【顾邦小讲堂】第八期 带你深入理解功率MOSFET规格书中参数和图表（6）

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上一期我们聊了Qg，今天我们就聊聊规格书中的开关时间。

以顾邦超结MOSFET GBS60037为例，规格书上关于开关时间的参数为：

这些参数，不像RDS_ON以及Qg等是MOSFET本身的特性指标，而是在具体的测试电路中表现出来的性能。这几个参数是在双脉冲测试电路中测得的结果。

关于双脉冲测试：

一般在规格书中有双脉冲测试的示意电路以及相关说明，如下图所示GBS60037的双脉冲测试说明图：

从图中可以看出这是一个非常简单的测试电路，但它却是MOSFET测试必不可少的。

以图中为例，双脉冲测试步骤如下：

1. 通过直流电压源给电容充电到预设电压，改预设电压等于规格书中开关时间测试条件中的VDS电压，对于GBS60037为400V。
2. 通过驱动电路给MOSFET第一个窄脉冲，该窄脉冲的幅值为开关时间测试条件中的VGS电压，对于GBS60037为15V；窄脉冲的宽度需控制使得电感电流上升到开关时间测试条件中的ID电流，此处为25A。
3. 当电感电流上升到25A后关闭MOSFET，使得电感电流通过并联的二极管续流。
4. 再确保MOSFET完全关闭并延迟2-5us之后，重新发一个2us左右的窄脉冲，并测试相关波形。

双脉冲测试中主要监测以下三个波形：

1. 电感电流波形，确保测试条件中的ID
2. MOSFET的gate极对source的电压波形
3. MOSFET的drain极对source的电压波形

根据所测得的波形，然后对比双脉冲测试中的波形图，就可以读出MOSFET规格书中关于开关时间的参数。

在双脉冲测试中，有几点注意事项：

1. 双脉冲测试的MOSFET的门极驱动电路要有足够的驱动能力，以确保功率MOSFET能够快速开关，顾邦的所有MOSFET的双脉冲测试中均选用了GBI7250这颗驱动芯片做为MOSFET的驱动电路。并且驱动电路的布局布板应尽可能靠近MOSFET的门极，以减小线路寄生。
2. RG的阻值严格按照测试条件选取，因为这颗电阻的大小会影响MOSFET的开关时间
3. 双脉冲测试中的电感在保证饱和电流远大于测试电流的基础上，尽量选择大感量电感，从而保证在二极管续流阶段以及第二个窄脉冲阶段电感电流变化较小。
4. 续流二极管最好选择低压肖特基二极管或者高压SiC二极管，从而最大程度减少二极管反向恢复电荷对测试结果的影响
5. 布局布板时电容就近布局在二极管和MOSFET附近，至少选用几颗陶瓷电容或者薄膜电容，使得电容、二极管以及MOSFET形成的回路最小，从而减小线路寄生带来的波形振荡。

双脉冲测试从一定程度上反应了一颗MOSFET在特定条件下的开关延迟和开关速度，对于工程师在选择MOSFET时具有指导意义。小伙伴在比较两颗MOSFET的开关时间时，不仅要看规格书中的数值，更加要注意测试条件。因为即使同样的MOSFET，测试条件变了，那么规格书中的参数也会跟着变化。

以下波形为GBS60037的测试结果：

以上就是我们深入理解MOSFET规格书第七期，本期着重介绍了MOSFET的开关时间和双脉冲测试。下期我们将带来MOSFET的体二极管相关参数的解读，敬请期待。

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