一、动态功耗
①翻转功耗(Switching Power)
翻转功耗是由充放电电容引起的动态功耗,其推导过程很简单,但是这个最终的结果却十分重要。
1. switching power 和负载电容、电压、0到1变化事件的发生次数、时钟频率有关;
2. switching power和数据无关,也就是传输的数据不会影响翻转功耗,但是数据的翻转率会影响翻转功耗。
由这个公式我们很容易得到如果想减少功耗,那么方法就是:
1. 降低电压;
2. 降低翻转率;
3. 减少负载电容;
②短路功耗(Internal Power)
短路功耗又可以称为内部功耗,主要原因是直接通路电流引起的功耗,即短路造成的。短路功耗是因为在输入信号进行翻转时,信号的翻转不可能瞬时完成,因此PMOS和NMOS不可能总是一个截止另外一个导通,总有那么一段时间是使PMOS和NMOS同时导通,那么从电源VDD到地VSS之间就有了通路,就形成了短路电流,如下面的反相器电路图所示: