半导体，红外材料、Nb2SiTe4晶体、Nb3GeTe6晶体、NbTe4晶体

材料名称：Nb2SiTe4晶体

性质分类：半导体,红外材料，ferroelastic semiconductors

禁带宽度：0.2 eV

合成方法：CVT

剥离难易程度：易

保存注意事项：晶体稳定性较好，但需要避开水氧保存

粉体XRD 测试

材料名称：Nb3GeTe6晶体

性质分类：金属性

合成方法：CVT

剥离难易程度：易

保存注意事项：晶体稳定，不需要特殊条件保存

研磨成粉体测试XRD

材料名称：NbTe4晶体

性质分类：金属性

合成方法：CVT

尺寸：10平方毫米 

           25平方毫米

         100平方毫米

剥离难易程度：易

保存注意事项：晶体稳定，不需要特殊条件保存

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