材料名称:Nb2SiTe4晶体
性质分类:半导体,红外材料,ferroelastic semiconductors
禁带宽度:0.2 eV
合成方法:CVT
剥离难易程度:易
保存注意事项:晶体稳定性较好,但需要避开水氧保存
粉体XRD 测试
材料名称:Nb3GeTe6晶体
性质分类:金属性
合成方法:CVT
剥离难易程度:易
保存注意事项:晶体稳定,不需要特殊条件保存
研磨成粉体测试XRD
材料名称:NbTe4晶体
性质分类:金属性
合成方法:CVT
尺寸:10平方毫米
25平方毫米
100平方毫米
剥离难易程度:易
保存注意事项:晶体稳定,不需要特殊条件保存
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以上文中提到的产品仅用于科研,不能用于人体及其他用途。