使用STM32CubeMX进行内部Flash的读写

最新推荐文章于 2025-05-19 23:24:59 发布
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文章标签： stm32 嵌入式硬件 单片机
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本文介绍了如何使用STM32CubeMX配置和管理STM32微控制器的内部Flash，包括设置系统时钟、配置Flash大小、读写操作及擦除操作，并提供了基于HAL库的代码示例，帮助开发者实现数据的持久化存储。

在嵌入式系统开发中，内部Flash是一种常用的非易失性存储器，用于存储程序代码和数据。STM32CubeMX是一个强大的工具，用于配置和生成STM32微控制器项目的初始化代码。本文将介绍如何使用STM32CubeMX进行内部Flash的读写操作，并提供相应的源代码。

  1. 创建STM32CubeMX项目
    首先，打开STM32CubeMX，并创建一个新的项目。选择相应的STM32微控制器型号，并按需配置时钟、引脚和其他外设。点击"Project"菜单，选择"Settings"，在"Code Generator"选项卡中勾选"Generate peripheral initialization as a pair of ‘.c/.h’ files per peripheral"，这将生成每个外设的初始化代码文件。

  2. 配置内部Flash
    在"Pinout & Configuration"选项卡中，展开"RCC"（Reset and Clock Control）外设，并选择"Internal High-Speed Clock (HSI)"作为系统时钟源。然后，在"Configuration"下的"SYS"选项中，选择相应的时钟频率。

接下来，展开"Memory"选项卡，并选择"Internal Flash"。根据需要，可以配置Flash的大小和扇区大小。还可以设置Flash的读取保护选项，以保护存储的数据。

  1. 生成代码
    点击左下角的"Project"按钮，选择生成代码所需的开发环境，例如Keil MDK或IAR Embedded Workbench。然后点击"Generate Cod

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STM32CubeMX之内部Flash读写
zhang062061的专栏
04-16 2133
“有时候需要对一些数据进行掉电可存储，一般来说可以把这些数据存储到外部EEPROM或FLASH，如AT24CXX、SPI FLASH等。对于一些不需要经常写入的少量数据，可以直接存储到单...
使用STM32CubeMX库读写FLASH数据
UplKubernetes的博客
09-24 820
在本文中，我们将介绍如何使用STM32CubeMX库来读写FLASH数据，并提供相应的源代码示例。然后，在"Pinout & Configuration"选项卡中，选择"Memory"，找到并选择FLASH存储器。配置完FLASH存储器后，点击左下角的"Project"按钮，然后选择生成代码的路径和IDE选项。根据您的具体需求进行配置，并点击"OK"保存设置。需要注意的是，FLASH是有限的资源，因此在进行写操作之前，应先擦除相应的扇区。在您的应用程序中，您可以调用上述的读写函数来读写FLASH数据。
hal库-芯片内部flash读写-STM32F4系列
weixin_44099973的博客
03-10 5410
hal库-芯片内部flash读写-STM32F4系列 使用说明：读写芯片内部flash–stm32cubemx-hal库 1、使用stm32cubemx配置和建立自己的工程文件 2、添加user_flash.h和user_flash.c文件到工程中 3、在需要使用的地方include "user_flash.h"头文件 4、直接调用user_flash.c文件内函数 user_flash.h文件代码如下： #ifndef __USER_FLASH_H #define __USER_FLASH_H #incl
使用STM32CubeProgrammer工具读取单片机Flash数据读取
专注音频，高效工作，快乐生活！
04-20 7650
本文主要描述如何使用STM32CubeProgrammer工具读取和写入单片机Flash操作，供参考使用。
STM32CUBEMX-读写内部Flash
weixin_43362027的博客
09-11 4195
在STM32芯片内部有一个 FLASH 存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH 中，由于 FLASH 存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部 FLASH 中加载代码并运行。
STM32cubeMx系列小白学习教程（九）—— Flash读写
weixin_49249873的博客
03-07 3502
Flash（快闪存储器）是一种非易失性存储器，用于存储数据和程序代码。它是一种闪存技术，可以在断电情况下保持数据的完整性，因此非常适合用于嵌入式系统和其他需要长期存储数据和程序的应用。非易失性：Flash存储器可以在断电情况下保持数据的完整性，不需要外部电源维持数据。可擦写和可编程：Flash存储器可以被擦除和编程，允许修改存储的数据和程序。高密度：Flash存储器具有高存储密度，可以存储大量的数据和程序代码。
STM32CubeMX学习笔记（51）——读写内部Flash
Leung的博客
02-07 1万+
在STM32芯片内部有一个 FLASH 存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH 中，由于 FLASH 存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部 FLASH 中加载代码并运行。STM32 的内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器以及选项字节区域，它们的地址分布及大小见下表。
STM32cubeMX配置F103的硬件SPI读写W25QXX的FLASH
02-29
在这个特定的场景中，我们要探讨如何使用STM32CubeMX来配置STM32F103微控制器的硬件SPI接口，以便与W25Q128串行闪存进行通信。 **STM32F103微控制器**： STM32F103是STM32系列中的一个成员，属于高性能的ARM Cortex...
【STM32CubeIDE】 stm32f103的内部Flash读写，double数值读写
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使用STM32cubeMX/STM32cube ide 生成FatFS代码,操作SPI FLASH
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STM32CUBEIDE（16）----内部Flash读写
xh1479的博客
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本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F030R8T6，64K大小的Flash。以上的代码会在Q群里分享。QQ群：615061293。或者关注微信公众号『记贴』，持续更新文章和学习资料,可加作者的微信交流学习!
【工具使用】STM32CubeMX-片内Flash读写操作
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知识噬元兽的博客
05-19 1730
无论是新手还是大佬，基于STM32单片机的开发，使用STM32CubeMX都是可以极大提升开发效率的，并且其界面化的开发，也大大降低了新手对STM32单片机的开发门槛。 本文主要讲述STM32芯片片内Flash功能的应用及其相关知识。
cubemx STM32的FLASH内存读写
weixin_46698809的博客
11-22 3234
cubemx STM32的FLASH内存读写 STM32系列的命名规则 Flash内部结构组织 页 Flash存储器中一种区域划分的单元，好比一本书中一页（其中包含N个字）。将一个存储器划分为多个（扇区、块）区域，更方便的编程管理这些存储单元。 扇区 扇区和页类似，也是一种存储结构单元，只是扇区更常见，大部分Flash主要还是以扇区为最小的单元。 ...
STM32 + CubeMX + Flash读写数据
lin
06-28 1415
STM32 HAL Flash读写数据
STM32CubeMX | STM32F1系列HAL库读写内部FLASH
^_^
05-08 1万+
STM32使用HAL库读写内部FLASH 测试环境： STM32F103RB 20KBytes RAM 128KBytes FLASH 头文件： //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// /** * @brief ...
STM32Cube学习笔记-内部FLASH读写操作
qq_25207883的博客
05-02 3121
今天记录一下使用STM32Cube MX配置单片机，然后对单片机的内部FLASH进行操作的试验。 硬件：野火STM32F429挑战者开发板；软件：STM32Cube MX、Keil 5 STM32F4系列的单片机的内部FLASH较大，在写操作时是先擦除扇区，这个和STM32F1系列有所不同；先找到一张图片，是STM32F429IGT6的内部FLASH扇区。 可以操作的扇区为块1的部分，有0~11总共12个扇区，其中0~3扇区为16Kbits，4扇区为64Kbits，5~11扇区...
STM32 CUBEMX系列——flash的使用
liutao_CSDN的博客
05-25 3807
STM32 CUBEMX系列——flash的使用 文章目录STM32 CUBEMX系列——flash的使用1、flash地址2、创建flash.c和flash.h3、添加代码总结 1、flash地址 查阅使用芯片的flash地址范围 2、创建flash.c和flash.h 创建flash.c放于src文件夹，flash.h放于inc文件夹。然后在工程中添加。 找到flash.c后点击add，编译工程后即可。 3、添加代码 在flash.h中添加如下代码： #ifndef __flash_H #de
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做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储，一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH，这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6，只有64KB的FLASH，没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。
【STM32+cubemx】0015 HAL库开发：内部flash读写
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本节我们来学习stm32内部flash的读写。在某些应用中，我们需要保存少量掉电仍然不丢失的数据，而在电路板上额外增加一块eeprom或者flash又太浪费硬件资源，这时我们就可以把这些数据保存在stm32内部的flash里。
task stm32cubemx 读写内部flash
03-18
<think>好的，我现在需要帮助用户了解如何使用STM32CubeMX实现内部Flash的读写操作。根据用户提供的引用内容，特别是引用[1]和[2]，这些内容提到了SPI接口的配置和寄存器的封装方法。但用户现在的问题是关于内部Flash的，而不是外部SPI Flash，所以需要调整方向。 首先，内部Flash的读写通常不需要外部硬件配置，比如SPI引脚，而是直接通过HAL库函数操作。不过，用户可能仍然需要了解CubeMX的基本配置，比如时钟设置和工程生成步骤。引用[2]提到寄存器封装和结构体指针的使用，这在HAL库中也是常见的，所以可以参考这一点来解释库函数的调用。 接下来，我需要确定内部Flash操作的关键步骤：解锁Flash、擦除扇区、写入数据、锁定Flash。这些步骤在STM32中通常需要特定的函数，比如HAL_FLASH_Unlock和HAL_FLASH_Program。另外，用户可能需要了解如何计算正确的扇区地址，以及写入数据时的对齐要求，比如按半字（16位）写入。 用户可能还会遇到如何避免擦除已写入数据的问题，所以需要说明擦除操作的必要性。同时，需要提醒用户注意中断的影响，在操作Flash时禁用中断以防止错误。 示例代码部分应该展示如何调用这些HAL库函数，并处理可能的错误情况。此外，配置指南需要指导用户在CubeMX中正确设置时钟和生成代码，虽然内部Flash可能不需要外设引脚配置，但时钟的正确性很重要。 最后，生成的相关问题需要覆盖基本操作、地址获取、注意事项和错误处理，确保用户能全面理解内部Flash的读写过程。需要确保回答结构清晰，分步骤说明，并引用提供的资料中的相关部分，比如寄存器封装的概念，以保持一致性。</think>### 如何使用STM32CubeMX实现内部Flash读写操作 #### 1. CubeMX基础配置 STM32内部Flash的读写操作主要依赖HAL库函数实现，CubeMX无需特殊外设配置，但需确保系统时钟正确设置： 1. 在`Clock Configuration`中配置主时钟（如使用HSE/PLL） 2. 在`Project Manager`中勾选`Generate peripheral initialization as a pair of .c/.h files`[^3] #### 2. 关键代码实现 ##### 2.1 解锁Flash STM32内部Flash在写入前需要先解锁： ```c HAL_FLASH_Unlock(); // 解锁Flash操作 __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_ALL_ERRORS); // 清除错误标志[^2] ``` ##### 2.2 扇区擦除 Flash写入前必须擦除目标扇区（擦除后数据全为0xFF）： ```c FLASH_EraseInitTypeDef EraseInit; uint32_t SectorError = 0; EraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS; EraseInit.Sector = FLASH_SECTOR_2; // 根据实际地址选择 EraseInit.NbSectors = 1; EraseInit.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; // 3V范围 HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInit, &SectorError); ``` ##### 2.3 数据写入 按半字（16位）为单位写入数据： ```c uint64_t Data = 0x1234; // 需要写入的数据 uint32_t Address = 0x08008000; // 目标地址（需对齐） HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, Address, Data); ``` ##### 2.4 锁定Flash ```c HAL_FLASH_Lock(); // 操作完成后重新锁定 ``` #### 3. 完整示例代码 ```c void Write_Flash(uint32_t addr, uint16_t *data, uint16_t len) { HAL_FLASH_Unlock(); for(int i=0; i<len; i+=2) { HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, addr + i, *(uint32_t*)(&data[i])); } HAL_FLASH_Lock(); } ``` #### 4. 重要注意事项 1. **地址对齐**：写入地址必须是偶数（半字对齐） 2. **中断处理**：Flash操作期间需关闭中断 3. **扇区划分**：不同型号STM32的Flash扇区划分不同，需参考芯片手册 4. **数据验证**：建议写入后执行读取校验 $$ \text{操作时间估算公式：} T_{erase} = 2^{N+2}\ \text{ms}\ (N为扇区号) $$ #### 5. 数据读取 直接通过指针访问Flash地址： ```c uint16_t value = *(__IO uint16_t*)0x08008000; // 读取指定地址数据[^2] ```
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