门电路

本文详细介绍了半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性,包括导通和截止条件、动态特性。接着,阐述了二极管与门、或门,三极管非门以及CMOS和TTL集成门电路的工作原理、逻辑符号和真值表分析,重点讨论了CMOS和TTL三态门、漏极开路门的特点和应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

一、概述:

五部分:半导体二极管、三极管和MOS的开关特性

各种门电路的分立元件构成

CMOS集成门电路

TTL集成门电路

门电路的VHDL描述及仿真

1、半导体二极管、三极管和MOS的开关特性

(1)二极管特性:(硅二极管为例)
a.静态开关特性:伏安特性曲线

导通条件:当外加正向电压Ud>0.7V时,二极管导通,就近似地认为Ud=0.7V不变,如同一个具有0.7V压降的闭合了的开关。

截止条件:当外电压Ud<0.5V时,二极管截止,近似的看成断开的的开关。

b.动态特性:

二极管的电容效应:结电容Cj、扩散电容Cd

二极管的开关时间:开通时间Ton、关断时间Toff.

(2)三极管特性:

特点:具有放大能力,能够通过基极电流控制其工作状态,是一种具有放大特性的开关元件。

a.静态特性:

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