一、概述:
五部分:半导体二极管、三极管和MOS的开关特性
各种门电路的分立元件构成
CMOS集成门电路
TTL集成门电路
门电路的VHDL描述及仿真
1、半导体二极管、三极管和MOS的开关特性
(1)二极管特性:(硅二极管为例)
a.静态开关特性:伏安特性曲线
导通条件:当外加正向电压Ud>0.7V时,二极管导通,就近似地认为Ud=0.7V不变,如同一个具有0.7V压降的闭合了的开关。
截止条件:当外电压Ud<0.5V时,二极管截止,近似的看成断开的的开关。
b.动态特性:
二极管的电容效应:结电容Cj、扩散电容Cd
二极管的开关时间:开通时间Ton、关断时间Toff.
(2)三极管特性:
特点:具有放大能力,能够通过基极电流控制其工作状态,是一种具有放大特性的开关元件。
a.静态特性:
本文详细介绍了半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性,包括导通和截止条件、动态特性。接着,阐述了二极管与门、或门,三极管非门以及CMOS和TTL集成门电路的工作原理、逻辑符号和真值表分析,重点讨论了CMOS和TTL三态门、漏极开路门的特点和应用。
最低0.47元/天 解锁文章
4309

被折叠的 条评论
为什么被折叠?



