关于IGBT，我们应该怎么去选择?

IGBT 器件结构：

简单来说IGBT 是由 4 个交替层 (P-N-P-N) 组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体 (MOS) 栅极的电压进行控制。这一基本结构经过逐渐调整和优化后，可降低开关损耗，且器件厚度更薄。近期推出的 IGBT 将沟槽栅与场截止结构相结合，旨在抑制固有的寄生 NPN 行为。该方法有助于降低器件的饱和电压和导通电阻，从而提升整体功率密度。

                                                沟槽场截止 IGBT 结构 

IGBT 工作原理：
IGBT是一种功率晶体管，主要用于变频器逆变和其他逆变电路，将直流电压逆变成频率可调的交流电，其工作原理是通过不断激活和停用其栅极端子来开启、关闭:
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电，使IGBT关断。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通:若IGBT的栅极和发射极之间电压为OV，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基
极电流的供给，使得晶体管截止。

IGBT的主要应用领域有哪些？

1、新能源汽车：IGBT是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件，在电动汽车中发挥着至关重要的作用，主要作用于电动车汽车的充电桩、电动控制系统以及车载空调控制系统。

2、智能电网：智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端均需使用IGBT。

3、轨道交通：交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一，在交流传动系统中牵引变流器是关键部件，而IGBT又是牵引变流器最核心的器件之一。

附上安森美深力科IGBT单管选型参考：

FGH40N60SMD   FGH60N60SMD   FGH40N60SFD   FGH40N60UFD

FGH60N60SFD   FGH40T100SMD   FGA60N65SMD   FGA40N65SMD

FGH75T65SQD   FGH75T65SHD

未来IGBT的需求：

IGBT行业市场需求及IGBT芯片技术未来发展趋势是显而易见的，由于IGBT芯片技术发展具有高性能、低耗能、高集成度、低成本等重要特征，因此未来IGBT的应用范围将会更加广泛，同时IGBT芯片在新一代智能装置和其他多个领域也有着越来越多的使用，这些都将使IGBT行业市场需求量继续增长，IGBT芯片技术也将取得突破性进步，发展出更加高性能、高效率运行的新一代装置产品。