注意:进行数据存储是作为存储芯片最基本的功能
1.通过定时器扫描数码管(不使用死循环)让按键在按下之后,数码管显示不会停止,只有松手,才停止;这样不用一直卡在死循环检测松手。
2.使用死循环,当主循环有稍微长的时间,会使数码管一直闪烁;
存储器
分类:
1.易失性存储器(RAM)运行内存,将程序放在这里进行运行使用。
2.非易失性存储器(ROM),存储空间;存放数据,不可修改,只能读取。
RAM
优点:存储速度快;缺点:掉电丢失
ROM
优点:掉电不丢失;缺点:存储速度慢
两个存储器互补
RAM:SRAM(静态RAM);DRAM(动态RAM)
SRAM:一个D触发器,使用电路,存储数据。使用在电脑的CPU,完成高速缓存功能。(定义的变量,特殊功能寄存器存储在SRAM里面)
优点:存储速度最快;缺点:存储空间小,成本高
DRAM:使用电容存储,充电(高电平),放电(低电平)。
此电容集成度特别高,容值很小;由于电容存在一个漏电的现象,所以很快容易没电。配置一个扫描电路,每隔一段时间进行充电补电,保证总是满电;需要动态刷新。
优点:成本低,容量大;缺点:掉电丢失
(手机的运行内存,电脑的内存条)
ROM(掉电不丢失)
Mask ROM(掩膜RMO):最早的ROM。缺点:只能读不能写。
改进:
PROM(可编程ROM):可以写入,但是只能写入一次。写入一次后,永远不能更改
改进:
EPROM(可擦除可编程ROM):通过紫外线照射30分钟,进行数据擦除。
改进:
E2PROM(电可擦除可编程ROM):在电作用下,几毫秒擦除。
发展:
Flash(闪存):固态硬盘,U盘,内存卡,手机存储空间
硬盘(机械硬盘),软盘(A,B盘),光盘
存储器的简化模型:
地址总线,一次只能选中一条线,选中某一个地址。
数据总线:数据从下面出来。
注意:网格的交错节点开始是不连接的
存储过程:我们选中第一根地址线给1,其他地质线全部不接;然后,将前三个节点连接,其他节点不连接。通过数据总线,读取数据,第一个节点在数据线,读出为1,其他两个也是1;其他的数据线,是悬空状态,我们暂时命名为0,即为1110 0000,第一根地址线,我们就存储了1110 0000
(位选,段选类似)面包板的原理
存储:控制节点,短路和断路,连接的是二极管,不是其他电路。
通过二极管,防止其他行对二极管进行干扰。
不能使节点直接相连,他们会互相干扰。我们通过二极管相连,可以存储和防止其他行的干扰。
想象列在行上面悬空,节点处向上接一个二极管,列是数据总线,存放数据,不能从列走到别的行进行影响。即不会我们需要一个地址存放这个东西,其他地址也存放。(列和行补相通,但是行内部,列内部相通)
注意:MaskROM在做的时候,根据一个数据表,直接就做好数据表的内容,存储好了数据。不能再更改了。(前三个连接为111,后面都不做0 0000)只有给前三个做成二极管。电路做出来就固定了。
PROM:两个头对二极管,黑色二极管不容易被击穿,蓝色二极管容易被击穿。击穿后会变成短路状态,变成右边的状态。即对于我们想写入1的位,依次击穿即可写入1,而补击穿的即为0。
保险丝也可以控制断路。
一般在地址总线之前都会加一个译码器,138译码器。可以将多位的内容,变成只选中一位。
译码器之前就是输出实际的地址。
WP:写保护,高电平,即不让写入,保护芯片。WE杠:写使能,接低电平即让写入。
!!I2C协议需要两个上拉电阻,在接口处 (SCL,SDA)!!
内部框图:
X DEC:译码器,地址线先输入译码器,再进入存储单元。
下面是数据的输入输出端
SERIAL MUX:串行数据选择端。由一个Y译码器(输出并行8位数据),通过串行数据选择端,变成串行数据,一位一位将数据输出。
上面部分:DATA RECOVERY这部分是进行数据擦除的。
DATA WORD ADDR/COUNTER :用来设置存储地址的,每写入或者读取一个数据,寄存器会自动加一(即向后一位移动??)地址寄存器
I2C:主要有开始结束逻辑,器件地址比较器,串行控制逻辑
页写:可以写多个字节(8个字节02),超过8个字节会从第一个字节开始继续,将第一个字节的内容覆盖。