iNand NandFlash NorFlash Flash SRAM ROM

内存和外存的区别：
一般是把这种RAM（random access memory 随机访问存储器，特点是任意字节读写，掉电丢失）叫内存。
把ROM（read only memory 只读存储器，类似于Flash SD卡之类的，用来存储东西的，掉电不丢失，不能随机地址访问，只能以块为单位来访问）叫外存。
SRAM：
静态内存SRAM Static RAM，上电就能用，总线式访问，不需要初始化就能用。
DRAM:
DRAM动态随机存取存储器Dynamic RAM,每隔一段时间要对DRAM刷新充电一次，否则内部数据就会消失。
SDRAM：
SDRAM (Syncronized Dynamic Ramdam Access Memory) 同步动态随机存储器。
DDR: DDR SDRAM 是SDRAM的升级版，DDR有好多代 DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 LPDDR……
SDRAM 的特点：容量大价格低，掉电易丢失，随机读写，总线式访问。
SDRAM/DDR 都是动态内存（相对静态内存SRAM）都需要先运行一段初始化代码才能使用，类似于SDRAM和SRAM的区别的还有NorFlash 和NandFlash。SDRAM通过地址总线和数据总线（总线接口）和SOC通信。
ROM:
ROM最初不能编辑，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活，后来出现了prom，可以自己写一次，如果写错了就只能再换一片了，后来又出现了可多次擦除写入的EPROM,每次擦除都要把芯片拿出来用紫外线照一下。
EEPROM:
电可擦除可编程只读存储器，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,是相对于紫外线擦除的rom来讲的。
Flash：
Flash属于广义上的EEPROM，因为它也是电擦除的rom，但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM,我们都叫它Flash。Flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位。（NandFlash按块擦除，按页读取，NorFlash可以读取任何一个字节但是仍要按块来擦除，NorFlash没有页）。Flash分为NorFlash和NandFlash。

NorFlash：
NorFlash数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节，但是擦除仍要按块来擦除，掉电不丢失。所以NorFlash可以作为启动介质，
NandFlash:
NandFlash同样是按块来擦除，但是数据线和地址线和控制线都是复用的，需要软件控制读取时序，所以不能像NorFlash 内存一样利用地址线随机访问，读取只能按页读取，按块来擦除，掉电不丢失。
以前只有NorFlash作为启动介质，但是由于stepping stone 的技术，让NandFlash也可以作为启动介质，stepping stone（启动基石）技术就是在SOC内部内置4KB的SRAM,然后开机时，SOC根据OMPin判断用户设置的启动方式，如果是NandFlash启动，系统启动加电后，会把NandFlash上起始的4KB拷贝到SRAM里去执行，这样就实现了从NandFlash启动。（S3C2440把Bootloader烧到NandFlash上启动，因为在S3C2440里有一个内置的SRAM,叫做垫脚石stepping stone）。
NandFlash分为MLC和SLC两种，SLC技术比较早，可靠性高，缺点是容量做不大，容量做大了又太贵；MLC技术比较新，不成熟，可靠性差，优点是可以做很大很便宜，现在基本都在发展MLC技术。
SD卡 MMC卡 MicroSD TF卡：
这些卡其实内部就是Flash存储颗粒，比直接的Nand芯片多了统一的封装和接口。
iNand MoviNand eSSD：
近年来的趋势是直接内置大容量的Flash芯片而不是外部扩展卡，现在主流的发展方向是使用iNand MoviNand eSSD等来做电子产品的存储芯片，这些东西的本质还是NandFlash，其内部由Nand的存储颗粒组成，内部集成了块设备管理单元，提供了诸如坏块管理功能。综合了SD卡为代表的各种卡的优势和原始的NandFlash芯片的优势。（可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化。）

本博文只是作为自己的一个笔记（本笔记是跟着朱有鹏老师视频课所做的笔记总结），如果能帮助其他人更好，若有疑问欢迎指出，欢迎加QQ 1922546282，共同讨论与学习。