电力电子技术笔记

#电力电子学习笔记

#书籍：电力电子技术（王兆安 第五版）

一、概述摘要

        电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。很多系统中还会有检测电路，广义上往往将检测电路、控制电路和驱动电路都归为控制电路。在控制电路和主电路之间一般需要进行电气隔离。

        电力电子器件一般有三个端子，两个接到主电路（含一个公共端），第三个为控制端。

        按照被控程度，电力电子器件分为三种：

                1）半控型器件：导通可控，关断不可控，主要为晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件；

                2）全控型器件：导通可控、关断可控，常用的有绝缘栅双极晶体管（IGBT）、电力场效应晶体管（Power MOSFET）；

                3）不可控器件：电力二极管。

          按照驱动信号的性质，电力电子器件分为两种：电流驱动（控制）型器件、电压驱动（控制）型器件，电压驱动型器件也称为场控器件或者场效应器件。

         按照驱动电路的有效信号波形，电力电子器件分为两种：脉冲触发型和电平控制型两类。

         按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件分为两种：单极型器件（多子器件）、双极型器件（少子器件）和复合型器件（混合型器件）三类。

        

二、电力电子器件

一）不可控器件----电力二极管

相关知识补充：

        本征半导体 (intrinsic semiconductor))是指完全不含杂质的纯净半导体。因为不含杂质，其中的载流子仅仅只靠本征激发产生，其导电性很差。与之对应的是非本征半导体，根据掺杂不同分为N型半导体和P型半导体。P型以空穴为多子（多数载流子），主要通过掺杂三价元素得来（如硼）；N型以电子为多子，主要通过掺杂五价元素得来（如磷）。

当组成PN结后，接触面会发生载流子的移动。

首先，由于载流子的浓度差异，会发生扩散运动，使得接触面P区带负电，N区带正电，形成耗尽层（阻挡区或势垒区），产生阻碍扩散运动的内电场，这个过程形成（多子）扩散电流。另外，PN结中的内建电场会吸引对方区内的少子向本区内运动，引起漂移运动，这个过程形成（少子）漂移电流。扩散运动和漂移运动最终会达到动态平衡。

注意：当没有发生载流子交换时，他们各自都是电中性的。

导体一般都是保持电中性，即使有电流流过，也会在整体上保持电中性

1、电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的，如下图。

               

I、PN结的正向导通

        当PN结正向偏置(即外加电压的正端接P区、负端接N区)时，外加电场与PN结自建电场方向相反，使得多子的扩散运动大于少子的漂移运动，形成扩散电流I。

II、PN结的反向截止

        当PN结反向偏置(即外加电压的正端接N区、负端接P区)时，外加电场与PN结自建电场方向相同，使得少子的漂移运动大于多子的扩散运动，形成漂移电流，称为反向电流I，在温度一定时，漂移电流趋于恒定，被称为反向饱和电流，一般为微安数量级。即PN结反向偏置表现为高阻态，几乎没有电流流过。

 2、为了建立承受高电压和大电流的能力，电力二极管有如下不同：

        1)  大都是垂直导电结构，通过电流的有效面积增大，可以显著提高二极管的通流能力；

        2）在P区和N区之间多了一层低掺杂N区（用N-表示），称为漂移区。电力二极管的结构也被称为P-i-N结构。由于掺杂浓度低，低掺杂区可以承受很高的电压而不被击穿。低掺杂区的高电阻率对电力二极管的正向导通的不利影响，采用电导调制效应来解决。当正向电流较大时，压降仍然很低，为1V左右。

3、反向击穿

        齐纳击穿：高掺杂d减小，强电场破坏共价键使得价电子成为自由电子；

        雪崩击穿：自由电子撞击价电子破坏共价键，产生更多自由电子重复这一过程；

        热击穿：反向电流在一定限制内，击穿可恢复；电流过大时，PN结的耗散功率超过允许值就会烧毁PN结，造成热击穿（不可恢复）。

4、电容效应

        PN结中的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容（或微分电容），可分为势垒电容和扩散电容。 

5、静态特性：伏安特性；

      动态特性：零偏置、正向偏置、反向偏置这三种状态切换时，因为载流子的积累和消去产生的电压过冲、电流过大等现象。