我们知道想要做好一个LPDDR颗粒,需要考虑的是因素有很多例如,电源完整性,信号完整性,层叠的设计,布局的摆放,布线的合理规划,去耦电容的摆放等等,如下图所示:
之前小编做的项目上都是用的LPDDR4比较多,现在由于更新了SOC了,LPDDR4也改为LPDDR5了,下面是两个的一些区别项:
LPDDR5的设计规范如下所示:
1,Clock Signal Group:
DDR[7:0]_CK_CHA, DDR[7:0]_CK_BAR_A ,
DDR[7:0]_CK_CHB, DDR[7:0]_CK_BAR_B,
Notes:
• 100-ohm differential trace impedance. (100欧姆的差分阻抗控制)
• + / - 5 mils differential pair skew .(差分线对内的误差+-5MIL,而且是不能在差分线段上去绕线的,只有在两端补偿的。)
•布线的时候允许的通孔的总的VIA数目一般是两个。(SOC和DDR颗粒那边各自只能打孔一次。)
• Maximum length (PCB + package) should not exceed 1500 mils.(最大长度(PCB+封装)不应超过1500MIL,这个可以在前期走线的时候把走线的长度规则加上,走线总线的长度规则是不能加在total etch length这个规则上的,至于该怎么添加之前的文章中也有提及的,这边就不再赘述了,还有一点就是在绕线之前记得先把单板的层叠设置好,接