HFSS实战项目——基片集成波导（SIW）带通滤波器

1.1 引言

集总元件和分布元件是微波以及毫米波滤波器的主要设计形式，分布元件的基本结构有微带线、波导结构、同轴线和带状线等。同轴结构的优点是防干扰性强和损耗低，缺点是随着工作频率的提高，目前的加工工艺和精度达不到设计要求。波导结构的优点是损耗低、高Q值和大功率容量等，但是其缺点是重量和尺寸大，不利于系统的小型化和集成化，不适用于现代便携式通信设备。微带线和带状线属于平面电路，其优点是具有尺寸小、易加工、易集成等优点，缺点是辐射损耗较大。

随着对新型结构的不断探索，发现基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide, SIW)结构的诸多显著优点，例如：辐射损耗低、较强的抗干扰能力、可集成且价格低，使其非常适合作为新的导波结构设计各种微波器件，特别适合设计微波滤波器。然而在实际的工程应用中，SIW结构也存在着一些缺点，导致实际工程电路很少用到，例如在低频由于波长限制，导致SIW体积太大，在高频SIW结构的制造工艺的精度达不到，设计和加工相对难度较高。随着科学技术和材料学的不断进步，加工工艺技术的不断提高，SIW结构的优越性将变得越来越显著，将在整个微波学术界越来越盛行，对SIW结构在微波毫米波频段得到了广泛应用有着十分重大的科学意义。本文主要阐述了SIW带通滤波器的设计方法和实现过程。

微波通信发展至今，微带线等平面结构特别广泛的应用在集成化微波电路，但是该类结构的辐射耗损随着频率增高不断的增大，使其在毫米波段工作时具有很大的受限。较大的辐射也导致这类结构设计的微波器件的品质因数较低。然而，传统矩形波导等立体结构由于其自身属于闭合结构，辐射损耗特别小，也使得这类结构设计的微波器件的品质因数较高。但是立体结构的微波器件相对来说比较大，不适用于集成度较高的设备。正是为了解决上述矛盾，一种SIW导波结构被提了出来，这就是我们要研究的对象。SIW结构弥补了平面结构和立体结构的缺点，具有很小的辐射损耗和较高的Q值等优点，为设计出高性能的集成电路提供了新的思路。两排金属化过孔构成了SIW结构两边的金属壁，其作用与金属波导的窄边很相似，金属孔相互之间的距离必须满足要远小于工作时的波长的要求，能量就会被控制在内部传播，达到抑制能量向导波外面辐射的效果，这样就可以让电磁波按照我们设计的方向进行传播。SIW的物理结构可以分成三部分，分别为低损耗介质基板，基板上下各镀上一层导电金属以及基板两侧的两列周期性的过孔，共同组成了SIW结构。从上面的介绍可以知道，SIW结构的传输特性与传统的立体导波结构有很多相同之处。依据现代精确的加工工艺，例如成熟的LTCC或者PCB工艺。因为微带线和基片集成波导一样，需要基于低损耗的介质基片，所以它们可以集成在同一块电路板上，这样就可以达到缩小体积以及降低加工难度目的，十分适用于未来微波器件的设计。

2.1 带通滤波器

2.1.1 带通滤波器结构

如何用微波结构来具体的实现带通滤波器的谐振结构和耦合结构，是滤波器中重要的部分。

• 谐振结构

谐振结构是一种基于谐振原理的滤波器结构，其基本原理是利用谐振电路的共振特性来实现对特定频率的信号的滤波。谐振结构通常由一个电感和一个电容组成。如下图所示。

在谐振结构中，电感和电容的数值可以根据需要来确定，以实现对特定频率的滤波。当输入信号的频率等于谐振电路的共振频率时，电路中的电感和电容会形成一个共振回路，从而使得该频率的信号得到放大，而其他频率的信号则被滤除。

谐振频率fc=12πLC

• 耦合结构

耦合结构是一种基于电感耦合原理的滤波器结构，其基本原理是利用电感之间的耦合作用来实现对特定频率的信号的滤波。耦合结构通常由两个电感和一个电容组成。

在耦合结构中，两个电感之间通过一个电容相互耦合，从而形成一个共振回路。当输入信号的频率等于共振频率时，电路中的电感和电容会形成一个共振回路，从而使得该频率的信号得到放大，而其他频率的信号则被滤除。

• 谐振结构与耦合结构的比较

谐振结构和耦合结构都可以用于实现带通滤波器，但它们的结构形式和工作原理有所不同。谐振结构只需要一个电感和一个电容，结构简单，但是对于一些高频信号，电感和电容的数值很难确定，因此谐振结构的应用范围受到一定限制。耦合结构需要两个电感和一个电容，结构相对复杂，但是对于一些高频信号，电感和电容的数值可以通过调整耦合系数来实现，因此耦合结构的应用范围更广。

• 小结

带通滤波器是一种常见的电子滤波器，谐振结构和耦合结构是两种常见的结构形式。谐振结构基于谐振原理，结构简单，但是对于一些高频信号的滤波效果不佳；耦合结构基于电感耦合原理，结构相对复杂，但是对于一些高频信号的滤波效果更好。在实际应用中，应根据具体情况选择合适的结构形式。

2.1.2 带通滤波器设计指标

如何根据厂家所提供的指标设计带通滤波器的参数，是设计带通滤波器的关键。

带通滤波器的设计流程如下：

1. 根据指标确定滤波器的通带和阻带频率范围，以及通带和阻带的最大衰减量和最小增益要求。
2. 选择合适的滤波器类型，如巴特沃斯、切比雪夫、椭圆等。
3. 根据滤波器类型和要求，计算滤波器的阶数和极点位置。
4. 查表或软件找到原型低通滤波器参数，根据原2.型参数，确定滤波器耦合系数和Q值。（这一步也可以用软件计算得到）。
5. 依据中心工作频率，计算单个谐振器长度和宽度。
6. 依据耦合系数，计算谐振器之间的距离。
7. 依据Q值，计算输入输出结构及高度。

2.2 广义切比雪夫综合理论

由广义切比雪夫原型得到传递函数的分子分母多形式FN, PN, EN是综合滤波器以及得到耦合函数的基础。由FN可求得S11的零点, 由PN可求得S21的零点。其关系由下列公式表示:

 

具体的迭代计算方法在Cameron和Amari的文章中已经很详细的叙述了, 这里不再赘述。由图1的通用带通滤波器电路模型可以耦合系数与电路各部分之间的关系。

根据基尔霍夫定理可得方程组:

写成矩阵如式 (3) 矩阵形式。

 

如果设A=[ωU-jR+M]

其中[U]为单位矩阵, R为R11=R1, Rnn=Rn, 其余元素为0的N阶矩阵, M是耦合矩阵。

设[e]t=[1, 0, 0, ⋯0, 0], 这里t代表是转置矩阵。设[I]为电流向量

那么上式可简化写为:

 

则可以由耦合矩阵计算出[I], 由此得出耦合矩阵和S参数的关系如下式:

 图1 通用带通滤波器电路模型题

2.3 基片集成波导

2.3.1 基片集成波导定义

基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide，SIW)技术是近几年提出的一种可以集成于介质基片中的具有低插损、低辐射、高功率容量等特性的新的导波结构，它是通过在上下底面为金属层的低损耗介质基片上，利用金属化通孔阵列而实现的，其目的是在介质基片上实现传统的金属波导的功能。

它可以有效地实现无源和有源集成，使微波毫米波系统小型化，甚至可把整个微波毫米波系统制作在一个封装内。其本身也是一种立体的周期性结构。

而且它的传播特性与矩形金属波导类似，所以由其构成的微波毫米波甚至亚毫米波部件及子系统具有高 Q 值、高功率容量，易与其它平面电路和芯片集成等优点，同时由于整个结构完全为介质基片 上的金属化通孔阵列所构成，所以这种结构可以利用多层印刷电路板 （PCB） 工艺、低温共烧（LTCC） 工艺、甚至薄膜电路工艺精确实现，并可与微带电路实现无隙集成。

与传统的波导形式微波毫米波器件的加工成本相比，基片集成波导微波毫米波器件的加工成本十分低廉，不需任何事后调试工作，非常适合微波毫米波电路的集成设计和大批量制作。

基片集成波导技术目前处于刚刚兴起的阶段，因此有许多理论问题需要研究，有很多应用领域亟待开拓。

近几年，在对基片集成波导结构传输特性充分研究的基础上，实现了高性能的滤波器、双工器、定向耦合器、功率分配器、天线阵列等以及多种有源器件，极大的推进了基片集成波导技术的发展。

高频应用中，由于波长过小，过于高的容差要求常常使微带线失效。波导就常用于高频情况，但是波导体积大，不易于集成。所以产生了一种新的观点：基片集成波导SIW。SIW是介于微带与介质填充波导之间的一种传输线。 SIW兼顾传统波导和微带传输线的优点，可实现高性能微波毫米波平面电路。

2.3.2 基片集成波导结构

基片集成波导本质上是一种能在平面介质基板上实现波导功能的结构，如图所示。介质基板上下覆盖金属，两排金属通孔打穿整个介质板形成基片集成波导。两排金属通孔可以模拟矩形波导的窄边，和上下层的金属基片一起组成了近似封闭的导波结构，当通孔的直径和间距按照一定原则设计时就可以有效地将电磁波束缚在其中。这样一来，矩形波导就以平面的形式实现了。

SIW可以近似看成是填充介质的矩形波导。只是窄壁被金属过孔所代替。SIW的主要参数包括介质厚度h, 平行金属过孔之间的距离w, 相邻金属过孔距离s, 金属过孔的直径d.基片集成波导的设计需要根据工作频率确定与其内部填充相同介质的矩形波导的等效宽度，再确定基片集成波导的宽度。

原理

1，采用PCB，LTCC或者薄膜工艺实现两排金属过孔

2，电磁波被限制在两排金属孔和上下金属边界形成的矩形腔内

3，由于边上的过孔，横磁波（TM）不存在，横电波TE10模为主模。

考虑加工，衰减及能量泄漏等特性，基本尺寸为：

sd<2 ,   dw<0.2

SIW可等效为矩形波导,矩形波导宽边为a，其等效公式为：

a=w-1.08d2s+0.1×d2w

2.3.3 基片集成波导传输特性

基片集成波导传输电磁波的模式和传统的金属波导非常相似。基片集成波导的通孔结构相当于金属波窄边在垂直方向开缝。根据波导表面的电流分布可知，当传输TE10模时，开缝并不切割电流，不会产生辐射泄漏，而TM模电磁波在窄边的电流方向为水平的，垂直的开缝一定会切割电流线而产生辐射，导致TM模电磁波不能在其中传播，所以基片集成波导结构只能传输TE模，且主模为TE10。

矩形波导模的各场分量表达式为：

 基片集成波导的宽度与等效波导宽度的经验公式：

该等式也可以表达为：

 

 对于等效的波导模型，其截止频率为：

截止波长：

波导波长：

 为了防止电磁波泄露，金属通孔的放置还需满足以下条件：

 

在指定的工作频率f下，为了使等效波导传输主模TE10模，需要满足工作频率大于TE10模的截止频率：

 还要确保不能出现TE20模，工作频率还需要小于TE20模的截止频率，即：

 例如可以取：

便可以由工作频率求得等效宽度，进而求得基片集成波导的实际宽度。

2.4 设计实例

本节设计了一款直接耦合的SIW带通滤波器, 采用直接耦合的形式, 工作频率覆盖19~21 GHz, 通带内插入损耗小于1.5 dB, 回波损耗小于-20 dB, 带外抑制特性良好.具体设计过程如下:

根据所需设计的滤波器中心频率和带宽, 确定滤波器的截止频率, 通过公式(1), 由截止频率计算得出滤波器中SIW谐振腔的尺寸.由于设计中实现的滤波器为耦合谐振器带通滤波器, 因此采用耦合矩阵法计算出各谐振腔之间的耦合系数和外部品质因数.利用电磁仿真软件HFSS建立工程, 通过仿真得到耦合系数和外部品质因数与谐振腔的物理尺寸之间的对应关系, 计算得到滤波器各部分的尺寸大小.建立初步的滤波器整体模型, 并设置相关的激励和边界条件.其中, 金属圆柱可以用边界条件为perfect E的圆柱面代替.对模型进行仿真分析, 仿真得到的响应波形与理论上会存在误差, 该误差可以通过对整体模型的进一步优化来减小或消除.

通过仿真对比得到, 在谐振频率处于20 GHz时, 谐振腔宽度H=10.5 mm.根据技术指标要求, 确立该滤波器使用的阶数为4阶.采用耦合系数法, 利用Matlab编程计算得出该滤波器的归一化耦合矩阵为

                           m=     00.8236    0.823600  00.6059  0         0   0.6059         0 0         00.8236      0.82360              (3)

通过转换可以得到相邻谐振腔之间的耦合系数, 转换公式如下:

Mi,j=WFB×mi,j,i≠j                                                     (4)

计算得到M1, 2=0.083 6, M2, 3=0.060 59, M3, 4=0.082 36.滤波器的外部Q值是影响滤波性能的一个重要因素, 可以通过式(5)得到:

                             Q1=1M0,12×WFB ,  Q2=1M4.52×WFB                                         (5)

式(4)、(5)中:WFB表示滤波器的相对带宽; M0, 1表示输入端口与第一个谐振腔之间的M矩阵耦合系数; M4, 5表示输出端口与最后一个谐振腔之间的M矩阵耦合系数, 由“N+2”型耦合矩阵的计算方法可以得到.带入数值后得到品质因数Q1=Q2=17.3.

综上计算得到了谐振器之间的相关系数, 使用电磁仿真软件HFSS建立该SIW之间耦合带通滤波器的初始模型, 通过参数扫描对模型尺寸进行调整, 以实现较好的传输特性.

直接耦合SIW滤波器平面结构如下图所示.从图中可以看出, 四个由金属板面与金属圆柱组成的四个谐振腔呈横向排列.第一个和第二个谐振腔通过过渡结构接入源和负载, 各谐振腔通过横向的耦合窗口进行能量的传递.

综上所述，该滤波器总体设计如下：

选择Rogers5880板材，εr=2.94，损耗角正切tanD=0.0012；金属通孔p=1mm，d=0.5mm,asiw=10.5mm,L1=4.03mm,L2=4.52mm,W12=3.22mm，W23=2.99mm，Wms=1.28mm,H=0.508mm

2.4.1 使用工具

HFSS软件、PCB特性阻抗计算工具软件TXLine

2.4.2 专业工具局限性

HFSS的局限性：

1. 对于大尺寸结构的仿真有限：由于HFSS采用的是有限元方法，对于大尺寸结构的仿真能力有限，需要进行分块处理，增加计算复杂度。
2. 计算速度较慢：由于HFSS采用的是有限元方法，计算速度相对较慢，特别是在处理大型模型时，计算时间会更长。
3. 计算速度较慢：由于HFSS采用的是有限元方法，计算速度相对较慢，特别是在处理大型模型时，计算时间会更长。
4. 对于复杂结构的建模难度较大：HFSS对于复杂结构的建模难度较大，需要进行复杂的几何建模和网格划分，增加了建模的难度和计算的复杂度。

2.4.3 HFSS仿真

在HFSS软件中建立本设计中滤波器的初始模型

1. 建立工程SIW.hfss
2. 在“Solution Type”中选择“Diven Modal”
3. 建立3D模型
4. 

1. 求解设置

根据滤波器设计要求，求解频率设为20GHz，扫频14~26GHz，步进2MHz

仿真结果

由上图仿真结果，可以看到曲线不够光滑

仿真结果优化

对比由计算出的参数得到的仿真结果，对整个滤波器进行微调处理，修改参数进行仿真优化。当Wio=4.19mm时，得到上图曲线，可以看出该滤波器还是有较好的滤波性能，插入损耗在5dB以下，谐振频率为20GHz时，回波损耗在-10dB以下，带外抑制良好，在通带外16GHz处，对信号的衰减成都达到了50dB。由于HFSS软件限制和仿真模型不够精确，例如输入输出线的位置，以及微带线和SIW转换产生的额外损耗等因素。

上图为滤波器中20GHz的电场幅度分布，可以看出电场主要分布在谐振腔中间，这是由于SIW的谐振特性导致的。

2.5 总结

本设计基本实现了指标要求，插入损耗在5dB以下，谐振频率为20GHz时，回波损耗在-10dB以下，带外抑制良好，在通带外16GHz处，对信号的衰减成都达到了50dB。由于HFSS软件限制和仿真模型不够精确，例如输入输出线的位置，以及微带线和SIW转换产生的额外损耗等因素，达不到回波损耗小于-20dB的指标要求。私以为，理论上可以通过以下几种方式进行优化：

1：优化滤波器的设计结构，可以通过优化滤波器的设计结构，如改变耦合方式，调整孔间距W和谐振腔尺寸来减小回波损耗。

2：优化滤波器的材料选择

3：优化滤波器的匹配网络：可以采用合适的匹配网络，如微带线、耦合线等，来提高滤波器的匹配度，从而减小回波损耗。