整体思路
1.在本征半导体中加入三价元素可形成 P 型半导体。(五价磷元素形成N型)
2.当PN结加正向电压时,空间电荷区将(变窄)。
3.PN结的单向导电性:在PN结两端加正向电压时,内电场被削弱,空间电荷区变窄,有利于多子扩散,不利于少子漂移,PN结处于导通状态;当在PN结两端加反向电压时,内电场增强,空间电荷区变宽,有利于少子漂移,不利于多子扩散,PN结处于反向截止状态。
4.当二极管外加正向电压增大时,其动态电阻增大。
5.要使稳压管的稳压,其工作区为( 反向击穿区 )。
6.稳压管与普通二极管的区别:稳压二极管工作在反向击穿区,普通二极管主要工作在正向导通区。
7.晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区,在模拟电子电路中,要实现放大,晶体管应工作在(放大)区。
8.BJT的低频小信号模型是直流模型。
9.在FET内部,多子与少子都参与导电。(PS:场效应管只有多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
10.工作中JFET源极电流等于漏极电流,这一电流(穿过一对反偏的 PN结)。
11.FET没有输入特性曲线:输入电阻极大,电流几乎为0,所以没有输入特性曲线。
12.UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有(耗尽型NMOS、耗尽型PMOS)。
13.反映场效应管放大能力的一个重要参数是(跨导)。
第二章 基本放大电路
1.交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的幅度。
2.双极性三极管组成的放大电路有共射、共集和共基三种组态。
3.判断一个放大电路能否工作在放大状态:
满足发射结正偏,集电结反偏
输入信号源的电压尽可能引起基极电流变化
集电极电流变化要转换为uce的变换,并尽可能地输出到负载
1.在NPN管组成的基本共射放大电路中,如果静态工作点设置过高,容易出现(饱和)失真。
2.在单级放大电路的中频段,若输入为正弦波形,用示波器观察共射放大电路电路的输入与输出波形时,则uo和ui相位(反相)。
3.在共射、共集和共基3种基本放大电路组态中,电压放大倍数小于1的是