AT24C02（I2C总线）数据存储

注意：进行数据存储是作为存储芯片最基本的功能

1.通过定时器扫描数码管（不使用死循环）让按键在按下之后，数码管显示不会停止，只有松手，才停止；这样不用一直卡在死循环检测松手。

2.使用死循环，当主循环有稍微长的时间，会使数码管一直闪烁；

存储器

分类：

1.易失性存储器（RAM）运行内存，将程序放在这里进行运行使用。

2.非易失性存储器（ROM），存储空间；存放数据，不可修改，只能读取。

RAM

优点：存储速度快；缺点：掉电丢失

ROM

优点：掉电不丢失；缺点：存储速度慢    

两个存储器互补

RAM：SRAM（静态RAM）；DRAM（动态RAM）

SRAM：一个D触发器，使用电路，存储数据。使用在电脑的CPU，完成高速缓存功能。（定义的变量，特殊功能寄存器存储在SRAM里面）

优点：存储速度最快；缺点：存储空间小，成本高

DRAM：使用电容存储，充电（高电平），放电（低电平）。

此电容集成度特别高，容值很小；由于电容存在一个漏电的现象，所以很快容易没电。配置一个扫描电路，每隔一段时间进行充电补电，保证总是满电；需要动态刷新。

优点：成本低，容量大；缺点：掉电丢失

（手机的运行内存，电脑的内存条）

ROM（掉电不丢失）

Mask ROM（掩膜RMO）：最早的ROM。缺点：只能读不能写。

改进：

PROM（可编程ROM）：可以写入，但是只能写入一次。写入一次后，永远不能更改

改进：

EPROM（可擦除可编程ROM）：通过紫外线照射30分钟，进行数据擦除。

改进：

E2PROM（电可擦除可编程ROM）：在电作用下，几毫秒擦除。

发展：

Flash（闪存）：固态硬盘，U盘，内存卡，手机存储空间

硬盘（机械硬盘），软盘（A,B盘），光盘

存储器的简化模型：

地址总线，一次只能选中一条线，选中某一个地址。

数据总线：数据从下面出来。

注意：网格的交错节点开始是不连接的

存储过程：我们选中第一根地址线给1，其他地质线全部不接；然后，将前三个节点连接，其他节点不连接。通过数据总线，读取数据，第一个节点在数据线，读出为1，其他两个也是1；其他的数据线，是悬空状态，我们暂时命名为0，即为1110 0000，第一根地址线，我们就存储了1110 0000

（位选，段选类似）面包板的原理

存储：控制节点，短路和断路，连接的是二极管，不是其他电路。

通过二极管，防止其他行对二极管进行干扰。

不能使节点直接相连，他们会互相干扰。我们通过二极管相连，可以存储和防止其他行的干扰。

想象列在行上面悬空，节点处向上接一个二极管，列是数据总线，存放数据，不能从列走到别的行进行影响。即不会我们需要一个地址存放这个东西，其他地址也存放。（列和行补相通，但是行内部，列内部相通）

注意：MaskROM在做的时候，根据一个数据表，直接就做好数据表的内容，存储好了数据。不能再更改了。（前三个连接为111，后面都不做0 0000）只有给前三个做成二极管。电路做出来就固定了。

PROM：两个头对二极管，黑色二极管不容易被击穿，蓝色二极管容易被击穿。击穿后会变成短路状态，变成右边的状态。即对于我们想写入1的位，依次击穿即可写入1，而补击穿的即为0。

保险丝也可以控制断路。

一般在地址总线之前都会加一个译码器，138译码器。可以将多位的内容，变成只选中一位。

译码器之前就是输出实际的地址。

WP：写保护，高电平，即不让写入，保护芯片。WE杠：写使能，接低电平即让写入。

！！I2C协议需要两个上拉电阻，在接口处 （SCL,SDA）！！

内部框图：

X DEC：译码器，地址线先输入译码器，再进入存储单元。

下面是数据的输入输出端

SERIAL MUX：串行数据选择端。由一个Y译码器（输出并行8位数据），通过串行数据选择端，变成串行数据，一位一位将数据输出。

上面部分：DATA  RECOVERY这部分是进行数据擦除的。

DATA WORD ADDR/COUNTER ：用来设置存储地址的，每写入或者读取一个数据，寄存器会自动加一（即向后一位移动？？）地址寄存器

I2C：主要有开始结束逻辑，器件地址比较器，串行控制逻辑

页写：可以写多个字节（8个字节02），超过8个字节会从第一个字节开始继续，将第一个字节的内容覆盖。