1.二极管的击穿现象
由二极管的伏安特性可知,当加于它两端的反偏电压超过反向击穿电压之后,二极管将发生击穿现象。二
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/4db2a3b6c752471c59c4fabe9b30b302.png)
(1)雪崩击穿
对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到一定数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地迅速增大,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。
(2)齐纳击穿
对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场(如
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/8f7798d173075eef74296e01271473a7.png)
(3)热击穿
在使用二极管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大,使结温升高,电流变大,循环反复的结果,超过PN结的允许功耗,使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二极管将发生永久性损坏。
对于硅PN结,击穿电压在7V以上的为雪崩击穿;4V以下的为齐纳击穿;在。4~7V之间的两种情况都有。无论哪种击穿,只要控制反向电流的数值不致引起热击穿,当反向电压下降到击穿电压以下,其性能可以恢复到未击穿前的状况。
2. 稳压管的击穿特性 稳压管的正向特性与一般二极管相同,而反向击穿特性很陡峭。
3. 稳压管的主要参数
(1) 稳定电压 V Z
Vz稳压管反向击穿后其电流为规定值时它两端的电压值。不同型号的稳压管其 Vz的范围不同;同种型号的稳压管也常因工艺上的差异而有一定的分散性。所以, V z一般给出的是范围值,例如 2CW11的 Vz在3.2~4.5V (测试电流为10mA)。当然,二极管(包括稳压管)的正向导通特性也有稳压作用,但稳定电压只有0.6~0. 8V,且随温度的变化较大,故一般不常用。
(2)稳定电流 I Z
I Z是指稳压管正常工作时的参考电流。 I z 通常在最小稳定电流 I Zmin与最大稳定电流 I Zmax之间。其中 I Zmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流,电流低于此值时,稳压效果差; I Zmax是指稳压管稳定工作时的最大允许电流,超过此电流时,只要超过额定功耗,稳压管将发生永久性击穿。故一般要求 I Zmin < I z < I Zmax 。
(3)动态电阻 r Z
rZ是指在稳压管正常工作的范围内,电压的微变量与电流的微变量之比。 r Z 越小,表明稳压管性能越好。
(4)额定功耗 PZ
Pz是由管子温升所决定的参数, P z =V z I Zmax 。
( 5)温度系数α
α是指 Vz受温度影响的程度。硅稳压管在 VZ<4V时α<0;在 VZ>7V时, α>0;在 VZ = 4~7V时, α很小