【菜鸡的自动化学习之旅】《电力电子技术》学习笔记1.4 ———— 电力场效应晶体管

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一、电力场效应晶体管简介

• 分为结型和绝缘栅型
• 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor —— SIT）
• 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET）

特点：

• 用栅极电压来控制漏极电流
• 驱动电路简单，需要的驱动功率小
• 开关速度快，工作频率高
• 热稳定性优于GTR
• 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置

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二、电力场效应晶体管的结构和工作原理

1. 电力MOSFET的种类

电力MOSFET的种类
分类方式	按导电沟道		按导电沟道产生的过程
类别	P沟道型	N沟道型	耗尽型	增强型
			当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。（栅极加电压导电沟道耗尽）	对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 （栅极加电压导电沟道增强）
注意	电力MOSFET主要是N沟道增强型

2. 电力MOSFET的结构

电力MOSFET的结构和电气图形符号

• 是单极型晶体管
• 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别
• 采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计
• 小功率MOS管是横向导电器件
• 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）
• 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）

这里主要以VDMOS器件为例进行讨论：

• 截止：当漏极D接电源正，源极S接电源负，栅极G和源极S之间电压为零，沟道不导电
• 导通：栅极G和源极S之间加正向电压$U_{GS}$ ，并且使$U_{GS}$大于等于管子的开启电压$U_T$ ，在漏源极间流过电流$I_D$
• $U_{GS}$超过$U_T$越大，导电能力越强，漏极电流$I_D$越大。

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三、电力MOSFET基本特性

1. 静态特性

① 转移特性

• 漏极电流$I_D$与栅源之间电压$U_{GS}$的关系
• 由于MOSFET是压控器件，因此用跨导这一参数来表示器件放大能力。跨导定义为：$g_m=\Delta I_D/\Delta U_{GS}$
• $U_T$为开启电压，只有当$U_{GS}＝U_T$时才会出现导电沟道，产生漏极电流$I_D$

② 输出特性

即漏极的伏安特性：

• 截止区（对应于GTR的截止区）
• 饱和区（对应于GTR的放大区）
• 非饱和区（对应GTR的饱和区）
• 饱和：漏极电流$I_D$不随漏源电压$U_{DS}$的增加而增加，是基本保持不变。
• 非饱和：在$U_{GS}$一定时，$I_D$随$U_{DS}$增加呈线性关系变化

工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换

2. 动态特性

电力MOSFET：单极型器件，靠多数载流子导电，因此开关速度快、时间短，一般在纳秒数量级

• MOSFET的开关速度和$C_{iSS}$充放电有很大关系
• 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速
• 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的
• 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率
• 开关频率越高，所需要的驱动功率越大

图中：

开通过程：

• $t_{d(on)}$：开通延迟时间
• $t_r$：上升时间
• $t_{on}$：开通时间，$t_{on}=t_{d(on)}+t_r$

关断过程：

• $t_{d(off)}$：关断延迟时间
• $t_f$：下降时间
• $t_{off}$：关断时间，$t_{off}=t_{d(off)}+t_f$

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四、电力MOSFET的主要参数和安全工作区

1. 主要参数

a. 漏极击穿电压$B{U}_D$

  不使器件击穿的极限参数，它大于漏极电压额定值，$B{U}_D$随结温升高而升高，与GTR和GTO不同

b. 漏极额定电压$U_D$

  它是器件的标称额定值

c. 漏极电流$I_D$和$I_{DM}$

  $I_D$是漏极直流电流的额定参数，$I_{DM}$是漏极脉冲电流幅值

d. 栅极开启电压$U_T$

  是开通Power MOSFET的栅－源电压。(又称阈值电压)

e. 栅源电压$U_{GS}$

  栅源之间的绝缘层很薄，$|U_{GS}|>20V$将导致绝缘层击穿

f. 跨导$g_m$

  表征Power MOSFET栅极控制能力的参数

g. 极间电容

  通常生产厂家提供的是漏源极短路时的输入电容$C_{iss}$、共源极输出电容$C_{oss}$、反向转移电容$C_{rss}$。它们之间的关系为：

• $C_{iss}=C_{GD}+C_{GS}$
• $C_{oss}=C_{GD}+C_{DS}$
• $C_{rss}=C_{GD}$

h. 漏源电压上升率

  器件的动态特性还受漏源电压上升率的限制，过高的$\frac{du}{dt}$可能导致电路性能变差甚至引起器件损坏

2. 安全工作区

电力MOSFET正向偏置的安全工作区

  安全工作区即为最大漏源电压极限线Ⅰ、最大漏极电流极限线Ⅱ、漏源通态电阻线Ⅲ、最大功耗限制线Ⅳ、四条边界极限所包围的区域（四种情况：直流DC，脉宽10ms、1ms、10μs）

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