用二极管＋  基准电压。如果只是要做保护，用TVS稳压管主要用于稳压，通过的电流越小越好。

齐纳击穿与雪崩击穿均为电击穿,电击穿是可逆的,只有在热击穿的情况下不可逆，热击穿是由于PN结功率过高导致温度升高PN结损毁