H25BFT9TC1(3DV7)_QLC ,AD892C1B30C0,Hynix 176L 3Dv7

最新推荐文章于 2024-09-29 21:41:47 发布
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H25BFT9TC1(3DV7)_QLC         ,AD892C1B30C0,Hynix 176L 3Dv7

H25BFT9TC1*2(3DV7)           ,AD7E290B00C0,Hynix 176L 3Dv7

H25BFT9TC1(3DV7)             ,AD7E280B00C0,Hynix 176L 3Dv7

SDUNCIAMA-064GB(BICS5)_4B    ,984999037A64,Toshiba 112L BiCS5

SDUNCIAMA-256GB(BICS5)       ,98499A037EE4,Toshiba 112L BiCS5

SDUNCIAMA-064GB(9T45)        ,983EA8037AE4,Toshiba 112L BiCS5

SDUNCIAMA-064GB(BICS5)_2B    ,984899037AEC,Toshiba 112L BiCS5

SDUNCIAMA-128GB(BICS6)       ,4548A8037AE5,Sandisk 162L BiCS6

SDUNCIAMA-128GB(BICS6)       ,4548A8037A65,Sandisk 162L BiCS6

MT29F128G08CBCAB(L95B)       ,B5846454A9,Spectek 16nm(L95B)

SDTNQFAMA-008G(6DDJ)*4       ,453C9693F457,Sandisk 19nm

SANDISK_6DDJTA00             ,45DE949376D7,Sandisk 19nm

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H25G9TD18CX576(3DV8)         ,AD7E283B00D0,Hynix 238L 3Dv8

H25G9TD18CX576(3DV8)         ,AD89283B00D0,Hynix 238L 3Dv8

MT29F128G08CBCEB(L05B)       ,89844434AA,Intel 32L(L05B)

MT29F128G08CBCEB(L05B)       ,8984C434AA,Intel 32L(L05B)

FNNB05A128G1KDBAB(B05A)      ,2C845832A100,Micron 32L(B05A)

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《海力士3DV4 SSD修复与量产工具详解——基于SM2258XT主控》 在存储设备领域，海力士（Hynix）作为全球知名的半导体制造商，其3D TLC NAND闪存技术备受关注。特别是海力士三代TLC 3D V4，因其高效能和高密度特性，...
H25JGT8A1MDA-BCH ,AD89285300B2,Hynix 128L 3Dv6
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09-29 63
量产工具一站式下载平台：量产部落（club.liangchanba.com）H25JGT8A1MDA-BCH ,AD89285300B2,Hynix 128L 3Dv6H25BFT8A1B ,AD7E295302B0,Hynix 128L 3Dv6H25BFT8A1B ,AD7E285302B0,Hynix 128L 3Dv6H25BFT8A1B ,AD5E285302B0,H
YS9082HP+H25BFT8A1B8R-BDJ_1V2(BFTB6)量产失败
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01-29 772
辛士达固态硬盘安装系统总感觉不正常，想量产一下看看是否正常，用YS9082HP_RDTSortingTool_V8.00.00.02.02_HPS1A30S_V2.02_N28软件开卡，片选后RDT扫描正常，但量产到85%后显示写表错误，点出看是第一个flash错误，就狠心拆掉第一个，把第二个用热风枪吹到第一位，开64G结果同样开卡显示写表错误，晕的，是否N28的量产软件还有其他的？估计是软件问题了...
YS9082HC量产H25BFT8A1B8R/HY3DV6颗粒一直开不过，卡86%报错通信异常解决办法，附YS9082HC量产工具
2301_80820824的博客
06-19 538
收的240G的固态，YS9082HC的主控，颗粒是海力士的H25BFT8A1B8R，HY3DV6制程：下载了几个开卡工具，倒是能识别颗粒，RDT跑了也过了，再开卡就一直失败，到86%时报错通信异常，又找了几个开卡工具版本，试了一样报错：
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常见闪存颗粒ID、制程大合集（一）
songsongabd的博客
08-24 441
量产工具一站式下载平台：量产部落（club.liangchanba.com）
H27QEG8M3MDA-BCC ,AD5C28BA0080,Hynix 48L 3Dv3
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量产工具一站式下载平台：量产部落（club.liangchanba.com）H27QEG8M3MDA-BCC ,AD5C28BA0080,Hynix 48L 3Dv3H25QFT8A1A ,AD5E28221080,Hynix 48L 3Dv3H27QDG8M2C8R ,AD5A28BA0080,Hynix 48L 3Dv3MT29F384G08EBHAF_1(B0KB) ,2CB47832AA,Micron
3D NAND原厂：哪家芯片存储效率更高？
存储随笔
06-12 1074
三星在每一代产品中均保持最高的VCE水平，如单层结构的128L达到94.1%，176L COP V-NAND为92.1%，而236L第二代COP V-NAND则达到了94.8%。KIOXIA的162L产品VCE稍低，为88%。计划跳过第7代，直接进入BiCS第8代，第直接采用218层，后续正在开发284层的产品，两者都将采用两片晶圆的混合键合技术。未来两到三年内，市场有望见到超过500层乃至600、700层的3D NAND产品，这将依赖于更先进的混合键合技术和优化的铁电材料，以及低温HAR蚀刻技术。
ev3编程 python_Micropython 与EV3
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1. 共享指针总体的使用来说是不线程安全的（构造和析构时才会改变引用计数，但是在访问资源时是不安全的）。可以对引用计数改变时加锁，或者将+或-操作改变为原子操作。3. 不可以将shared_ptr转换为unique_ptr。unique_ptr可以转换为shared_ptr，通过std::move。1. 关于int，成员变量的引用计数必须是int*。不可以直接是int，不然没有引用计数的作用。2. 关于是否可以声明为静态成员。不可以，否则每一个相同类型的对象都共享该计数。需要通过weak_ptr进行解决。
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