[DRAM Test]LPDDR4 VS LPDDR4X VS DDR4, LPDDR5 VS LPDDR5X VS DDR5

 DDR4与DDR5的区别

要了解突发长度的含义，需要知道内存是如何访问的。当 CPU 或缓存请求新数据时，将地址发送到内存模块和所需行，然后定位该列（如果不存在，则加载新行）。请记住，每一步之后都会有延迟。

之后，整个列以突发方式通过内存总线发送。

对于 DDR4，每次突发为 8（或 16B）。

对于DDR5，它已经增加到 32 （最高 64B）。每个时钟有两个突发，它们以有效数据速率发生。此外，与 LPDDR4 类似，DDR5 每个 DIMM 有两个 32 位通道，在双 DIMM 配置中总共有四个通道，预取和 BL 也增加到 16。这个数字其实是理想的，因为内存中的每个高速缓存线都具有相同的大小。

DDR4与LPDDR4的区别

LPDDR的迭代演变如下：

与 DDR4 相比，LPDDR4 具有更低的功耗，但是以带宽为代价的。

LPDDR4 具有双 16 位通道，因此每个 DIMM 有 32 位总线。

相比之下，DDR4 每个 DIMM 具有 64 位通道。

但是，与此同时，LPDDR4 具有更宽的 16n 预取，每个通道总共（16 words  x 16 bit）256 bit/32 bytes，是两个通道组合的两倍。

DDR4 的每个通道有两个 8n 预取，可将数据传入和传出控制器。两个 bank 是独立的，可以执行两个独立的 8n 预取，这是通过使用多路复用器对其内部组进行时分多路复用来完成的，每个组每个周期总共有 8 words x 64 bit = 512 bits（64 bytes）。

LPDDR4 还具有更灵活的突发长度，范围从 16 到 32（256 或 512 bits，32 或 64 bytes），主要使用 16 BL。另一方面，DDR4 限制为每个周期 8 个突发长度（128 bits或 16 bytes），每个 bank 可以执行额外的传输（来自两个不同的 bank 组）。

与标准 DDR4 内存相比，这种设计使 LPDDR4 的能效更高，非常适合用于电池待机时间长达 8-10 小时的智能手机。美光的 LPDDR4 RAM 以 2133 MHz 时钟频率，传输速率为 4266 MT/s，而三星紧随其后，时钟频率为 1600MHz，传输速率为 3200 MT/s。此外，正如在下表（来自维基百科）中所见，LPDDR4 (1.1v) 的电压比 DDR4 (1.2v) 低得多，尽管具有相似或更高的 I/O 总线时钟。

LPDDR4 再次针对低功耗进行了优化，

而 DDR4 内存则相反。

虽然 DDR4 内存由 16 个Bank组成，每个Bank Group包含四个独立的Bank，但 LPDDR4 和 LPDD4X DIMM 每个通道共有八个Bank，因此总数量为 16 个（16-bit x 2）。LPDDR5采用了类似于DDR4的结构。

LPDDR4 与 LPDDR4X的区别

与 DDR5 降低电压和功耗的方式类似，LPDDR4X 也是如此，它将 I/O 电压降低了 50%（1.12 至 0.61v），大大降低了内存和内存控制器的功耗。

此外，速度也从3200MT/s提升到4266MT/s（无OC），这是使用更快的 I/O 总线时钟（1600MHz 至 2134MHz）和内存阵列（200-266.7MHz）的结果，命令和地址总线保留了 6 位 SDR 空间。最后，它占用的片上空间更小，单个封装最多可包含 12GB 的 DRAM。不利的一面是，LPDDR4X 不向后兼容 LPDDR4，即使设备与更快的 LPDDR4 内存兼容，它也可能无法与 LPDDR4X 一起使用。

	LPDDR5 DRAM	LPDDR4 DRAM
设备尺寸	2Gb 到 32Gb（每通道） 4、8 和 16 个 bank 设备 1k、2k 和 4k 页面大小	2Gb 至 16Gb（每通道） 8 个 bank 设备 2k 页大小
速度	高达 6400 Mbps	高达 4266 Mbps
电压	1.8V DRAM 阵列 1.05V / 0.9V 核心 0.5V / 0.3 VI/O	1.8V DRAM 阵列 1.1V 核心 1.1V / 0.6VI/O

由于使用了动态电压缩放 (DVS)，LPDDR5 可以支持两种电压模式：1.05V (C) 和 0.5V (I/O)，高频时 0.9V (C) 和在低率下工作时0.3V (I/O)  。

LPDDR5 功能包括用于命令/地址 (C/A) 时钟 (CK) 的全新可扩展时钟架构，以实现更轻松的 SoC 时序收敛，以及 DDR5 的大部分功能，例如决策反馈均衡器 (DFE)、Write X 功能以节省功耗，并链接 ECC 以增强内存通道 RAS。

DDR5与LPDDR5的区别

LPDDR5 还具有更灵活的 bank 结构。

虽然 DDR5 包含 32 个Bank，但它的移动版本可以从 4 到 16 个Bank不等，最多有四个Bank组（尽管 1-2 是标准）。总体而言，LPDDR5 提高了电源效率，以及移动内存的频率和带宽，同时保留了 LPDDR4/LPDDR4x 众所周知的灵活性。

LPDDR5 比 LPDDR4 和 LPDDR4x 更节能。由于使用了动态电压缩放 (DVS)，它可以根据负载调整电压，进而调整内存频率。与LPDDR4/4x一样，LPDDR5 也具有双 16 位通道，以及高达 32（主要是 16）的突发长度。

另一方面，DDR5 每个 DIMM 具有两个 32 位通道（DDR4 每个通道有一个 64 位），每个通道的突发长度和预取为 16n（DDR4 只有一半）。根据 JEDEC 标准，DDR5 和 LPDDR5 都将支持高达 6400 Mbps 的速度，尽管我们不会在第一波模组中看到它们。LPDDR5 还将密度提高到每通道 32Gb，工作电压低至 VDD 1.05/0.9V 和 I/O 0.5/0.35V。

LPDDR5和LPDDR5X区别

LPDDR5是第五代低功耗内存标准，由JEDEC固态存储协会在2019年发布。它旨在提高内存速率和效率，特别适用于5G智能手机等产品。相比之下，LPDDR5X则是一种针对高端和旗舰智能手机设计的低功耗双倍数据速率第五代同步动态随机存取存储器，以满足这些设备对高速度和低功耗内存的需求。

主要区别在于以下几个方面：

数据传输速度：

LPDDR5的最大数据传输速率为7500Mbps。
LPDDR5X在此基础上进行了提升，最大数据传输速率达到了8533Mbps。这意味着LPDDR5X能够更快地读取和写入数据，理论上能够提升系统的整体性能。
功耗：

LPDDR5的工作电压为1.1V。
LPDDR5X通过降低工作电压进一步减少了功耗，尽管具体降低到多少伏取决于实现，但通常比LPDDR5更低，有助于提升设备的能源效率和延长电池寿命。
技术改进：

LPDDR5X在LPDDR5的基础上引入了技术改进，以支持更高的数据速率，这可能包括更好的信号完整性和时钟训练机制，以及更先进的电源管理技术。
应用领域：

由于其性能和效率的提升，LPDDR5X更适用于高性能移动设备，如高端智能手机、平板电脑以及便携式游戏设备等，尤其是在需要处理大量数据、支持高速网络连接或者运行高负载应用的场景中。
综上所述，LPDDR5X相比LPDDR5，在数据传输速度和能效方面都有所提升，是针对新一代移动和便携设备优化的内存解决方案。尽管这些差异在日常轻量级应用中可能不易察觉，但对于需要高性能和长续航的应用场景，LPDDR5X能提供更显著的优势。

LPDDR5X

LPDDR5