晶圆尺寸特征参数与影响

LItho_Passion

已于 2024-09-22 21:06:08 修改

阅读量3.4k

点赞数 16

分类专栏：半导体材料及设备文章标签：制造笔记其他

于 2024-09-22 20:55:01 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/LItho_Passion/article/details/142443369

版权

半导体材料及设备专栏收录该内容

5 篇文章

订阅专栏

晶圆系列文章目录

1. 晶圆的制造过程与晶圆的参数

2.晶圆尺寸特征参数与影响

前言

本文主要对晶圆的尺寸特征进行简单介绍，主要包括尺寸、厚度、平整度、弯曲度以及翘曲度等尺寸特征概念，帮助大家了解晶圆的尺寸特性。

一、晶圆尺寸的历史演变

在半导体工业的早期阶段，晶圆尺寸的发展是推动整个行业进步的关键因素之一。最初，半导体器件的制造是在小尺寸的晶圆上进行的，例如直径仅为1英寸或2英寸的晶圆。这些小尺寸晶圆的使用，虽然在当时的技术条件下是可行的，但它们限制了生产效率和芯片集成度的提升。随着技术的演进，晶圆尺寸逐渐增大，从2英寸到3英寸，再到4英寸，每一次尺寸的增加都伴随着制造工艺的革新和生产成本的降低。

当前市场上主要使用的晶圆尺寸包括：

150mm（6英寸）
200mm（8英寸）
300mm（12英寸）

图 1 晶圆尺寸示意图

随着集成电路技术的不断进步，晶圆的直径逐渐增大。较大的晶圆尺寸可以在同一片晶圆上集成更多的芯片，例如，12英寸晶圆相较于8英寸晶圆，其表面积增加了近一倍，这使得在同等制造条件下，可以生产出更多的芯片，从而降低了单位芯片的成本，显著降低生产成本的同时并提高生产效率。200mm及300mm晶圆已经成为现代大型集成电路生产的主流选择。在过程中，业界也提出了18英寸即直径为400mm的晶圆，但当前这一方案暂时被舍弃，这里暂不过多赘述。

二、晶圆的表面特性

在前文我们讲到，晶圆具有例如基础参数、电化学结构参数以及尺寸特征。这里我们将对晶圆的尺寸特征进行简单的讲解。

晶圆的厚度是一个基础的特征参数。总厚度变化范围以TTV（Total Thickness Variation）表示，常用晶圆TTV参考值在数十um级别。晶圆厚度的选择视芯片的需求而定，若晶圆后续并非为制作芯片，而是用于制作Sensor Wafer即某些特殊应用的晶圆，则需要对其进行减薄等其他操作，这个后续我们再对特定晶圆进行介绍。晶圆的厚度影响其在制造过程中对机械应力的抵抗能力，以及在高温条件下的稳定性。适当的厚度设计能够减少在切割和搬运过程中的破损。

图 2 GBIR定义

晶圆平整度有区分为全硅片正面平整度、背面平整度、局部平整度等，通常用GBIR、SBIR等表示。GBIR是FQA内距离理想背面参考点的最大距离和最小距离的范围。不同的芯片对不同平整度的需求定义不同，这里按需选择。

图 3 Bow定义

晶圆的表面弯曲度和翘曲度有所区分，弯曲度通常以Bow来形容，翘曲度以Warp来代替。晶圆的表面弯曲度指代的是晶圆中心处的中间表面与中间表面最小二乘参考平面的偏差。理想情况下，制造过程中应确保晶圆的弯曲度达到数百纳米及以下的级别。参考晶圆Bow值为数十um。这种弯曲度保证了在光刻、镀膜、刻蚀等工艺中的精确性，是高质量芯片制造的基础。

图 4 Warp定义

翘曲度是指晶圆的平面度在经过制造和加工过程中所产生的弯曲或变形程度。翘曲度通常使用晶圆的某一特定位置的高度差来量化，即FQA内中值表面与中间表面最小二乘参考平面的最大（最正）和最小（最负）偏差之间的差值。它的产生可能源于多种因素，包括温度变化、湿度影响、材料应力、加工工艺条件以及器件的厚度和材料的非均匀性。翘曲度过大可能会引发晶圆在后续加工过程中的对位不良和损坏，影响最终的器件性能和良率。

晶圆的表面粗糙度和表面缺陷同样为晶圆表征的关键因素，表面粗糙度用Roughness，例如Ra等来表示，优良的表面粗糙度可达几纳米。过高的粗糙度会影响光刻胶的涂布均匀性，从而导致光刻图案的失真。晶圆常见缺陷包括划痕、气泡和颗粒等。这些缺陷可能在后续的加工过程中引发不良反应，因此在晶圆生产过程中采取严格的检测与控制措施至关重要。