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ISO10605：车辆和部件静电放电（ESD）抗扰度试验方法。ISO7637：道路车辆传导和耦合产生的电气干扰。ISO11451：车辆和部件辐射干扰试验方法。ISO11452：辐射抗扰度试验方法。
2023-08-05 01:04:50
395
原创 汽车电子功能安全
严重度（Severity），暴露率（Exposure），可控性（Controllability）评估风险等级（ASIL等级）相加等于7分为ASIL A，8分为ASIL B，9分为ASIL C，10分为ASIL D，其余得分为QM与安全无关。需应用ISO26262的范围，分类ASIL A，B，C，D的风险和安全目标。分析方法：FMEA，DFMEA（设计潜在失效模式和影响分析）因随机硬件故障导致的安全目标违规评估。硬件级产品开发的一般主题。
2023-08-05 01:04:16
258
原创 ★UART
通信能力：485允许连接128个收发器，232允许一对一通信。速率：485 10Mbps，232 20Kbps。信号线：半双工（485 2根，232 3根）
2023-04-06 00:25:06
159
原创 ★EMC相关
晶体，晶振，继电器，开关电源强辐射距面板，连接器边缘>=1000mil，距板内屏蔽罩，外壳>=500mil。接口滤波，防护，隔离器件靠近接口，遵从先防护，后滤波原则。共模电容接地点，减小共模环路及接地阻抗。数字模拟，高速低速，分开布局。开关上升沿调整（影响效率）增加差模滤波，电感，电容。加强电源参考地与机壳搭接。电源线/信号线瞬态抗扰。
2023-04-03 21:41:29
253
原创 ★DDR相关
DDR2，3，4读写速率理论极限：1333MHz*64bit（单通道，双通道128bit）/8（位到字节单位转换）=10.664GB/s，实际1333单条数据在7-9GB/s，随机读写下降1/10。16bit/32bit内存概念：以多长单位进行存储（16bit：以bit为单位访问内存=给内存一个地址，内存给一个16bit数据到数据线）CPU：一个32bit拆成2个16bit，DDR：2个16bit组成32bit。地址线有几位BA地址--->多少个bank（2--->4，3--->8）
2023-04-01 10:47:34
632
原创 ★运算放大器
虚断：反向输入端无电流输入输出（流入输入端电流不足1uA，输入端可以视为等效开路），通过R3和R4的电流相等，欧姆定律：I=Vout /（R3+R4）分流电阻方法：将固定阻值的感应电阻串联于被测支路中，采用不同方法测量感应电阻两段的压差，以表征被测电流。因为电流范围已知，所以V已知，然后R5和R6相等（自由设置），R8和R7相等（自由设置），虚断：运放输入端没有电流流过，则流过R5和R8的电流相等，R6和R7的电流相等。虚短：V+ = V-（两个输入端视为同等电位）联合（式1）和图：V1=V2+V（式4）
2023-04-01 10:45:47
490
原创 ★域控制器
算力：1.5-508TOPS，支持ADAS功能到搭载记忆泊车（HAVP）功能，可迭代升级且支持停车场自主泊车（PAVP），领航辅助驾驶（ANP）3个平台5个产品：第一代五仁平台（ZU5平台），>第二代四喜平台（单，双TDA4VM），第三代三鲜平台（单，双Orin-X）第一代选型ZU5EV因素：基于快速上车考虑，FPGA架构本身很灵活，一代产品聚焦泊车，更容易帮助百度发挥自动驾驶的能力。2020.7--->第一代ACU（五仁）--->威马（AVP自主泊车产品）--->广汽，长城，现代。
2023-04-01 10:45:33
184
原创 ★海思Hi351X
3516DV300（400万，500万 AI IPC），A7@900MHz，最大接5.0MP sensor时，最大帧率是15fps，3.0MP及以下是30fps。3.3V先下电，1.35/1.5V晚于3.3V下电，当3.3V掉到POR阈值（2.1V-2.6V）时，触发POR复位，4路CORE开始下电。IPC SoC：集成嵌入式处理器（CPU），图像处理（ISP）模块，音视频编码模块，网络接口模块等。媒体业务（Hi3516DV300）：音视频数据的采集，处理，压缩，解压缩，显示，播放等模块。
2023-04-01 10:45:20
1066
原创 ★PCB相关
层间电容不大，阻抗大，回流信号找阻抗较小的地方通过，从而增大回流面积，发生辐射，影响相邻信号，叠层结构（信号-地-电源-信号）总厚度0.62inch的四层板，电源和地间电容小，低阻抗大，产生信号完整性，产生EMI，具有电源和地平面叠层，避免换层，尤其对高速时钟信号。层间电容过小：电源传输问题，IC需要极高瞬态电流，上升时间越小，需电源频率越高，通过去耦电容解决瞬间电源，频率过高，高于电容自身谐振频率，电容变成电感，失去储能作用，减小绝缘层厚度增加层间电容，增加成本。优：平滑数字信号边缘。
2023-04-01 10:45:05
287
原创 ★GPS相关
增益：输入功率相等，实际天线与理想天线的辐射单元在空间同一点处所产的信号的功率密度之比，定量描述天线把输入功率集中辐射的程度，dBd和dBi表示，增益越高，电波传播距离越远。工作频率：4G天线，蓝牙WiFi天线，433MHz天线，4G天线为700MHz-2.7GHz。同时避免直角走线，夹角为135度。与射频引脚相邻的GND引脚不做热焊盘，要与地充分接触。连接器件封装建立时要注意，信号脚离地要保持一定距离。射频信号线参考的地平面应完整；辐射方式：全向（360度辐射）和定向。走线方式：微带线，共面波导。
2023-03-31 09:41:41
91
原创 ★二极管相关
额定整流电流IF：长期运行，允许温升折算的平均电流值，IF=IFRM（可重复峰值电流）+IFSM（不可重复峰值电流，是可承受的最大浪涌电流）反向恢复时间Trr：电压从正向变反向，电流延迟时间（导通突然反向，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间），影响开关速度，过热烧毁。最大平均整流电流IO：半波整流，流过负载电阻的平均整流电流的最大值，指整流后的直流电流，小于IF。最大功率P：两端电压乘以流过的电流，大于P，过热烧毁，对稳压二极管，可变电阻二极管特别重要。最大反向直流电压VR：连续加直流电压时的值。
2023-03-31 09:41:24
270
原创 ★Flash
可靠性：Nor高，NAND低（位反转，需EDC/ECC_错误探测/错误更正算法；SPI接口：标准SPI，双线SPI（Dual SPI），四线SPI（Quad SPI）Flash地址模式：3byte（最大128Mbit），4byte（最大8Gbit）接口：Nor与RAM接口相同（SRAM接口），NAND是I/O接口。XIP（可执行code）：Nor可以，NAND价格低不可以。NAND Flash/eMMC：三星，美光，海力士。寿命（耐用性）：Nor低，NAND高。NOR Flash：旺宏，美光，华邦。
2023-03-31 09:40:48
318
原创 ★ADC/DAC
分辨率：最小刻度指标；8bit，16bit，24bit是分辨率，比如采集电压范围0-5V，8bit最小刻度是5/2^8=0.0195V，分辨率间接衡量采样准确的变量，精度直接衡量。采样率：每秒采集信号的个数；如1KHz/s，表示1s内采集1K个点。精度：最小刻度+各种误差参数。1.采样率和采样精度。
2023-03-31 09:40:44
189
原创 ★摄像头相关
例如：HFP=48，HBP=48，HSYNC=32，VFP=8，VBP=8，VSYNC=4，HACTIVE=1920，VAVTIVE=1080，图像格式=rgb888，fps=60，lane=4。Sensor时钟，复位和配置管脚IO电源（管脚名DVDD3318_SENSOR）：支持3.3V或1.8V。H=HSYNC（行同步）+HBP（水平后肩）+HACTIVE（水平显示周期）+HFP（水平前肩）V=VSYNC（场同步）+VBP（垂直后肩）+VACTIVE（垂直显示周期）+VFP（垂直前肩）
2023-03-31 09:39:45
1021
原创 ★保险丝
触发电流（IT）：能使电阻值突然变大的最小电流，一般为保持电流两倍（小于或等于被保护电路需要保护的电流）最大电压（Vmax）：耐压值：比被保护电路最高电压还要高，否则烧毁保护元件或误保护。动作时间（Ttrip）：规定电流的最大动作时间（一定电流下一定时间内进行保护）保持电流（IH）：不会使电阻值突变的最大电流（等于电路正常工作电流或接近）静态电阻（R）：不加电电阻值，范围Rmin
2023-03-31 09:39:11
410
原创 ★TVS相关
VBR（击穿电压）：通过电流IR时的电压，导通标志电压，从此点开始进入雪崩击穿（规定脉冲直流电流或接近发生雪崩电流条件下测得两端的电压，低压，漏电流大，测得电流选取较大，击穿电压高于用户正常工作电压，并留有一定余量）IPP和VC衡量抵抗浪涌脉冲电流及限制电压能力的参数，相互联系，防雷钳位特性参考VC，相同型号，相同IPP下VC越小，钳位特性越好，耐脉冲电流冲击能力参考IPP，同型号，IPP越大，耐脉冲电流冲击能力越强。3.评估电压尖峰频率，幅值，确定功率，从而确定封装。1.是否存在两个方向电压尖峰。
2023-03-31 09:38:38
515
原创 ★电感相关
1.电感厂家TDK，胜美达，奇力新，顺络，风华2.电感尺寸选择电感2520（2.5mm*2.0mm）和1008（英尺）封装是一样的SMD（表面贴装）：HA超薄贴片功率电感：封装：HA63(长宽高7*6.5*3)；HA65（7*6.5*5）；HA125(13.5*12.6*5)3.DCDC中用到的电感多大SD：12-5V：2.2UH；12-3.3V：4.7UH
2023-03-30 16:33:25
109
原创 ★晶振相关
2^15=32768=32.768K，把32.768K经过15次分频得到1Hz；提高时间精度，1Hz必须要准确。核心频率，温度频差（ppm），负载电容（pf），封装形式，工作温度。2.RTC为什么是32.768K。
2023-03-30 16:32:41
72
原创 ★电容相关
有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播，去耦电容提供一个局部的直流电源给有源器件，以减小开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地（负载电容大，驱动电路要把电容充电，放电，才能完成信号跳变，上升陡峭时，电流大，驱动电流吸收大电源电流，电路中电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说是一种噪声，影响前级正常工作，这就是耦合，去耦电容起到一个电池作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间耦合干扰）C小，负载电容对滤波电路影响大，C大，影响高频特性（大电容高频特性不好）
2023-03-30 13:13:48
227
原创 ★SI相关
不同层产生阻抗，过孔差别破坏差模传输，引入共模噪声，相邻2层耦合密度不够，降低差分走线抵抗噪声能力，相距500mil差分走线，3m外辐射能量衰减60dB，满足FCC电磁辐射标准。测输入阻抗，串电位器Rp，电位器两端的电压为信号源输出电压一半，近似认为电位器电阻为输入阻抗（欧姆定律，芯片内阻Ri和Rp相同时，电压和内阻两端电压相同）反射--->信号波形过冲，下冲--->振铃现象（下冲：噪声容限减小，振铃：增大信号稳定所需时间，影响时序）单位：XL/XL（omh），频率（Hz），容值（F），电感值（H）
2023-03-30 13:05:42
338
原创 ★ETH相关
RTL8211E到磁器与RJ45轨迹尽量短，轨迹（RTL8211E到磁器）小于12cm，所有4个差分对轨迹（MDI0+/-，MDI1+/-），匹配长度（800mils以内），MDI阻抗为50Ω共模，100Ω差模，PHY到磁器每对间（D1）靠近（差分对，对噪声抵消效果），PHY到磁器每对间是2个微分轨迹宽度，如轨迹宽度8mil，PHY到磁器每对间为8mil。以太网PHY-MAC接口模式：RGMII，RMII，MII，SGMII，SMII，GMII，XGMII，XAUI，RXAUI。
2023-03-30 12:57:24
1723
原创 ★LDO相关
在特定的点，Vgs无法再升高，因为误差放大器输出在电源电压Vin下将达到饱和状态，达到此状态时，Rds处于最小值，将此值与输出电流Iout相乘，获得压降电压，也会产生问题，误差放大器输出在Vin处达到饱和状态，随着Vin接近Vout，Vgs也会降低，这有助于防止出现超低压降。指输入电压阶跃变化时输出电压的变化，与控制环路增益带宽，输入电压变化大小和速率有关，输入电压变化速率对输入瞬态响应有较大影响，当输入电压缓慢变化（在LDO带宽内只出现一个凹槽时，可隐藏振铃或其他异常行为）
2023-03-30 12:50:11
237
原创 ★DCDC相关
当电源Vin接反时，稳压二极管D1正向导通，负载的负压为二极管的导通电压Vf，Vf一般比较低，不会烧坏后级负载电路，同时，Vin反接时，D1正向导通，电压主要落在F1上，因此开始时电流会迅速上升，直至超过F1的熔断电流，保险丝F1熔断，电源断开，不会因为电流过大而烧坏D1。无法实时响应负载对于电流需求的快速变化，通过感知其输出电压的变化，调整其输出电流，从而把输出电压调整回额定输出值（负载电流变化频率低，很好做出调整，保持输出电压稳定，负载瞬态电流变化频率高，出现跌落，产生噪声）
2023-03-30 12:32:21
1552
原创 ★MOS管
栅极驱动损耗是在开关管导通及关断瞬间，在一定的栅源电压Vgs下，对MOS极间电容进行充电（建立Vgs电压，使MOS导通）和放电 （让Vgs=0，使MOS关断）造成的损耗，此损耗与MOS输入电容Ciss或反馈电容Crss，栅极驱动电压Vgs，开关频率Fsw成比例，要减小此损耗，就要选择Ciss或Crss小，阈值电压Vgs（th）低的功率MOS。开关损耗与器件开关过程上升，下降时间，器件特性有关，栅极电阻越大，上升，下降时间越大，相应的开关损耗越大，栅极电阻↓--->开关损耗↓--->效率↑。
2023-03-30 12:21:24
828
1
原创 ★三极管相关
BVCEO基极开路，集电极-发射极反向击穿电压：超标产生很大集电极电流，击穿。ICM集电极最大允许电流：超标电流放大系数β下降。PCM集电极最大允许耗散功率：超标烧坏。特征频率fT：超标，性能下降)
2023-03-30 12:16:55
120
原创 【无标题】
热阻Rja：芯片热源结（junction）到周围冷却空气（ambient）的总热阻，乘以发热量=器件温升。Rjb：热源结与PCB（board）间的热阻，乘以通过单板导热的散热量=结与单板间的温差。Rjc：热源结到封装（case）外壳间的热阻，乘以发热量=结与壳的温差。A=平板垂直于热流方向的截面积。热阻大--->抑制热量传递。反映阻止热量传递能力参量。导热热阻：L/（k*A）热阻小--->加强传热。单位：-K*M^2/w。k=平板材料的热导率。增加压力，增大接触面。
2023-02-15 19:37:14
735
原创 运算放大器相关
由P=V^2/R=I^2R，得：10lg（Po/Pi）=10lg[（Vo^2/R）/（Vi^2/R）]=20lg（Vo/Vi）分流电阻方法：将固定阻值的感应电阻串联于被测支路中，采用不同方法测量感应电阻两段的压差，以表征被测电流。虚断：反向输入端无电流输入输出，通过R3和R4的电流相等，欧姆定律：I=Vout /（R3+R4）因为电流范围已知，所以V已知，然后R5和R6相等（自由设置），R8和R7相等（自由设置），虚断：运放输入端没有电流流过，则流过R5和R8的电流相等，R6和R7的电流相等。
2023-02-10 19:39:22
939
原创 域控制器相关
IOS11519-2(低速)：显性：高/低：4/1V；隐性：高/低：1.75/3.25V。IOS11898（高速）：显性：高/低：3.5/1.5V；1.CAN电平，电路图。
2023-02-08 13:50:58
922
原创 海思Hi351X相关
IPC SoC：集成嵌入式处理器（CPU），图像处理（ISP）模块，音视频编码模块，网络接口模块等。支持8/10/12/14 bit RGB Bayer DC时序视频输入。ISP：图像信号处理（对前端摄像头所采集的原始图像信号进行处理）支持BT.601，BT.656，BT.1120视频输入接口。支持MIPI，LVDS/Sub-LVDS，HiSPi接口。DVR SoC：模拟音视频的数字化，编码压缩与存储。网络摄像机：图像传感器+IPC SoC芯片。模拟摄像机：图像传感器+ISP芯片。
2023-02-06 14:08:38
532
原创 DDR相关
16bit/32bit内存概念：以多长单位进行存储（16bit：以bit为单位访问内存=给内存一个地址，内存给一个16bit数据到数据线）一个bank行和列数=行和列有多少位（行：A0-A14=单个bank行总量为2^15；DDR3地址有3个BA（三个Bank 地址，BA0，BA1，BA2）,单块内存是8个bank。地址线有几位BA地址--->多少个bank（2--->4，3--->8）行有A0-A14，共15个bit=一个bank有2^15个行。列有A0-A9，共10个bit=有2^10个行。
2023-02-02 16:58:08
8686
原创 EMC相关
射频电磁场辐射抗扰度（RS）：标准（IEC 61000-4-3，GB/T 17626.3）射频感应场传导抗扰度（CS）：标准（IEC 61000-4-6，GB/T 17626.6）静电放电抗扰度（ESD）：标准（IEC 61000-4-2，GB/T 17626.2）辐射发射（RE）：标准（CISPR 16，GB/T 6113）传导发射（CE）：标准（CISPR 16，GB/T 6113）车载：8KV（接触），15KV（空气）消费：4KV（接触），8KV（空气）电快速瞬变脉冲群抗扰度。
2023-02-01 17:43:23
361
原创 PCB相关
I（最大电流）=K（修正系数） * T（最大温升）^0.44 * A（线截面积）^0.47。多条接地减小接地阻抗，导线之间距离不能太近。0805是1/4W，1206是1/2W。线宽按1mm载流1A计算。信号线宽可取5-10mil。视频信号过孔8-18mil。K（线内层）=0.024。K（线外层）=0.048。其他过孔孔径8mil。
2023-01-30 16:26:42
1760
原创 摄像头相关
例如：HFP=48，HBP=48，HSYNC=32，VFP=8，VBP=8，VSYNC=4，HACTIVE=1920，VAVTIVE=1080，图像格式=rgb888，fps=60，lane=4。码率：压缩完1秒钟的数据（时钟=1s内传输的数据量，mipi接口时钟是示波器测量Clock lane波形频率）H=HSYNC（行同步）+HBP（水平后肩）+HACTIVE（水平显示周期）+HFP（水平前肩）V=VSYNC（场同步）+VBP（垂直后肩）+VACTIVE（垂直显示周期）+VFP（垂直前肩）
2023-01-30 12:09:59
1566
原创 UART常问问题
波特率有9600，19200，115200（数据传输速率用波特率表示，每秒钟传输的二进制位数）；数据位：可以是4-8位逻辑0或1，构成一个字符；传输方向：高位（MSB）01000001，低位（LSB）10000010，协议为LSB。奇偶校验位（可不需要）：数据位加上一位后，使得“1”的位数为偶数（偶校验）或奇数（奇校验）传输正确性。停止位：可以是1位，1.5位，2位高电平（位数越多，时钟同步容忍程度大，传输率低）GND：板内供地可以不单独接，板件通信必须接。VCC：一般不接，不影响使用。
2023-01-28 20:59:59
192
原创 SPI常问问题
可达几Mbps（50Mbps），比I2C快，主从器件SPI控制器的性能限制。4根线：MOSI，MISO，SCLK，CS。3.与UART，I2C区别。
2023-01-28 15:33:11
183
原创 GPS常问问题
RTK原理：GPS基础上，架设一个地面基站，地面基站获取卫星定位与真实位置（基站固定，位置是绝对的）对比，计算出GPS定位误差，并GPRS把当前误差发送给移动站，移动站利用误差纠正从卫星获取的定位。增益：输入功率相等，实际天线与理想天线的辐射单元在空间同一点处所产的信号的功率密度之比，定量描述天线把输入功率集中辐射的程度，dBd和dBi表示，增益越高，电波传播距离越远。修正法：将基站载波相位修正值发送给移动站，改正移动站接收到的载波相位，在求解坐标，应该是坐标校正。3.RTK原理，基站距离，校正。
2023-01-14 18:52:19
283
原创 保险丝相关
触发电流（IT）：能使电阻值突然变大的最小电流，一般为保持电流两倍（小于或等于被保护电路需要保护的电流）最大电压（Vmax）：耐压值：比被保护电路最高电压还要高，否则烧毁保护元件或误保护。保持电流（IH）：不会使电阻值突变的最大电流（等于电路正常工作电流或接近）静态电阻（R）：不加电电阻值，范围Rmin
2023-01-13 19:50:31
212
空空如也
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