Halbleiterspeicher
在现代计算机中,半导体存储器已广泛用于实现主存
分类
1.随机存取存储器(RAM)
由于大多数随机存取存储器在断电后会丢失其中存储的内容,所以这类随机存取存储器又被称为==易失性(flüchtig)存储器==。由于随机存取存储器可读可写,所以有时它们又被称为==可读写存储器==。
分为三类:
1. static RAM(SRAM)
每一个存储单位都由一个触发器构成,可以存储一个二进制位,只要不断电就可以保证其中存储的二进制数据不丢失。
使用触发器作为存储单位的问题是,每个存储单位至少需要6个MOS管来构造一个触发器。–> SRAM存储芯片的存储密度较低。
大容量SRAM:四个MOS管加上CMOS技术
2. dynamic RAM(DRAM)
使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管数目。==但由于电容本身不可避免的会产生漏电,因此DRAM需要频繁的刷新。==
3. 非易失性RAM(non volatile RAM, NV RAM)
一般情况下,不论DRAM还是SRAM都是易失性的,断电后存储的信息会丢失。
但NV RAM结合了RAM和ROM的优点:允许CPU对其进行随机读写,同时又像ROM一样,断电后内容不丢失。
2.只读存储器(ROM)
在系统断电以后,只读存储器中的内容不会丢失。因此是非易失性存储器。
分类:
1. 可编程ROM(programmable ROM, PROM)
是一种提供给用户,把他们要写入的信息==“烧”==入其中的ROM
是==一次可编程ROM(one time programmable ROM, OTPROM)==
对PROM写入信息需要一个叫==ROM编程器==的特殊设备来实现
2. 用紫外光实现擦除的ROM(erasable programmable ROM, EPROM)
使已写入PROM的信息能被修改 –> EPROM芯片可被编程、擦除几千次(与PROM有本质的不同, PROM是一次可编程ROM)
一次擦除擦除的是整个芯片上的内容
擦除其中的内容大概需要20分钟左右
所有的EPROM都有一个窗口用于接收照射它的紫外线,通过紫外线照射来擦除其内容,所以EPROM又被称为==紫外线可擦除可编程ROM(UV-EPROM)==
主要缺点:不能在系统电路板上对其直接编程
3. 用电实现擦除的PROM(electriaclly erasable programmable ROM, EEPROM)
优点:
用==电来擦除原有信息==,因此可以实现==瞬间擦除==,不像UV-EPROM需要20min
可以==有选择的擦除某个具体字节单元的内容==,